InGaN合金中LO声子-等离子激元耦合模的研究

分别采用532,488 nm可见光和325 nm紫外光激发,对金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长的六方相InGaN/GaN薄膜样品在室温和78 K低温下的拉曼散射谱进行了研究。在可见光激发时,E₂模和A₁(LO)模的散射信号主要来自GaN层;采用紫外光激发时,A₁(LO)模向低频方向移动且共振增强,此散射信号来自InGaN层。在可见光激发的情况下,在A₁(LO)模的高频方向观察到一个宽峰,此宽峰为InGaN的LO声子-等离子激元耦合模,根据耦合模频率得到InGaN层中的电子浓度为n_ｅ＝1.61×1018 cm-3。紫外光激发时,没有观察到耦合模,A₁(LO)模散射信号主要来自样品表面耗尽层,由此估算样品中的耗尽层宽度大约在40 nm。此外,还对比分析了在室温和78 K低温下LO声子-等离子激元耦合模的散射强度的变化规律,计算了不同温度下等离子激元的屏蔽波矢。这些结论对于了解InGaN材料的基本性质以及氮化物光电器件的开发利用都有重要参考价值。     

两耦合半无限超晶格中的局域界面声子-极化激元

采用转移矩阵方法，研究了含结构缺陷层的两耦合半无限超晶格(GaAs/AlAs)中的局域界面声子-极化激元模性质. 研究发现，含不同介电特性的缺陷超晶格结构中的局域界面声子-极化激元模在剩余射线区［ω_TO, ω_LO］的分布情况与数量存在不同，而且反对称模表现出不同的特征. 文中着重研究了缺陷层介电常数与角频率无关的缺陷超晶格，发现该结构中的局域界面声子-极化激元模对组分层的排列顺序与厚度、缺陷层的厚度以及横向波数有着不同程度的依赖.     

共振拉曼效应和电子-声子耦合对线性多烯分子共振拉曼光谱的影响

线性多烯分子具有高强度且信息丰富的共振拉曼光谱,在生物学、光电材料和医学等方面都有一定应用.而含有共轭双键的短链β胡萝卜素分子是多烯分子中极具有代表性的分子.在激发光作用下π电子与CC键振动相互作用影响着吸收光谱和拉曼光谱,而共振拉曼效应和电子-声子耦合影响着共振拉曼光谱的强度、频率和线型.测量了β胡罗卜素分子在二氯乙...     

银-光子晶体-银结构中两Tamm等离子体极化激元的耦合

利用传输矩阵研究了银-光子晶体-银结构中两Tamm等离子体极化激元(TPPs)的耦合态。我们的数值结果表明当光子晶体的周期数n10时,存在两本征波长相同的非耦合Tamm等离子体极化激元(非耦合TPPs),当n≤10时,两非耦合Tamm等离子体极化激元发生耦合,劈裂成两本征波长不同的耦合Tamm等离子体极化激元。随着n的减小,两耦合Tamm等离子体极化激元(耦合TPPs)间的劈裂能量增大,当n=3时,劈裂能量达到287.5meV。从银-光子晶体-银结构中的实时电场分布可以得到:本征波长较长的耦合TPP由两非耦合TPPs对称耦合产生,而本征波长较短的耦合TPP由两非耦合TPPs反对称耦合产生。     

n-SiC拉曼散射光谱的温度特性

测量了采用离子注入法得到掺N的n-SiC晶体从100—450 K的拉曼光谱. 研究了SiC一级拉曼谱、电子拉曼散射谱及二级拉曼谱的温度效应. 实验结果表明,大部分SiC一级拉曼峰会随温度升高向低波数方向移动,但声学模红移(峰值位置向低频方向移动)的幅度较光学模小. 重掺杂4H-SiC的纵光学声子等离子体激元耦合(LOPC)模频率随温度升高表现出先蓝移(峰值位置向高频方向移动)后红移的变化趋势,表明LOPC模的温度特性不仅会受到非简谐效应的影响,还与实际已离化杂质浓度有关. 电子拉曼散射峰线宽随温度升高而增 关键词： 碳化硅 温度 纵光学声子等离子体激元耦合模 电子拉曼散射     

α相三氧化钼中各向异性双曲声子极化激元的耦合性质

天然双曲声子极化激元材料-α相三氧化钼(α-MoO₃)能够支持高度局域的表面声子极化激元(surface phonon polaritons, SPhPs),达到在中红外波段对光与物质相互作用的过程进行揭示以及调节的目的.我们理论上提出并研究了基于Kretschmann结构的单层和多层α-MoO₃的面内各向异性表面声子极化激元(ASPhPs).通过4×4传递矩阵法(TMM)快速准确地求解多层各向异性介质系统中的反射系数,描述多层系统中激发的SPhPs及色散性质.结果证实层间耦合可以通过多层膜的堆叠以及层厚来调制.当入射角度大于全内反射角时,满足SPhP激发的相位匹配条件.在40°角范围内, SPhP谐振随着入射角度的增加迅速蓝移,但是随后色散曲线不再随着入射角的增大而移动.间隙层的增大会还会致使法布里-珀罗(FP)共振模式的激发.层状异质结构中的ASPhPs是当今纳米光子技术的重要组成部分,我们的研究有助于进一步优化和设计基于极化双曲材料的可控光电器件.     

络合物形成对电子-声子耦合的影响

测量了室温(20℃)条件下极性溶剂1, 2-二氯乙烷-碘溶液中的β胡萝卜素 紫外-可见吸收光谱和拉曼光谱. 结果表明, 生成络合物的β胡萝卜素在460 nm处的紫外-可见吸收峰消失, 并在1000 nm处出现β胡萝卜素与碘形成络合物的吸收峰, 致使514.5 nm激光激发时察觉不到络合物中β胡萝卜素离子CC键的共振拉曼光谱.而溶液中没有形成络合物的β胡萝卜素CC键拉曼散射截面随络合物浓度增加而减小, 拉曼光谱线宽增加, π电子-声子耦合系数增加, 其机理是随络合物增加溶液混乱程度增加、β胡萝卜素分子结构有序性减小所致, 且可以用“相干弱阻尼电子-晶格振动”、“有效共轭长度”、“振幅模型”等理论给予解释. 关键词： 络合物 电子-声子耦合 共振拉曼光谱     

极性半导体超晶格中的等离激元与纵光学声子的耦合模

在无规相近似下,计入相邻量子阱间的电子隧穿效应,研究了极性半导体超晶格中的等离激元与纵光学声子的耦合,得到了它们耦合模的色散关系,并表明外磁场存在时,电子隧穿使体系出现了一支新的耦合模.     

ZnO纳米粒子光学模多声子拉曼光谱的尺寸限制效应研究

观察到近均一尺寸的ZnO纳米粒子LO模多声子拉曼频率不随尺寸变化而改变.这为一阶LO模拉曼谱不随尺寸变化的实验结果提供了进一步的证据.参照相关实验工作,本文对ZnO这种极性纳米粒子光学模拉曼谱随尺寸变化而不变的物理根源进行了理论计算和讨论,并认为长程库仑相互作用是其根源.     

Raman spectroscopy of Cu doping in Zn1−xCoxO diluted magnetic semiconductor

The room‐temperature ferromagnetism and the Raman spectroscopy of the Cu‐doped Zn_1−xCo_xO powders prepared by the sol–gel method are reported. The x‐ray diffraction (XRD) data confirmed that the wurtzite structure of ZnO is maintained for ZnO doped with Co below 10 at%. The magnetization–field curves measured at room temperature demonstrated that all Co‐doped ZnO powders were paramagnetic. Ferromagnetic ordering is observed for the samples doped with Cu in Zn_0.98Co_0.02O and strongly depends on the concentration of Cu. The relative strength of the second‐order LO peak to the first‐order one in the Raman spectra, which is related to the carrier concentration, of the Cu‐doped Zn_0.98Co_0.02O powder is strongly correlated with the saturation magnetic moment of the system. This seems to be in favor of the Ruderman‐Kittel‐Kasuya‐Yosida (RKKY) or double exchange mechanism of the ferromagnetism in this system. Copyright © 2009 John Wiley & Sons, Ltd.     

(Cu,Al)掺杂ZnO薄膜表面处缺陷的拉曼光谱研究

采用电感耦合等离子体增强物理气相沉积法制备了(Cu,Al)掺杂ZnO薄膜,超导量子干涉磁强计测试结果表明,薄膜具有室温的铁磁性。采用激光共聚焦拉曼(Raman)光谱研究了(Cu,Al)掺杂ZnO薄膜的表面特性,以两种处理方式对薄膜进行了Raman光谱测试:共聚焦模式从薄膜表面开始至不同深度处进行测试;对薄膜样品进行预处理加工,采用面扫描模式在薄膜平面对(Cu,Al)掺杂ZnO薄膜的斜面进行测试。分析了Raman光谱A₁(LO)峰的中心位置和强度变化,结果表明,界面处晶格应力和缺陷明显增强。这些晶格畸变和点缺陷的存在会对体系的铁磁性有促进作用。     

(Ga,Mn)As光调制反射光谱

室温下我们研究了稀磁半导体(Ga,Mn)As的光调制反射(PR)光谱,观测到来自样品的Franz-Keldysh振荡(FKO)信号。随着Mn原子浓度的增加,PR线形展宽,但是临界点E₀和E₀+Δ₀没有明显的移动。根据FKO振荡数据,计算得到样品表面电场强度随Mn原子掺杂浓度的增加而增强。测量到与Mn原子掺杂相关的杂质带,其能量位置离GaAs价带边~100 meV。根据样品的表面电场强度和表面耗尽层模型,估算样品的空穴浓度为~10¹⁷cm^-3,较低的空穴浓度可能与样品具有较低的居里温度有关,或测量的PR信号来自于样品中外延层的部分耗尽区域。     

The properties of GaMnN lms grown by metalorganic chemical vapour deposition using Raman spectroscopy

An investigation of room-temperature Raman scattering is carried out on ferromagnetic semiconductor GaMnN films grown by metalorganic chemical vapour deposition with different Mn content values. New bands around 300 and 669 cm^-1, that are not observed in undoped GaN, are found. They are assigned to disorder-activated mode and local vibration mode (LVM), respectively. After annealing, the intensity ratio between the LVM and E₂(high) mode, i.e., I_LVM=I_E2(high), increases. The LO phonon-plasmon coupled (LOPC) mode is found in GaMnN, and the frequency of the LOPC mode of GaMnN shifting toward higher side is observed with the increase in the Mn doping in GaN. The ferromagnetic character and the carrier density of our GaMnN sample are discussed.     

Vibration Spectra of Quasi-confined Optical Phonon Modes in an Asymmetric Wurtzite AlxGa1-xN/GaN/AlyGa1-yN Quantum Well

Based on the dielectric continuum model and Loudon's uniaxial crystal model,the properties of the quasiconfined (QC) optical phonon dispersions and the electron-QC phonons coupling functions in an asymmetric wurtzite quantum well (QW) are deduced via the method of electrostatic potential expanding.The present theoretical scheme can naturally reduce to the results in symmetric wurtzite QW once a set of symmetric structural parameters are chosen.Numerical calculations on an asymmetric A1N/GaN/Al0.15Ga0.85N wurtzite QW are performed.A detailed comparison with the symmetric wurtzite QW was also performed.The results show that the structural asymmetry of wurtzite QW changes greatly the dispersion frequencies and the electrostatic potential distributions of the QC optical phonon modes.     

Far Infrared Investigation of Plasmon-LO Phonon Coupling and Surface Polaritons Modes in Donor Doped Cd1-xHgxTe and CdTe Thin Layer on GaAs Substrate

Infrared Fourier transform spectroscopy has been used to investigate phonon and plasmon modes in Cd_1-xHg_xTe and CdTe thin layer on GaAs substrate. Attenuated total reflection (ATR) spectroscopy has been used to excite surface plasmon and phonon polaritons. The plasmon-LO phonon coupling modes in samples are studied by dispersion curve calculation for various carrier concentrations. There exist three branches of coupled modes in dispersion curve. For analysis of the far infrared polarized reflectivity spectra we employ the harmonic oscillator dielectiic function model and the Drude model for free carrier response. We find that the coupling modes dependent to the concentration of free carriers. Furthermore, the experimental data have been used to calculate carrier concentration, composition parameter, mobility of carrier, thickness of layer and gap energy.     

Raman spectroscopic study of ceramic Sr2Bi4Ti5O18

Raman spectra of ceramic Sr2Bi4Ti5O18 （SBTi5） are reported to consist of four different Raman bands. Temperature-dependent spectra reveal the relationship between the lattice vibration and the material＇s structure. There appears a relatively large change in structure of the material at about 273K, The anharmonic potential of the material has a great influence on its phonon mode full width at half maximum （FWHM）, which can be expressed by a function of temperature. Theoretical fittings of the FWHMs for the two modes at around 312 cm^-1 and 464cm^-1 indicate that the latter phonon mode is more anharmonic than the former one.     

Curie温度附近稀磁半导体(Ga,Mn)As的电学噪声谱性质

建立了自发噪声谱测量系统来研究稀磁半导体（Ga,Mn）As的电学噪声性质.通过测量（Ga,Mn）As材料的自发噪声谱,发现（Ga,Mn）As的自发涨落会随温度升高而逐渐增大,同时,外加磁场会降低（Ga,Mn）As的自发涨落,这来源于外加磁场导致的（Ga,Mn）As磁畴部分有序化.此外,不同频率的噪声随温度的变化规律有很大差异：当频率低于30 kHz的时候,噪声谱和温度的变化关系和热噪声很相似,但数值上明显大于热噪声的值;当频率在30 kHz左右的时候,噪声大小和温度成线性关系;当频率大于30 kHz以后,在相变点附近噪声大小和温度的关系出现了明显的转折,高频高温噪声的大小和热噪声的理论值非常接近.这些结果有助于深入理解（Ga,Mn）As磁性起源的物理机制. 关键词： 自旋电子学 稀磁半导体 自发涨落谱