强束流离子注入形成SOI结构时的温升效应的计算

本文考虑了瞬态的热传导过程,用有限差分方法计算了恒流、脉冲、扫描三种离子注入形成SOI结构时的温升效应。计算结果表明,当能量大于150keV和注入剂量率超过1×10~(15)/cm~2·s时,对于一般的散热系统来说(传热系数H≈2×10~(-2)W/cm~2K),温升效应将是严重的。恒流、脉冲、扫描三种注入方式比较起来,以扫描注入的温升和温度波动为最严重,恒流注入为最低。目前,在低束流情况下,大多采用热靶(400—700℃)来制造 SIMOX或SIMNI材料,本文的计算结果指出,当剂量率超过8×10~(14)/cm~2·s时,晶片温度将超过1000K(H取2×10~(-2)W/cm~2K),这时将没有必要再用热靶,用室温靶就能满足温度要求。本文给出的理论计算方法对其它材料(如金属、陶瓷等)仍可应用。     

中束流高能离子注入机Extrion500

这种由美国Varian公司研制的Extrion 500注入机能量高达750keV,打破了原来中束流离子注入能量不超过200keV的界限。这种机器可用作高能离子注入,能满足更多的工艺需求,是一种提高下一代设备投资效率的新途径。     

离子注入机的国内外现状

本文简要介绍了离子注入和器件的关系,概述了离子注入机的发展现状和趋势,初步探讨了我国离子注入机不能形成产业的原因。     

高能离子注入技术的应用

1 前言 最近,利用MeV级高能离子注入直接向半导体衬底的深部掺杂的技术已经在实际中应用。在提高注入的均匀性和缩短热处理周期方面都超过了以往离子注入的水平,为器件的制作带来了新的手段。高能离子注入在LSI工艺的以下几个方面开始获得应用:注入剂量为     

MeV离子注入及其应用

回顾MeV离子注入的发展,可分为三个时期: 1.60年代 (1)首先是核物理学家将~3He离子注入Al[1],而固体物理学家将He离子注入不同半导体研制二极管[2];(2)接着Roosild(1968)[3]和Davies(1969)[4]研究了MeV注入Si的射程分布和电特性,以及Schwuttke及其合作者[5]对MeV注入Si的损伤和退火作了仔细的     

硅中离子注入硼的异常扩散

本工作用不同的Si~+预注入能量,改变注入损伤分布与离子注入硼杂质分布的相对位置,观察快速热退火中注入损伤对硼异常扩散的影响.结果表明,引起注入硼异常扩散的是点缺陷,而不是硼间隙原子的快扩散.而注入损伤中的点缺陷和簇团分解释放的点缺陷是驱动硼异常扩散的因素之一.如果注入损伤形成了扩展缺陷,那么扩展缺陷重构和分解将发射点缺陷,这是驱动硼异常扩散的另一个因素.     

双电荷离子注入技术

一、概述离子注入技术作为半导体集成电路制作工艺中的新型掺杂技术，具有均匀性好、重复往高、分布随意、掺杂精度准确等优点，已被广泛地运用于集成电路制作工艺中。特别是当今集成电路向着大规模、小尺寸方向的迅速发展，更加突出了离子注入技术在电路制作过程中的重要作用。与此同时，离子注入技术自身也在此过程中经历着不断的发展，离子注入技术的各种新应用层出不穷。特别是高能离子束、聚焦离子束技术在集成电路领域的运用已是日趋成熟。国内由于受注入设备局限，这些方面的工作开展较少。我们基于工艺发展需要并结合我们已有的中能…     

变频器的温升及其试验方法探讨

变频器越来越广泛在电机系统节能和提高工艺起到重要作用,变频器的工作环境以及散热问题,对变频器的可靠性的影响是非常大的。本文分析了变频器发热的主要原因,并重点介绍了变频器的温升重点部位及试验方法,以利于变频器用户掌握了解变频器温升及温升试验。     

显像管及投影管用偏转线圈温升问题的探讨

本文主要对目前频繁出现的偏转线圈温升问题进行了探讨，在分析了引起温升大小的各种因素的基础上，对其改善方法进行了较为详尽的叙述。     

离子注入有机聚合物

本文综述了聚合物在离子注入下对结构、化学、光学、电学等性质的影响,并评估了其潜在用途。     

离子注入在Power MosFET中的应用

本文结合笔者的科研,论述了离子注入在Power MOS FET制作中的应用,并指出:由于离子注入较之扩散具有一系列优点,因此,离子注入不仅在制作Power MOS FET中作用巨大,而且在其他功率器件中的应用也将越来越广泛。     

强流离子注入均匀性控制

本文讨论了强流离子注入机的全机械扫描靶室中实现剂量高均匀性和高重复性注入的变速扫描设计原理及控制技术。     

Si离子注入和退火温度对GaN黄光的影响

对光致发光谱中无黄光和有强黄光的两组GaN样品作了Si离子注入 ,研究了Si离子注入及退火温度对其黄光的影响 .当退火温度升高时 ,不管是哪一组样品 ,其黄光强度和黄光强度与带边发光带强度之比都是增强的 .无黄光的GaN样品在注入Si离子并经退火后出现明显的黄光 ;而有强黄光的GaN样品经相同处理后 ,其黄光强度较原生样品大大降低 .实验结果表明离子注入加上适当退火会在GaN中引入与黄光有关的深受主缺陷从而使黄光强度增加 ,此外 ,在离子注入过程中GaN表面不仅可以吸附离子注入引入的点缺陷 ,而且还能够吸附GaN中原有的与黄光有关的点缺陷 ,这种吸附作用随离子注入剂量增加而变强 .     

提高金属材料离子注入效益的一条新途径

本文评述了在金属材料领域中应用离子注入技术的现状;阐明了提高离子注入效益的一条新途径:不仅以离子注入技术改变工模具的性能,延长其使用寿命,而且以离子注入技术来显著提高金属产品的质量。文末还对进一步发展离子注入的前景做了展望。     

离子注入R－PVC材料静电性能研究

采用１５０ｋｅＶ不同注入济量的Ａｒ－离子，对特种聚氯乙烯（Ｒ－ＰＶＣ）材料注入，进行抗静电改性，使材料表面静电特性得到显著改变。对比实验和近九年的静电性能跟踪测试表明：在相同条件下，改性材料与未改性材料相比，表面电阻率下降四个数量级以上，静电半衰期由数小时减小到秒量级，抗静电性能稳定。与化学改性工艺相比，离子束改性材料不怕水洗，不怕高温，受环境湿度影响小，抗静电性能具有永久性。     

硅中硼离子注入校准样品的研制

本文主要介绍了硅中硼离子注入校准样品的制备与研究。分别用三台SIMS仪器对样品进行了深度剖析与比对,并对用作校准目的的样品主要参数进行了定值。     

GaAs器件的离子注入新技术研究

本文介绍了离子注入技术中双偏角注入,大偏角注入和双向双偏注入等新工艺与使用效果。同时,阐析了BF~+对Si~+注入的沾污,以及以上研究在研制高水平GaAs器件中的关键作用。     

离子注入对轴承材料耐滚动磨损性能的影响

本文小结了用Cr+Mo+N和Cr+Mo+B的离子直接注入GCr15和Cr4Mo4V两种轴承材料后对其耐滚动磨损能力的影响。试验结果表明,无论是用活化法(TLA)还是称重法,注入后的耐磨性能都有1—3倍的提高。     

离子注入模型

本文结合我们的科研工作,阐述了半导体器件工艺模拟中的离子注入模型,并指出,由于离子注入具有能精确控制工艺参数,并能在较大面积上形成薄而均匀的掺杂层等特点,因此在工艺模拟中选用合适的离子注入模型对于提高工艺模拟的精确性是十分重要的。