自旋极化电子碰撞谱仪的研制进展

与电子自旋相关的效应在散射过程中起着十分重要的作用,但却常常被较强的库仑相互作用所淹没,使得以自然电子为探针的散射实验很难对其进行直接观测.以极化电子作为探针,研制极化电子碰撞谱仪,将为开展自旋相关效应的实验研究奠定基础.本文简述了极化电子与原子分子碰撞研究的意义,并介绍了清华大学物理系极化物理实验室自行开发的GaAs极化电子源及基于该极化电子源的碰撞谱仪的研制情况.     

自旋极化电子原子碰撞激发Stokes参量测量研究

本文简要回顾了自旋极化电子与原子碰撞激发过程Stokes参量测量的研究进展。介绍了Stokes参量测量的理论基础、实验装置及测量方法，通过对典型测量结果的描述，揭示了积分Stokes参量测量研究的物理意义。     

极化（e,2e）碰撞电离的研究进展

传统（ｅ，２ｅ）谱学已成为研究原子和分子电子结构和电离机制的强有力工具之一，本文首先简要回顾了迄今国内外传统（ｅ，２ｅ）谱学研究的历史和现状。然后，再重点介绍近几年开展极化（ｅ，２ｅ）碰撞电离研究的进展。     

极化(e,2e)碰撞电离的研究进展

传统（ｅ,２ｅ）谱学已成为研究原子和分子电子结构和电离机制的强有力工具之一,本文首先简要回顾了迄今国内外传统（ｅ,２ｅ）谱学研究的历史和现状。然后,再重点介绍近几年开展极化（ｅ,２ｅ）碰撞电离研究的进展。     

自旋极化电子原子散射的(e,eγ)符合实验研究

本文介绍了自旋极化电子原子散射的(e,eγ)符合实验的理论基础、实验装置和参数测量方法,描述了符合实验研究主要结果,说明了符合实验研究的物理意义。     

自旋极化电子原子碰撞激发Stokes参量测量研究

本文简要回顾了自旋极化电子与原子碰撞激发过程Stokes参量测量的研究进展。介绍了Stokes参量测量的理论基础、实验装置及测量方法,通过对典型测量结果的描述,揭示了积分Stokes参量测量研究的物理意义。     

自旋相关的电子隧穿和自旋极化

研究了电子的自旋相关的隧穿和极化。在外加磁场的作用下，自旋向上的电子与自旋向下的电子具有不同的隧穿系数。当电子的自旋方向与磁场方向相反时，其隧穿概率受到磁场的抑制而变小；反之，当两平行时，电子的了隧穿系数增大。这种差异可以用本中定义的自旋极化率来表示。本对不同磁场下的自旋极化率进行了计算，结果也表明当电子的动能较小，这种自旋极化的效应越显。     

极化电子在(e,2e)散射中的应用

介绍了用极化电子进行（ｅ,２ｅ）散射的意义及其当前国际上的进展,然后对正在研制的一台（ｅ,２ｅ）谱仪进行了介绍,包括其总体结构及关键部分的特色,其中着重讨论了一种光学极化仪．     

自旋极化电子原子散射的(e,eγ)符合实验研究

本文介绍了自旋极化电子原子散射的(e,eγ)符合实验的理论基础、实验装置和参数测量方法,描述了符合实验研究主要结果,说明了符合实验研究的物理意义。     

液晶相位可变延迟器在极化电子碰撞实验中的应用

液晶相位可变延迟器（liquid crystal variable retarders, LCVR）的快慢轴之间的相位差随两端所加的电压连续可调,通过调节电压可以实现对入射光偏振度、偏振方向的操控.文中第2,3部分介绍了LVCR在特定波长不同延迟相位的标定方法及标定结果,第4,5部分介绍了利用LVCR测量Stokes参数的原理及方法.     

自旋极化电子物理的进展和应用

本文较详细地介绍了自旋极化电子物理近年来的发展，特别是介绍在获得自旋极化电子源方面所取得的成就以及与其相关的物理效应，最后简要介绍自旋极化电子束在现代科学中的应用．     

自旋极化电子束及其应用

自旋极化电子束的获得,为自旋极化电子与原子碰撞符合实验研究奠定了基础,通过符合实验,已经能够获得电子原子碰撞的更多的信息,而且能够探测到碰撞过程中的自旋相关效应,并为分子结构及固体表面的研究提供了一种新的研究手段.     

自旋极化电子从铁磁金属注入半导体时自旋极化的计算

对自旋极化电子从铁磁金属通过绝缘层薄膜注入半导体时的自旋极化率与绝缘层厚度以及所加偏压的关系等作了计算.所得结果与最新实验结果相符，并发现偏压适中、绝缘层较厚时 有较大的电流自旋极化率，偏压很小时电流自旋极化率几乎为零. 关键词： 自旋极化电子注入 Slonczewski模型 隧道磁电阻 非零偏压     

磁性隧道结自旋极化电子的隧穿特性

铁磁金属间通过中间层的自旋极化电子隧穿产生的磁性耦合,在自旋电子器件中有许多潜在的应用.考虑由一平面磁性势垒层隔开的两铁磁性金属电极构成的磁性隧道结,针对中间层形成的矩形势垒,在近自由电子模型的基础上,计算零偏压下的隧穿电导、自旋极化率和隧穿磁阻比率,分析势垒层特性、分子场强弱、分子场相对取向等对隧道结自旋极化电子隧穿特性的影响.计算结果对自旋电子器件的设计具有一定的指导意义.     

Mott散射和电子极化术

文章回顾了Mott散射过程及其物理图像，介绍了Sherman函数的定义、计算和测量，简述了探测自旋极化电子的仪器——Mott电子极化仪的一般设计，列举了获得自由极化电子的几种方法和原理．     

纳米管中的自旋极化

结构缺陷、掺杂等可以导致纳米管的自旋极化,而自旋极化的纳米管可以利用载流子的自旋状态作为信息载体,实现一维的自旋电子传输.具有不同自旋极化结构的纳米管,根据其电子结构、自旋极化性质和输运性质的不同,可以用于实现不同用途的自旋电子器件.很多有关自旋极化的纳米管的理论和实验工作已经展开,然而其中仍有很多物理问题有待深入研究.     

纳米管中的自旋极化

结构缺陷、掺杂等可以导致纳米管的自旋极化，而自旋极化的纳米管可以利用载流子的自旋状态作为信息载体，实现一维的自旋电子传输。具有不同自旋极化结构的纳米管，根据其电子结构、自旋极化性质和输运性质的不同，可以用于实现不同用途的自旋电子器件。很多有关自旋极化的纳米管的理论和实验工作已经展开，然而其中仍有很多物理问题有待深入研究。     

磁台阶势垒结构中二维电子气的自旋极化输运

运用散射矩阵方法,研究了台阶磁势垒量子结构中二维电子气的隧穿输运性质.结果表明：在零偏压下,电子传输概率的自旋极化曲线随入射能量的增加而振荡衰减;随着磁台阶数的增加,电子传输概率的自旋极化度最大值减小,同时电子传输概率的自旋极化度振荡衰减也越来越慢;随着磁台阶的总宽度增加,电子传输概率的自旋极化曲线出现更明显的振荡,电子隧穿磁台阶势垒表现出明显的量子尺寸效应;在偏置电压的作用下,电子传输概率的自旋极化度在宽广的入射能量区出现明显的振荡增大,电子隧穿磁台阶势垒表现出更明显的自旋过滤效应. 关键词： 磁台阶势垒 自旋极化 自旋过滤     

铝团簇的电子自旋极化与核自旋-自旋偶合的理论研究

利用传统的密度泛函理论在B3LYP/6-31 G(d)水平上优化了铝簇(Aln ,Aln与Aln-,n=2~9)的几何结构,并利用偶合的微扰的密度泛函理论在B3LYP/6-311 G(3df)水平上计算了核自旋-自旋偶合常数.优化结果表明Aln(n=2~9)中的电子是自旋极化的,与早期的质谱实验一致.核自旋-自旋偶合常数的计算结果表明电子的自旋极化与原子核的自旋取向有密切关系.     

自旋极化核物质的状态方程

在Brueckner-Hartree-Fock理论框架内,研究了自旋极化核物质的状态方程及其自旋依赖性,计算了相关的物理量如朗道参数G₀和G′₀,并着重讨论了三体核力的影响.结果表明:在整个自旋极化度范围内,自旋极化核物质的每核子能量随中子和质子自旋极化度的变化相当精确地满足二次方规律,而且在Brueckner-Hartree-Fock理论框架内,自旋非极化核物质的能量总是比相应的自旋极化核物质的能量低,这表明核物质中不会发生由自旋非极化态向自旋极化态的自发相变.当密度较低时,三体核力对核物质状态方程的自旋依赖性的影响不明显;随着密度的增大,三体核力效应增强,而且三体核力使朗道参数G₀和G′₀增大,从而使核物质对于自旋涨落的稳定性增强