用PECVD制备掺氟氧化硅低介电常数薄膜

用ＰＥＣＶＤ淀积了低介电常数的掺氟氧化硅介质薄膜,ＳｉＦ４的流量达到６０ｓｃｃｍ时,薄膜的相对介电常数可以降低到３．２。对试样的ＦＴＩＲ分析表明,薄膜中大部分的氟以Ｓｉ－Ｆ键形式存在。Ｃ－Ｖ特性测试表明,薄膜介电常数随氟含量的增加而减小,但薄膜的吸水性随氟含量的增加而变大。并进一步讨论了介电常数和薄膜稳定性与薄膜中氟原子含量之间的内在联系。     

ULSI低介电常数材料制备中的CVD技术

综述了制备ULSI低介电常数材料的各种CVD技术。详细介绍了PCVD技术淀积含氟氧化硅薄膜、含氟无定型碳膜与聚酰亚胺类薄膜的工艺,简要介绍了APCVD技术淀积聚对二甲苯类有机薄膜及RTCVD技术淀积SiOF薄膜的工艺。     

超大规模集成电路中低介电常数薄膜的制备与检测技术

近年来,低介电常数材料在IC工业中日益受到人们广泛关注,为了降低信号传输延迟和串扰以及由于介电损失而导致的功耗增加,采用低介电常数材料做层间介质是必要的。本文介绍了有关低介电常数材料薄膜的制备方法和基本特性的检测技术。     

退火对Ge掺杂SiO2薄膜的影响

用等离子体增强化学气相淀积制备了Ge掺杂SiO2薄膜,并对薄膜进行了不同温度的退火处理。采用棱镜耦合仪、原子力显微镜和傅里叶变换红外光谱分析技术研究了不同退火温度对Ge掺杂SiO2薄膜性质的影响。通过1 100℃退火处理后,正的折射率变化量和负的体积变化量随着GeH4流量增加而增大,Ge-O-Ge键增多;而通过900℃退火处理后,折射率没有随着GeH4流量增加而增大;薄膜的表面粗糙度随着退火温度升高而降低。研究结果表明,SiO2薄膜中Ge掺杂过量,其折射率反常下降;通过1 100℃退火处理后,折射率随着GeH4流量增加而增大,折射率的增大主要是由于薄膜密实化和Ge-O-Ge键的形成。     

氢化非晶硅的红外光谱及氢释放的研究

用等离子体增强化学气相淀积（ Ｐ Ｅ Ｃ Ｖ Ｄ）制备了氢化非晶硅薄膜（ａ Ｓｉ∶ Ｈ）并进行了退火实验, 利用红外吸收光谱（ Ｉ Ｒ）和金相显微镜研究薄膜中的氢含量及退火前后的脱氢现象, 得出材料组成及热稳定性对衬底温度 Ｔｓ 和射频功率 Ｐｒｆ 的依赖关系。     

准分子激光化学反应淀积硫化物薄膜

提出了一种新的激光光化学三元反应体系，用于制备硫化铅薄膜。应用吸收光谱、扫描电镜和Ｘ射线光电子能谱等测试手段研究了膜的性质和组成，指出了该方法淀积硫化物薄膜的可行性。     

RF化学气相淀积金刚石薄膜

本文论述了金刚石薄膜的优点，比较了化学淀积金刚石薄膜的常用方法的优缺点，主要介绍了电容耦合射频化学气相淀积金刚石薄膜的原理和近期国际对典型电容耦合气相淀积设备的改进研究。     

PECVD法低温形成新型SiO_xN_y薄膜的界面特性研究

研究了等离子体增强化学气相淀积（PECVD）方法低温形成新型SIOxNy薄膜的界面特性。研究侧重于PECVDSiOxNy薄膜良好界面特性的控制，探索出界面特性与微观组份、衬底工作温度、反应室气压、退火致密、金属化后退火的相互关系。同时给出了获取界面等特性优良的PECVDSiOxNy薄膜的最优化工艺条件，并对实验结果进行了理论分析与讨论。     

黑色中性笔墨水的傅里叶变换红外光谱分析

黑色中性笔墨水主要由溶剂、色料、增稠剂、稳定剂和其他添加剂等组成,不同厂家或同厂家不同牌号中性笔墨水的成分不同,这为中性笔墨水的种类鉴别提供了依据.本文利用傅里叶交换红外光谱法(FT-IR),测定市面上常见的32种黑色中性笔墨水成分.根据红外特征谱图的峰位、峰数,峰形和峰强,可将不同生产厂家或牌号的黑色中性笔墨水区分开.该法具有快速、准确、灵敏度高、不破坏样品等特点.     

纳米硅薄膜的特点及其制备技术

作为一项新一半导体薄膜技术，阐明了纳米硅薄膜的若干重要特点；着重讨论了利用等离子体增强化学气相淀积技术制备纳米硅薄膜的试验参数选择。     

Synthesis and Characterization of SiCOF/a-C∶F Double-Layer Films with Low Dielectric Constant for Copper Interconnects

用等离子体化学气相淀积系统制备了一种新颖的SiCOF/a-C:F双层低介电常数介质薄膜,并用红外光谱表征了该薄膜的化学结构.通过测量介质的折射率发现该薄膜长时间暴露在空气中,其光频介电常数几乎不变.然而,随退火温度的增加,其光频介电常数则会减小.基于实验结果讨论了几种可能的机理.二次离子质谱分析表明在Al/a-C:F/Si结构中F和C很容易扩散到Al中,但在Al/SiCOF/a-C:F/Si结构中,则没有发现C的扩散,说明SiCOF充当了C扩散的阻挡层.分析还发现在SiCOF和a-C:F之间没有明显的界面层.     

铜互连中SiCOF/a-C:F双层低介电常数薄膜的制备和表征

用等离子体化学气相淀积系统制备了一种新颖的SiCOF/a-C:F双层低介电常数介质薄膜,并用红外光谱表征了该薄膜的化学结构.通过测量介质的折射率发现该薄膜长时间暴露在空气中,其光频介电常数几乎不变.然而,随退火温度的增加,其光频介电常数则会减小.基于实验结果讨论了几种可能的机理.二次离子质谱分析表明在Al/a-C:F/Si结构中F和C很容易扩散到Al中,但在Al/SiCOF/a-C:F/Si结构中,则没有发现C的扩散,说明SiCOF充当了C扩散的阻挡层.分析还发现在SiCOF和a-C:F之间没有明显的界面层.     

低介电常数封接玻璃的研制

在传统的硼硅酸盐封接玻璃的基础上通过引入不同的氧化物设计了3组玻璃配方,研究了硼硅酸盐玻璃的组成和介电常数以及润湿性能之间的关系.然后在优选的组分中加入适当的成孔剂,通过一定的制备工艺,制得具有适量的闭孔结构的多孔玻璃,并测定了其介电性能和封接特性等.研究结果表明,适当增加硼硅酸盐玻璃中的SiO2和Al2O3,同时加入适当的成孔剂,可以较好地兼顾玻璃的介电性能,同时使玻璃满足工业生产对其封接性能的要求.     

氧退火对钛酸锶钡薄膜介电常数的影响

采用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺,在SiO2/Si衬底上淀积钛酸锶钡 (Ba1-xSrxTiO3)薄膜,研究在氧气氛中不同温度和时间的退火对薄膜的介电常数的影响。实验结果表明,在退火温度为600℃时,随着氧退火时间的增加,钛酸锶钡薄膜的相对介电常数减小;而在退火时间为30 min时,随着退火温度的增加,钛酸锶钡薄膜的相对介电常数增加。微观结构分析和极化理论解释了这一现象。     

低温烧结低介硅灰石瓷料的研制

通过对实验试样的差热分析及XRD分析,得知烧结过程中液相的存在可促使氧化钙与氧化硅形成硅灰石相。硅灰石瓷配方中SiO2过量(w≤10%)及粘土的w≤10%时能有效地降低烧成温度(1 170 ~1 230℃)。研制瓷料介电性能:er = 7.0~9.0,tgd =(1.0~5.0)104,rv≥(2.0~5.0)1013Ω·cm,aε为(0±30)106℃1。     

低应力PECVD氮化硅薄膜的制备

研究了等离子增强化学气相淀积(PECVD)工艺中射频条件(功率和频率)对氮化硅薄膜应力的影响.对于不同射频条件下薄膜的测试结果表明:低频(LF)时氮化硅薄膜处于压应力,高频(HF)时处于张应力,且相同功率时低频的沉积速率和应力分别为高频时的两倍左右;在此基础上采用不同高低频时间比的混频工艺实现了对氮化硅薄膜应力的调控,且在高低频时间比为5:1时获得了应力仅为10 MVa的极低应力氮化硅薄膜.     

一种微波介质谐振器复介电常数测试方法

介绍了一种简单的微波介质谐振腔的设计及性能参数的计算方法，给出了相对介电常数ε1、介质损耗tan δ的详细求解方程，为微波介质陶瓷性能参数的测量提供了一种简单而有效的方法。     

BSZN微波介质陶瓷介电常数的异常

研究了(Ba1-xSrx)(Zn1/3Nb2/3)O3(BSZN)微波介质陶瓷介电常数的非线性变化以及异常的原因。随着系统中Sr(1/3Nb2/3)O3的增多,介电常数的异常是由于氧八面体的畸变导致的相转变(对称性降低)及第二相的生成造成的。未发生相转变前,介电常数的增大可用电介质理论加以解释;发生相转变后,介电常数呈线性下降趋势,符合对数混合定律。     

PECVD法制备低介电常数含氟碳膜研究

采用PECVD法制备了低介电常数薄膜a-C：F，研究了薄膜沉积速率与温度及射频功率的关系，测量了不同沉积条件下薄膜的介电常数，并用FTIR分析了薄膜的化学结构及成分，发现薄膜沉积速率与沉积条件密切相关，其介电性与其化学结构以及沉积条件密切相关。     

介电常数的概念研究

在设计电路、天线、电容器等过程中经常会涉及所用材料的介电常数,所以深入了解介电常数的相关概念对实际工作有重要意义。首先介绍了介质和导体、半导体的区别,然后解释了介电常数的基本概念,并给出相对介电常数的另一种导出定义。介质极化的微观模型这一部分讲清楚了4种不同的极化。最后介绍介电常数的一些宏观特性,得出电介质介电常数将会影响电介质中电场强度的结论。