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在较宽的温度(4.2-80K)和磁场(0-8T)范围内测量了YBa_2Cu_3O_(7-δ)和Y_(0.9)Eu_(0.1)Ba_2·Cu_3O_(7-δ)样品的磁滞回线和磁弛豫,研究了其M(t),J_c(T)和U_(ef_f)(J)关系,并与现有的一些理论模型所预言的结果进行了比较。结果表明:(1)与YBa_2Cu_3O_(7-δ)相比,Y_(0.9)Eu_(0.1)·Ba_2Cu_3O_(7-δ)样品的有效钉扎势和无磁通蠕动时的临界电流密度有明显提高,表明Eu的部分替代引入了新的、具有更大的钉扎势的钉扎中心;(2)与其它模型相比,集体钉扎——蠕动理论对我们的实验结果作了更好的描述,因而本文为这一理论提供了新的实验证据。 相似文献
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研究了Gd_(1-x)Ca_xBa_2Cu_3O_(7-y)(0.0≤X≤0.20)高温超导体在常压和高压下的超导电性在1-300K温度范围内,利用Bridgman对顶砧获得压力达9.0GPa,测量了(X=0.10,0.15,0.20)样品的dT_c/dp分别为7.68,7.8和4.46K/GPa。发现T_c的压力导数随着ca ̄(2+)含量的增加而下降,分析了氧含量对T_c和dT_c/dP的影响.利用常压下晶格参数精修值和阳离子与氧离子间距随压力的改变,说明CuO_2面在超导电性上的作用,用CuO_2面之间耦合解释T_c(P)曲线的非线性关系。 相似文献
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对[μ-CF_3CO_2)_2Ln(μ-CF_3HCO_2)Al(i-Bu)_2·THFl_2(Ln=Nd,Y)配合物单晶结构的X-射线分析指出,配合物具有中心对称性,配位中心由两个稀土和两个Al离子组成,稀土由两个THF和6个TFA分子配位形成畸变的三盖三棱柱结构,Al由两个TFAG和两个i-Bu配位形成四面体结构。桥连Al与两个稀土的TFA分子的羧基发生歧化加氢,其碳原子由SP ̄2型转变为SP ̄3型.NMR研究表明,在THF溶液中,该配合物保持了它在单晶中的配位结构,所不同的是两个i-Bu在溶液中有两种异构形成,二者间为慢交换过程。 相似文献
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本文用第一原理的LDF-LMTO-ASA方法,以超元胞Ba4Bi4O(12),(Ba3K)Bi4O(12),(BaK)Bi2O6,(BaK3)Bi4O(12),K2Bi2O6五种“样本”计算由于Bi(+3)和Bi(+5)二种价态以及K掺杂引起各芯态能级化学位移的变化.“样本”的电子结构与实验相符,即Ba4Bi4O(12)是Eg=2.0eV的半导体,(Ba3K)Bi4O12是Eg=1.6eV其价带顶有少量空穴的半导体.其余“样本”是金属.芯态的LDF本征值经原子模型△SCF修正更接近实验值.用正态分布表达各芯态能级除化学位移外各种“环境因子”的影响,结合任意组份五种“样本”的伯努利分布,计算芯态电子能谱随x的变化.结果表明,所有芯态的自旋一轨道分裂与实验完全相符,Bi(+3)和Bi(+5)二种价态引起各芯态化学位移的变化均小于0.2eV,K掺杂使各芯态结合能略有增加,其中Bi(4f),Ba(5d)约1.3~1.5eV,其他芯态约0.4eV,以上计算结果与实验基本一致. 相似文献
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用标准固相反应法,我们制备了Bi1.6Pb0.4Sr2Ca2Cu3Oy和Bi2CaCu2Oy纯相样品,在液氮温度下测量了Cu-NQR和B-NQR静态谱,发现NQR谱都为大宽包,Cu-NQR谱线位置反映铜原子所处的氧环境,Bi2Sr2Cu2Oy的NQR谱宽反映其调制结构,Bi1.6Pb0.4Sr2Ca2Cu3OyNQR谱宽取决于其掺杂浓度。由于电场梯度弥散很大,Bi-NQR谱很难观察。 相似文献
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用第一原理的LDFLMTOASA超元胞法,模拟由X射线吸收谱精细结构测定的BaBiO3中,Bi有两种价态Bi3+和Bi5+及与之相应的两种不同键长的Bi—O八面体,以及K掺杂对晶体结构的影响.计算了Ba4Bi4O12,(Ba3K)Bi4O12,(BaK)Bi2O6,(BaK3)Bi4O12,K2Bi2O6(简记为(404),(314),(112),(134),(022))五种“样本”的电子结构.结果表明,(404)和(314)分别为Eg=16eV及Eg=15eV的半导体,其它“样本”为金属.总能的分析表明(134)是不稳定的,故溶解极限为x=05.以“取样”方式按伯努利分布确定任意组分各“样本”的概率,进而计算了(Ba1-xKx)BiO3电子结构随组分的变化.最后用逾渗模型说明了超导转变温度Tc在x=0.25附近的突变 相似文献
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本用第一原理的LDF-LMTO-ASA方法,以超元胞Ba4Bi4O12,(Ba3K)BiO12,(BaK)Bi2O6,(BaK3)Bi4O12,K2Bi2O6五种“样本”计算由于Bi^+3和Bi^+5二种价态以及K掺杂引起各芯态能级化学位移的变化,“样本”的电子结构与实验相符,即Ba4Bi4O12是g=-2.0eV的半导体,(Ba3K)Bi4O12j Eg=1.6eV其价带顶有不量空穴的半导体, 相似文献
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应用深能级瞬态谱(DLTs)技术详细研究低压-金属有机物汽相外延(LP-MOVPE)生长的Ga_(0.47)In_(0.53)As/Inp量子阱、宽接触和质子轰击条形异质结激光器中的深能级。样品的DLTS表明,在宽接触激光器的i-Ga_(0.47)In_(0.53)As有源层里观察到H1(E_v+0.09eV)和E1(E_c-0.35eV)陷阱,它们可能分别与样品生长过程中扩散到i-Ga_(0.47)In_(0.53)As有源层的Zn和材料本身的原生缺陷有关。而条形激光器的i-Ga_(0.47)In_(0.53)As有源层的H2(E_v+0.11eV)和E2(E_v-0.42eV)陷阱则可能是H1和E1与质子轰击引起的损伤相互作用的产物。 相似文献
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采用Sol-Gel方法首次在比较低的温度下制备了具有氧磷灰石结构的发光体Mg2Y8-x-y(SiO4)6O2:Eu,Bi(x,y≥0),利用XRD、IR、TG-DTA三种手段研究了发光体的形成过程。室温(293K)和液氮温度(77K)的荧光光谱表明Eu3+和Bi3+在这种基质中分别发射红光和蓝光,每mol基质中其最佳掺杂浓度分别为0.14mol和0.03mol,并且其发光都存在温度猝灭。Eu3+的激光感生荧光光谱中存在两条5D0-7F0跃迁线,表明Eu3+同时进入4f格位和6h格位。在Eu3+、Bi3+共掺杂的发光体中,观察到了Bi3+→E3+的部分能量传递。 相似文献
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应用 ̄1HNMR技术推定了新合成的二(3-取代X基-2,4-戊二酮).N-甲基乙二胺合钴(Ⅲ)配合物:[Co(Xacac)_2(Me-en)]ClO_4(X=CH_3、Cl、NO_2)的Δ(R)∧(S)和Δ(S)∧(R)异构体的空间构型,测定了各配合物异构体手性配位氮原子上的重氢化速率常数k_D值(34.0℃).结果表明,取代基X对k_D值有着显著影响。 相似文献
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采用不同的母体材料,在分别淬火的非晶中间相基础上合成了Bi1.7Pb0.3Sr2Ca2Cu3Oy高Tc超导陶瓷,报道了这些材料的制备、X射线衍射及电阻率结果。我们用共生长和结构中离子成分的变化对结果进行了讨论。通过对材料结构和性质的分析得出SrCaCuO3是最适合2212成相的母体。而SrCuO2是产生2223相的最好母体,在40K零场中推断的颗粒内临界电流密度Jc达10^6A/cm^2。 相似文献
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在活塞圆筒式P~V关系测量装置上,研究了KH_2PO_4(KDP)和(CH_3NHCH_2CO-OH)_3CaCI_2[Tris-sarcosinecalciumchloride(TSCC)]在室温下、4.5GPa内的p~V关系。实验结果表明:KDP在2.1GPa左右有一个相变;TSCC在0.8GPa和3.2GPa左右各有一个相变。本工作还给出了它们在相变前后的状态方程,以及它们的格临爱森参数γO、体积模量B_o和B_o的压力导数B_o。 相似文献
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