低压化学气相淀积工艺技术

低压化学气相淀积(LPCVD)设备主要为微电子机械系统(MEMS)在硅基片上淀积Si3N4、Poly-Si(多晶硅)、SiO2薄膜。承担形成微传感器和微执行器的抗蚀层、结构层和牺牲层的加工任务。是MEMS技术中的主要生产工序之一，也可以用于集成电路钝化膜制备。     

晶硅异质结太阳电池表面三层减反膜的设计与分析

晶硅异质结太阳电池表面的减反层是ITO薄膜,其低的紫外透过率、高的近红外光学损耗限制了电池效率的提升。为此,本文设计了三层减反膜来减小ITO薄膜的光学损耗。利用光学薄膜膜系设计软件TFCalc、光线追迹程序(OPAL 2)和太阳电池模拟软件PC1D对三层减反膜的光学性能和相应电池的电学性能进行了模拟和分析,并对折射率色散效应、晶硅表面形貌以及各膜层的厚度容差进行了讨论。结果表明:考虑折射率色散效应的三层减反膜比ITO薄膜的寄生吸收更小,减反射带宽更大;绒面硅表面减反膜比平面硅表面减反膜的加权平均光学损耗降低了2.43个百分点,相应电池的短路电流密度和转换效率分别提高了0.82 mA/cm²和0.34个百分点;减反膜中低折射率的SiO_x膜层具有更大的厚度容差范围。     

旋转激光淀积厚度均匀的超导薄膜

应用一光学变换传输系统，使得激光束通过该系统后可绕一定的半径旋转，旋转的激光束消融淀积大面积ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７超导薄膜。以其片中心处的超导薄膜厚度的９０％为均匀区域界限，激光旋转半径为０，３ｍｍ和９ｍｍ时，淀积的超导薄膜厚度均匀区域面积分别为０．１４ｃｍ＾２、０．８２ｃｍ＾２、６．７９ｃｍ＾２。     

单源溶液超声波雾化MOCVD法在Ag基体上制备YBCO膜

本报道了用单溶液超声波雾化ＭＯＣＶＤ工艺在金属Ａｇ基体上制备了ＹＢＣＯ超导膜的结果。将Ｙ（ＴＭＨＤ）３、Ｂａ（ＴＭＨＤ）２和Ｃｕ（ＴＭＨＤ）２按要求比例溶于四氢呋喃中，经超声波雾化，通过毛细管送入蒸发室，随即进入沉积室，在Ａｇ基体上沉积ＹＢＣＯ。该技术有效地简化了ＣＶＤ过程，提高了所制样品的再现性。ＸＲＤ分析表明，ＹＢＣＯ膜具有较好的ｃ－轴取和向单相性。     

PECVD技术制备多波段渐变减反膜

介绍了利用傅里叶变化法设计多波段渐变减反膜的原理和方法,研究了采用该方法设计多波段减反膜时Q函数的优选流程,给出了最优Q函数。设计优化得到了在350~5000nm波段范围平均透过率大于90%的多层渐变减反膜系结构,并采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术完成了样片的制备。实验结果表明,镀制的样片在350~5000nm波段范围的平均透过率为90.55%,满足光谱特性的要求。     

火焰水解淀积Si02膜的退火研究

本文采用火焰水解法在Si衬底上淀积了用于光波导下包层材料的SiO2膜，然后将其放入高温炉在空气中进行不同温度的退火处理。我们利用原子力量微镜（AFM）、X射线光电子能谱（XPS），X射线衍射仪（XRD）及可变入射角椭圆偏振仪（VASE）对SiO2膜进行了测试分析。当退火温度达到1400℃时，SiO2膜致密均匀，适合用作波导的下包层。     

双波段宽带减反膜的研究

根据电视/红外双色制导的要求,研制了锗酸盐基底上的双波段宽带减反膜。其膜系设计采用二氧化钛和二氧化硅分别作为高、低折射率膜料的13层膜堆,镀制的膜层满足环境稳定性标准。在0.56~0.75μm波长范围内,双面镀膜后的平均透过率大于98%,单面平均剩余反射率不超过0.5%;在3.6~4.8μm波长范围内,双面镀膜后的平均透过率至少可达到85%,单面平均剩余反射率不超过1.5%。     

紫外激光SiO2减反膜的制备

介绍溶胶－凝胶制备ＳｉＯ２减反膜的溶液配制，基片清洗和膜层制备过程，利用正硅酸乙酯的碱性催化水解，通过浸入移液法在石英透镜的表面涂敷一层多孔ＳｉＯ２减反膜，涂膜后石英透镜的透过率在３５０ｎｍ波长处达到９８．０％以上。     

近红外车载激光雷达高耐磨双层减反膜

工作波长为905 nm的激光雷达在汽车自动驾驶领域具有强大的应用前景,但工业常用的磁控溅射减反膜,作为其光学窗口表面涂层之一,存在耐磨性不足问题,难以适应恶劣户外环境。采用溶胶凝胶法结合高温固化工艺,为工作波长为905 nm的车载激光雷达减反膜提供高耐磨、低成本的解决方案,并研究了固化温度、盐酸浓度、络合剂存在且低酸浓度下的含水量对TiO2折射率的影响。从反射率、粗糙度、硬度、耐磨性等方面对采用不同底层固化方式的双层减反膜的光学性能和机械性能进行评估,结果表明：当入射光波长为905 nm时,薄膜表现出优良的减反性能,入射角为15°时反射率小于1%,入射角为60°时反射率小于5%,粗糙度最低为0.005μm,基本满足水平视角120°的激光雷达的光学需求。薄膜铅笔硬度达8H,最多能够承受8 000次往复摩擦且无明显损伤,具有优良的适应恶劣环境的能力。     

CONCEPTUAL DESIGN STUDIES OF AN 84 GHz, 500 kW, CW GYROTRON

The feasibility of an 84 GHz, 500 kW, CW gyrotron for ECRH on an experimental tokamak will be presented in this paper. Mode competition and mode selection procedures are carefully investigated by considering various candidate modes and the TE_10,4 mode is chosen as the operating mode. A conventional cylindrical cavity resonator with weak input and output tapers and parabolic roundings is considered for interaction studies. Self-consistent, both single mode and time-dependent, calculations are carried out and power and efficiencies are computed for a typical set of beam parameters. The results show that an output power of well over 500 kW, CW and efficiency around 40% can be reached without a depressed collector.     

双波长InGaN/GaN多量子阱发光二极管的光电特性

为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管,在（0001）蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的InGaN/GaN多量子阱发光二极管结构.通过对不同In组分含量的双波长发射发光二极管结构的光致发光和电致发光性能进行分析,结果表明In组分含量对双波长发射发光二极管的光致发光谱的稳定性及发光效率有重要影响.此外,用双蓝光发射的芯片来激发YAG:Ce荧光粉实现了高显色指数白光发射.     

TE011腔使用扁平样品管提高水溶液样品ESR波谱灵敏度的研究

实验表明,在TE₀₁₁模式园柱形腔中,不但可以使用扁平样品管测量水溶液样品的ESR波谱,而且获得好的腔品质因子Q和高品质的ESR信号。所观察到的信号高度,是使用最佳尺寸毛细管样品时最大信号高度的3.2倍;又是在具有波导尺寸的TE₁₀₂腔中使用扁平样品管时所获得信号高度的3倍。本文对此作了定性的理论分析。     

应用分子子图指数估计与预测烷烃核磁共振碳谱位移和

系统地研究了核磁共振碳谱(¹³C NMR)与化学位移规律及其定量构谱关系(QSSR).本文研究了一组多元素分子子图指数矢量(VMSG),并发现它与烷烃化学位移和(CCSA)有很好线性相关性.采用多元线性回归(MVLR)进行准确估计与预测,结果良好.     

利用双参变形自旋相干态计算量子代数SU(2)q,s的Clebsch-Gordan系数

利用量子代数SU(2)_q,s的双参数变形自旋相干态,通过引入量子代数SU(2)_q,s的不可约表示张量积空间的Bargmann表示,导出了这一表示中不可约表示基底、双参数变形自旋相干态以及算符的表达式.最后导出了量子代数SU(2)_q,s在双参数变形自旋相干态下的Clebsch－Gordan系数.     

The fundamental surface science of wurtzite gallium nitride

A review is presented that covers the experimental and theoretical literature relating to the preparation, electronic structure and chemical and physical properties of the surfaces of the wurtzite form of GaN. The discussion includes the adsorption of various chemical elements and of inorganic, organometallic and organic species. The focus is on work that contributes to a microscopic, atomistic understanding of GaN surfaces and interfaces, and the review concludes with an assessment of possible future directions.