低压化学蒸汽淀积的三维计算机模拟

本文在一维LPCVD计算机模拟算式的基础上,考虑到反应管中,径向浓度不均匀的影响,进一步提出三维LPCVD计算机模拟算式,以便同时解决片内和片间均匀性问题.在形式上,整个三维模拟算式可以分解为片内和片间两个独立的部分,但二者是相互影响的.计算结果同一些实验结果具有相同的结论.在三维LPCVD计算机模拟的指导下,我们在研制LPCVD工艺和设备中取得了片内、片间均匀性和批间重复性都极为良好的结果.     

低压化学气相淀积(LPCVD)技术简介

最近几年LPCVD技术在国际上有很大发展,由于它具有成本低,产量大,均匀性好等优点,引起了人们普遍注意,国内近两年也有几个单位开展了这方面工作.我们介绍了一些这方面的探索性工作之后,有些读者来信,询问装置和技术上的一些问题,前     

低压化学气相淀积计算机模拟

讨论了一个二驱动模型,分析气体在淀积过程中的反应机理,将气体的淀积过程分为各向同性和各向异性的结合,在此基础上提出一个LPCVD二维淀积模型,模型考虑了中间产物的作用,将粘滞系数转换为各向同性和各向异性（Runi／Rd）的比值,这个模型在结构上比较简单,计算方便,因此能得到与实际较为符合的结构．通过C语言编程将模型变为程序,使用线算法使得程序较为简单,计算速度非常快。利用该软件在给定的工艺条件下模拟得到符合实验数据的结果.     

SiCl_4/SiH_4-NH_3体系的低压化学蒸汽淀积(LPCVD)氮化硅薄膜研究

<正> 氮化硅薄膜在大规模集成电路制造过程中占有一定的地位.目前国内一般是采用硅烧和氨做原料,用高频加热的方法来淀积氮化硅薄膜.这种高频常压法工艺产量低,耗电多,薄膜均匀性也比较差.从1977年以来,国外基本上普遍推广LPCVD新工艺代替了以往的常压工艺.     

免腐蚀法低压化学蒸汽淀积多晶硅工艺

近几年,国外发展了一种热壁低压化学蒸汽淀积(简称LPCVD)薄膜技术。由于在低压下,气体分子的输运过程加快,炉内硅片可以高密度直立装片,每炉装片量可达100～200片。提高了劳动效率,降低了成本,薄膜均匀性也很好(厚度偏差<±5％)。但该工艺有一个较为严重的缺点,所用的石英管内壁会出现裂纹,甚至断裂,这种现象是由于淀积在管内壁的硅和石英本身两者膨胀系数相差太大而引起的。这一工艺中所用的石英支架,也有类似的断裂现象。在石英管有裂纹漏气而未断裂时,对生产危害最大,往往会使得成批产品报废或质量下降。 为了解决石英管的破裂问题,美国应用材料公司制造的LPCVD多晶硅专用设备中,采用HCl气体在炉内及时腐蚀去除管壁上的多晶硅层,以防止石英管的破裂。而日本国际电气     

LPCVD淀积LTO工艺研究

集成电路集成度的提高,特别是等离子刻蚀工艺的广泛应用,对LPCVD淀积的二氧化硅薄膜的质量,提出了更高的要求。分析了LPCVD系统的气体弥散管和石英笼罩舟的结构及其对改善LTO膜均匀性的作用,研究了腔室压力和反应气体流量比对LTO薄膜均匀性的影响。     

硅化钨的低压化学气相淀积

近几年来,难熔金属硅化物的研究引起了人们的极大兴趣.随着集成电断向超大规模发展,器件的尺寸不断缩小,芯片的面积和电路的复杂程度持续上升,这就对集成电路制造中的材料和工艺技术有了新的要求.自二十世纪六十年代后期以来,一直是用金属铝和多晶硅作为集成电路的互连与栅极.     

LPCVD氮化硅淀积工艺铁离子沾污研究

采用表面光电压技术研究了低压化学气相淀积(LPCVD)法氮化硅淀积工艺的Fe离子沾污.研究表明,在氮化硅淀积工艺中,NH3和SiH2 Cl2气体是Fe离子沾污的主要来源.通过对氮气进一步纯化处理、提高NH3和SiH2 Cl2气体纯度和更换传输气体的金属管路等措施,氧化工艺Fe离子沾污减少了一个数量级.     

LPCVD淀积速率分布的解析表达式

通过引入轴向反应源转化率η(x)和径向反应源转化率η_f(ρ),分别导得了淀积速率在卧式反应器中沿轴向及径向分布的解析表达式.从中可以清楚地看出反应器几何参数以及工艺参数对淀积速率分布的影响.将其用于对多晶硅淀积的模拟,与实验结果相符很好.     

低压化学汽相淀积含氢氮化硼薄膜

本实验采用二硼烷(B_1H_6)和氨气(NH_(?)),在388～700℃下进行低压化学汽相淀积生成含有硼、氮、氢的膜(B_(1～3)NH),用于X光曝光掩模的基底.已测得膜的各种特性如淀积速率、电阻率、元素成份比、晶型、折射率、红外吸收光谱、应力变化、对光的透射率、化学不活泼性及等离子腐蚀速率等.     

化学汽相淀积(CVD)技术

一、引言 化学汽相淀积技术,人们又习惯地称为CVD技术。 早在上个世纪末,有人就做过汽相淀积高熔点金属及其它化合物的试验。一百多年来,随着整个科学技术的发展,CVD技术的发展也很快,到现在为止,几乎所有物质都可以采用CVD技术。 近来,在半导体工艺中,CVD技术已占有与其它单项工艺相同或更高的组合工艺的地位。其原因是由于半导体工艺特别是集成电路工艺已成为极其微型化的技术,微细控制的必要性日益增大,而CVD技术的良好的控制性正好是解决这些问题的最适当的方法,因此,CVD技术不仅在半导体工艺方面,而且在更广阔的领域受到了重视,自     

低压化学汽相淀积设备的设计研讨

LPCVD是用于固体器件工艺的新技术。在工艺试验的基础上设计、研制成一台ZLPCVD-01型低压化学汽相淀积设备。本文根据减压下薄膜生长的基理叙述了对该机的要求、工作原理、结构设计、技术性能以及一些工艺与试验成果。     

钨的热壁低压选择性化学气相淀积

超大规模集成电路需要低阻互连和低阻接触,为此我们研究了热壁低压选择性化学气相淀积钨的新工艺.该工艺能选择性地把钨淀积在接触窗口、栅及其互连线、源漏上而不淀积在周围的氧化层上.钨膜纯度高,电阻率低,与n~+、P~+单晶硅及n~+多晶硅接触电阻小.因此是超大规模集成电路较理想的新工艺和新材料.     

LPCVD系统淀积多晶硅薄膜的发雾分析

叙述了采用LPCVD系统淀积多晶硅薄膜的机理,分析了在淀积多晶硅薄膜过程中引起发雾的因素,指出了保持LPCVD系统的洁净能有效消除在淀积多晶硅薄膜过程中出现的发雾现象.     

低压化学气相淀积低应力氮化硅工艺研究

微机械加工(Micro-Electro Mechanical System,MEMS)工艺中常需要应用到低应力氮化硅作为结构层或钝化层材料,以降低圆片的翘曲.通过采用低压化学气相淀积工艺(Low Pressure Chemical-Vapor Deposition,LPCVD),优化工艺中反应气体流量比,可以得到应力低...     

纳米尺度金属蒸汽淀积

纳米尺度金属蒸汽淀积现在正用激光束提供能起有效透镜作用的光子力，在衬底淀积期间，把金属原子束聚焦成亚微米尺寸。美国国家标准技术研究院报导，他们已能在硅衬底上淀积５０ｕｒｎ线宽和空间分辨率为２１２ｕｒｎ的平行铬线。这种技术的出现为纳米尺度印刷提供了基础...     

化学汽相淀积(CVD)技术述评

CVD技术是当前最重要,最基本的半导体器件和集成电路制造技术之一。本文以介质膜的CVD为重点进行了概要的分析,其中包括对CVD介质膜的要求,CVD的反应机理及各种反应室的演变,CVD介质膜的杂质、应力及其覆盖能力。最后对导体材料的CVD作了简单的描述。