晶格热振动对磁场中半无限极性晶体内表面磁极化子自陷能的影响

采用Huybrechts的线性组合算符法和变分法 ,研究了晶格热振动对磁场中半无限极性晶体内电子与表面光学 (SO)声子强耦合、与体纵光学 (LO)声子弱耦合体系的影响 ,得到了作为距离晶体表面的深度、磁场和温度函数的表面磁极化子的自陷能 .对AgCl晶体进行了数值计算 ,结果表明 ,不同支声子与电子相互作用对表面磁极化子自陷能的贡献以及它们随距离晶体表面的深度、磁场和温度变化的情况大不相同 .     

激光对含能材料的热作用与光化学作用比较

从理论、实验、数值计算等几个方面分析了激光对含能材料的热作用机理与特性 ,研究了含能材料激光点火的临界值与激光功率密度、环境温度等因素间的关系 ,并与激光对含能材料的光化学作用及光化学点火机理做了比较。与热点火相比 ,光化学点火对激光波长有较强的选择性 ,光化学点火的临界功率与临界能量较小     

自旋对强耦合表面磁极化子自陷能的影响

应用么正变换和线性组合算符法研究了半无限极性晶体中强耦合表面磁极化子的振动频率λ0和自陷能Etr的性质。讨论了电子自旋和磁场对它们的影响。对RbCI晶体给出的数值计算结果表明：λ0随磁场B的增加而增加;当ms＝－1／2时,Etr随B的增加而增加;当ms=1/2时,Etr随B的增加而减少;电子自旋能与自陷能之比P随B的增加而增加。     

应用电磁场“互能公式”简化电磁场公式的符号表示

本文利用内积和互能公式来简化一些重要的电磁场公式的符号表示。     

极性晶体膜中电子—表面声子强耦合极化子的自陷能

采用Ｈｕｙｂｒｅｃｈｔｓ线性组合算符和变分法相结合的方法,研究了极性晶体膜内电子与体纵光学声子弱耦合、与表面光学声子强耦合系统的基态能量,得到了作为膜厚和耦合常数函数的极化子的自陷能,对ＫＣｌ晶体进行了数值计算,结果表明,不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献大不相同     

量子阱中强耦合极化子自陷能的温度依赖性

采用Huybrechts的线性组合算符法和改进的LLP变分法,研究了晶格热振动对无限势垒量子阱中电子与界面光学声子强耦合、与体纵光学声子弱耦合极化子性质的影响．推导出作为阱宽和温度函数的极化子自陷能的表达式．对KI／AgCl／KI量子阱进行了数值计算,结果表明,极化子的自陷能随阱宽增加而减小、随温度升高而减小,但不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献以及它们随阱宽和温度的变化情况大不相同．     

关于“线性无耗零状态网络的互易性和幺正性”的讨论

本文对“线性无耗零状态网络的互易性和幺正性”一文中的某些论点有不同看法,现提出讨论,说明了互易定理与互能定理的区别,指出线性无耗零状态网络不都是互易网络。     

毛细作用驱动的MEMS流休自组装模拟仿真

介绍了毛细作用驱动的MEMS流体微器件自组装技术的研究和发展概况，并对组装中的自对准过程进行了模拟仿真。通过仿真模拟，证明即使在器件与衬底组装区域形状大小不同时，仍可能实现自对准。这说明自组装对组装器件和衬底粘合层的形状尺寸匹配精度的要求不苛刻。同一个衬底粘合层的版图将可能适用于具有不同尺寸粘合层的器件进行安装，反之拥有同样粘合层的器件则可能安装到不同的衬底中。这些结论有助于未来更合理地设计自组装系统。     

TEM模场的空间不均匀性对场-电子注互作用的影响

电磁波与电子注的互作用不仅与电子注的特性有关,也与波场的极化、空间特性紧密相关。本文就小回旋电子注的情况采用由4个运动常数描述的未扰分布函数,根据动力学理论一般地分析了TEM模场空间不均匀性对互作用的影响,所得结果表明互作用产生的高次谐波依赖于波场空间不均匀性;电子注的位置空间不均性和场的空间不均匀性有可能共同产生一种新的不稳定性,该不稳定性与相对论效应无关。     

一种质量块-弹簧自参数共振压电俘能器研究

该文提出了一种在压电梁与末端质量块之间加装一个弹簧的二自由度压电俘能器。利用扩展哈密顿原理建立了俘能器的机电耦合方程。仿真结果表明,当压电梁不屈曲时,压电梁子系统与质量块-弹簧子系统之间的运动相互影响,弹簧刚度、质量块的质量对俘能器的俘能性能有重要影响。当质量块-弹簧子系统的固有频率为压电梁子系统的固有频率2倍时,系统为自参数共振系统,此时的激励阈值为最小,且俘能带宽也会增大。     

复杂静电场问题中电势零点选取的合理性

对一个复杂静电场问题分解为两个甚至多个子问题利用叠加原理进行电势求解时,如何合理地选取各个子问题的电势零点的问题进行了研究和讨论。首先讨论了电势参考点选取的任意性和相对性,然后通过一个实际的静电场问题引出了电势参考点选取的合理性。最后,从做功与能量和唯一性定理两个方面对电势参考点选取的合理性进行了分析与讨论。     

静态场部分电容和互感的测量

多导体部分电容和互感是静态场中非常重要的两个概念.本文介绍了部分电容和互感的特性及测量原理,给出一种测试仪器,通过对具体参数的测试,所得的测试结果与理论计算结果相吻合.实践表明,两个实验系统的开发不仅可以促进学生综合运用所学知识的能力,也可激发学生对电磁场专业理论知识学习的兴趣.     

计算机静电场模拟实验研究

介绍了基于计算机的静电场模拟实验装置,片上系统C8051F340自带A/D转换器对导电玻璃实时电压采集,数据通过RS232传输至计算机,在Lab Windows/CVI虚拟仪器中实现数据的平滑滤波、静电场分布示意图模拟以及数据的存储。实验装置具有操作简单、电场分布直观等优点。     

换路后两个连接电容电场能量变化分析

在＂电路理论＂课程暂态分析中,换路后两个电容直接并联,或两个电感直接串联,电容电压和电感电流不再服从换路定律,当电荷与磁链重新分配后满足电荷、磁链守恒,但静电场能量与磁场能量均有损失,看似系统能量不守恒。本文将从串联暂态电量、串联稳态电压整体、并联稳态电压分体和功率密度等角度分析了能量变化,最终从线损耗和电磁辐射两方面...     

用虚位移法计算静电场中电介质的受力

本文给出了用虚位移法计算静电场中电介质受力与用虚位移法计算静电场中导体受力的关系,从而说明了静电场中电介质受力的本质.阐明了静电场中电介质受力的计算可直接应用静电场中导体受力公式的原因,给出了计算介质受力时可以运用计算导体受力公式的条件,并给出了具体的例子进行说明.     

MEMS静电驱动器的场致电子发射效应研究

为研究MEMS静电驱动器的场电子发射效应,设计并加工了排斥驱动器和平行板驱动器两种不同结构的静电驱动器,实验测试了电极间漏电流随驱动电压的变化关系,验证了其满足场发射效应的FN理论公式,从而首次观察到静电排斥驱动器的场致电子发射效应.根据测试结果计算得到了所设计的两种MEMS静电驱动器的名义发射面积和场增强因子.由于器件自身的结构设计特征,平行板驱动器相对于排斥驱动器具有更大的名义发射面积和更小的场增强因子.     

亥姆霍兹定理在求解静电场边值问题中的应用

将电位标量场视为矢量场的一种特例,从亥姆霍兹定理出发直接导出了静电场中电位边值问题的积分解表达式,这种方法的推导过程较采用格林定理的方法更为简单明了。根据边值问题的唯一性原理,由此积分解表达式给出了第一类和第二类边界条件的积分解表达式。     

用悬垂液滴制作非圆对称光学谐振腔

报道了一种用悬垂液滴通过可变电场(VEF)制作二维非圆对称液相光学谐振腔的理论和方法。悬垂液滴的赤道平面是一个二维的理想圆对称腔体,将此液滴置于一对透明电极中央,通过静电场对极化后液滴介质的静电力作用,有效地改变了液滴赤道平面的形状,形成一系列形状参数可调的非圆对称液相光学谐振腔。     

多重网格法求解三维静电场分布

本文将一种高效率的数值计算方法——多重网格法引入三维静电场分布的计算,多重网格法利用限制和延拓可迅速求得满足精度要求的场分布.研究了求解各种静电透镜电子光学系统三维场分布的多重网格法程序,验算了静电同心球模型的三维场分布.通过与目前在场计算中常用的有限差分法进行比较,可以看出多重网格法的计算效率和计算精度优于有限差分法.本文表明利用多重网格法计算三维场大大提高了场分布的计算效率,缩短了计算时间,因此为后续计算打下了良好的基础.     

二维静电场问题的面片拼接等几何分析方法研究

等几何分析方法在求解静电场问题时,实现了几何模型和计算模型的统一以及自适应网格划分过程,然而受制于单个NURBS曲面片拓扑的局限性,单片等几何分析方法难以处理含角点非凸几何域静电场及多媒质静电场问题.本文基于面片拼接技术,将单片等几何分析方法扩展到多片,并用来求解二维含角点非凸几何域静电场及多媒质静电场问题,NURBS曲面片拼接处的控制点和网格细分前后要求必须匹配.由于NURBS基函数不满足插值性,在非齐次Dirichlet边界条件的处理上本文采用Lagrange乘子法进行处理.数值算例表明：修正后的多面片等几何分析方法可以很好地处理二维含角点非凸几何域静电场及多媒质静电场问题,且相比传统的有限元法,该方法具有自由度消耗小、精度高、收敛速度快等优点.