夫兰克-赫兹实验中影响板极电流因素浅析

通过公式与绘图比对实验测得的数据,研究电子与氩原子的夫兰克-赫兹实验中不同阴极电压、第一栅极电压、反向电压下,板极电流随加速电压的变化情况。分析板极电流发生变化的规律及原因,观察测得数据及其绘制的夫兰克-赫兹曲线找出对实验研究负向影响最小的阴极电压、第一栅极电压、反向电压的参考数值。     

高真空热电子发射实验研究

在真空环境下,研究了阳极电压和阴极电压对金属热发射电流强弱的影响。实验结果表明,提高阳极电压和阴极电压有利于电子从阴极逸出,使发射电流得到增强,此外,提高阳极电压能够降低阴极临界电压,增大发射电流,为提高热电子发射效率提供了实验基础和理论依据。     

伪火花放电开关电压跌落过程实验研究

 设计了典型参数下的伪火花放电开关，进行了空气介质下的电压特性实验，给出了伪火花开关放电电压与气压变化的关系曲线；测量了产生伪火花放电的气压范围（1~29Pa）和单间隙伪火花放电开关耐受电压的最大值(40kV)，测得了伪火花放电与辉光放电的转折点气压(29Pa)，并对实验结果进行了理论分析。研究了伪火花放电开关电压跌落时间与放电电压的关系，首次将开关电压跌落过程分为暂态阶段和稳态阶段，讨论了放电电路参数，气体压力，开关结构和放电电压对电压跌落时间的影响。实验表明，在气压和开关结构不变的条件下，暂态过程时间由放电电压决定，电压越高，则所需时间就越短；稳态过程时间由放电电路参数决定，不受放电电压影响。     

纳秒脉冲电压下气体开关的击穿特性

采用快速Marx发生器产生ns量级的高电压脉冲,分别开展了不同脉冲电压值下气体开关自击穿实验,获得了气体开关在不同气压下的击穿电压和击穿延迟时间以及抖动。详细介绍了纳秒脉冲电压作用下,气体火花开关击穿电压和击穿延迟时间随工作气压变化的特点,指出了气体开关在不同场合应用时的要求。     

伪火花放电开关电压跌落过程实验研究

设计了典型参数下的伪火花放电开关,进行了空气介质下的电压特性实验,给出了伪火花开关放电电压与气压变化的关系曲线;测量了产生伪火花放电的气压范围（1~29Pa）和单间隙伪火花放电开关耐受电压的最大值(40kV),测得了伪火花放电与辉光放电的转折点气压(29Pa),并对实验结果进行了理论分析。研究了伪火花放电开关电压跌落时间与放电电压的关系,首次将开关电压跌落过程分为暂态阶段和稳态阶段,讨论了放电电路参数,气体压力,开关结构和放电电压对电压跌落时间的影响。实验表明,在气压和开关结构不变的条件下,暂态过程时间由放电电压决定,电压越高,则所需时间就越短;稳态过程时间由放电电路参数决定,不受放电电压影响。     

降压变压器的变压作用

在远距离输电的电路中,降压变压器和用电器整体的等效电阻比用电器的电阻大,降压变压器一定在减小输电线路电压损失的同时升高了输电线路末端电压;由于输电线路末端电压被升高,接入降压变压器之后的用电器电压比接入降压变压器之前的用电器电压可能低,也可能高.     

纳秒脉冲电压下气体开关的击穿特性

 采用快速Marx发生器产生ns量级的高电压脉冲,分别开展了不同脉冲电压值下气体开关自击穿实验,获得了气体开关在不同气压下的击穿电压和击穿延迟时间以及抖动。详细介绍了纳秒脉冲电压作用下,气体火花开关击穿电压和击穿延迟时间随工作气压变化的特点,指出了气体开关在不同场合应用时的要求。     

光纤电压传感器温度特性的研究

以半波电压较高的石英晶体为敏感材料,分析了光纤电压传感器全量程的温度特性,发现其与传感器所测电压值要关;随着待测电压的从小往大增加,其输出温度变化的灵敏度逐渐由小变大。为了实现电压传感器全量程的温度补偿,必须获取两个关键的参数：一为电压传感器在无外加电压作用下的温度输出响应参数;二是敏感材料在电压作用下的温度应参数。     

扫描电压仪设计

本文介绍了一种输出电压随时间线性递增的扫描电压仪，其输出电压幅度和扫描周期可在一定范围内调节。     

再论交流电压真有效值的测量

一、引言《物理实验》1989年第6期刊发了拙文“浅谈交流电压真有效值的测最”。对于交流电压、电流真有效值(True rms)的测量,近二十多年来一直是电测领域内引人注目的研究课题。此次再论,似乎是老调重弹,其实不然。     

脉冲变压器锥形高压绕组电压分布实验研究

 对脉冲变压器锥形高压绕组进行了脉宽为1 μs,500 ns及100 ns三种不同脉宽的单脉冲实验,研究了不同输入条件下绕组中的电压分布特性,比较了空心、加内铁芯和加内外铁芯三种不同结构绕组中的对地电压及匝间电压的分布曲线。实验结果表明：在高频冲击电压条件下,脉冲变压器锥形高压绕组中的电压呈现非线性分布且存在明显的振荡过程,导致绕组首端的电压梯度增大,伴随脉宽减小电压波形发生明显畸变,冲击电压以波的形式在绕组中传播,从而引起匝间电压按照正弦规律起伏变化,匝间电压的极值通常出现在绕组首末端,加入铁芯有助于抑制电压谐振但同时增大了匝间电压。     

One-dimensional single and multipulse simulations of the ON/OFFvoltages and the bistable margin for He, Xe, and He/Xe filled plasmadisplay pixels

A one-dimensional plasma model developed for AC plasma display pixels is used to perform multipulse and single-pulse simulations to model the maximum sustain voltages, the minimum sustain voltages, and the voltage margins for 100% helium, 100% xenon, and for 2% xenon in helium and a 400 torr pressure (p) and a gap (L) of 100 μm. The multipulse simulations describe the growth in wall voltage at the so-called ON voltage and the decay in wall voltage at the so-called OFF voltage. For square wave forms, the ON voltage is the voltage at which a pixel attains to a stable operation in which a discharge occurs in each succeeding pulse and the wall voltage equal to the applied voltage. The OFF voltage is the voltage at which a pixel that is ON goes off and no further discharges occur. Experimental data for helium show the hysteresis in the discharge current observed when the voltage is increased to turn ON pixels and then reduced to turn OFF-pixels in a panel. Simulations which match the helium data are also shown. The difference between the ON and OFF voltages defines the bistable margin. For the helium-xenon Penning mixture, the ON and OFF voltages determined by multipulse simulations are almost identical to the values obtained from the wall voltage transfer curve method. In the helium-xenon Penning mixture, the ionization rate for xenon ground state increases dramatically compared to its ionization rate in pure xenon due to the modification in the electron velocity distribution function in the mixture. This feature provides enhanced volumetric ionization in the discharge and hence a rapid growth rate of the wall voltage which is desirable for a sharp transition from OFF to ON in a pixel     

脉冲变压器锥形高压绕组电压分布实验研究

对脉冲变压器锥形高压绕组进行了脉宽为1 μs,500 ns及100 ns三种不同脉宽的单脉冲实验,研究了不同输入条件下绕组中的电压分布特性,比较了空心、加内铁芯和加内外铁芯三种不同结构绕组中的对地电压及匝间电压的分布曲线。实验结果表明：在高频冲击电压条件下,脉冲变压器锥形高压绕组中的电压呈现非线性分布且存在明显的振荡过程,导致绕组首端的电压梯度增大,伴随脉宽减小电压波形发生明显畸变,冲击电压以波的形式在绕组中传播,从而引起匝间电压按照正弦规律起伏变化,匝间电压的极值通常出现在绕组首末端,加入铁芯有助于抑制电压谐振但同时增大了匝间电压。     

形成电压对直流电致发光(DCEL)器件在交流(AC)条件下亮度和寿命的影响

实验结果表明,不同形成电压的样品的起始亮度和工作寿命按高低的排列顺序随工作电压的增加表现出有规律的变化。还发现形成电压不问的DCEL器件在AC条件下的发光特性随工作电压的提高逐渐趋向一致,形成电压的影响逐渐消失。这一现象被解释为是由于在AC条件下也存在类似于在直流(DC)条件下的形成过程,即Cu+迁移过程。老化过程也是形成过程的继续。     

防离子反馈微通道板的最佳工作电压试验研究

带防离子反馈膜的微通道板(micro-channe plate,MCP)是负电子亲和势光电阴极微光像增强器的关键部件之一,其工作状态对负电子亲和势光电阴极微光像增强器的性能有严重影响,通过对无膜MCP及镀有不同厚度防离子反馈膜的MCP在不同阴极电压下、不同MCP电压下增益的测试与分析,最终确定出防离子反馈MCP的最佳工作电压:①对于负电子亲和势光电阴极像增强器用无膜MCP,其最佳工作电压为:当阴极电压大于一定值V_c1时,MCP增益几乎不变,说明此时的阴极电压V_c1为无膜MCP的最佳工作电压;当MCP电压为某一特定值V_m1(阴极电压为大于V_c1的任一值)值时,MCP出现增益,但增益值很低,当MCP电压大于(V_m1+100V)值时,MCP增益较大(大于20 000),可认为板压为(V_m1+100V)值为无膜MCP最佳工作板压;②对于同种材料的带膜MCP,其最佳工作电压为阴极电压V_c=无膜MCP的最佳阴极电压V_c1与防离子反馈膜的阈值电压的代数和,MCP电压为V_m > (V_m1+100V),具体值应根据防离子反馈MCP增益值的线性工作区来确定。该文的研究对防离子反馈MCP的最佳工作电压的确定及对负电子亲和势光电阴极像增强器性能的提高具有重要的意义。     

充氩弗兰克-赫兹实验研究

为了研究氩原子的激发电位,对充氩弗兰克-赫兹管在不同的灯丝电压、栅极电压和加速电压下进行了实验,分析了获得的实验曲线;得到使用该弗兰克-赫兹管实验时的最佳参数为灯丝电压3.2 V、栅极电压1.0 V、拒斥电压10.0 V.在该参数下测得氩原子的激发电位为11.61 V,并进行了详细的讨论;表明该值本质上应为氩原子第一亚稳态的激发电位,或两个亚稳态激发电位的一定概率比.     

磁绝缘传输线电压的初步测量

针对快脉冲直线变压器驱动源装置上的真空磁绝缘传输线（MITL)电压测量的需求,开展了微分型电容分压器和电感分压器的设计、标定和实验。通过不同的电压值、负载阻抗的装置实验中探头输出结果的分析和比较,讨论了测量方法的可行性和适用范围。实验结果表明：微分型电容分压器能够应用于完全磁绝缘状态下的MITL电压测量,但容易受阴极电子发射的影响导致探头输出波形发生畸变。电感分压器受分布电容和电感的影响导致输出信号存在寄生振荡,采用波形重建的方法初步获得了合理的测量结果。     

HL-2M 装置电子回旋共振加热高压电源系统的研制

为满足 HL-2M 装置电子回旋共振加热、低杂波电流驱动、中性束注入等二级加热系统的需要,设 计了多套基于脉冲步进技术的大功率高压电源,为速调管、回旋管及中性束、离子源等提供高压。重点针对一套 用于电子回旋系统的高压电源进行了分析。该高压电源设计了多副边绕组的高压隔离变压器、全固态高压调制器 和电源控制系统,并得出了适合本电源控制的控制算法,易于调整高压的输出幅值以及高压的上升下降时间。最 后给出实验结果,以验证电源的保护能力、电源控制算法的可操作性及实用性。试验证明,此套电源不仅满足对 负载的快速保护的要求,其电源工作的稳定度等其它参数也满足设计要求。      

脉冲形成线放电过程中Tesla变压器锥形绕组电压分布特性

 介绍了Tesla变压器与脉冲形成线一体化结构的工作原理,实验研究了形成线放电过程中形成的冲击电压波在Tesla变压器锥形次级绕组中的分布特性;给出了输入电压脉宽分别为1 μs,500 ns和100 ns时,锥形绕组中的对地电压和匝间电压分布规律;采用首端并绕、末端并绕和在首端加入屏蔽环三种措施优化绕组结构。结果表明：形成线放电过程中,变压器锥形次级绕组不会明显影响形成线中的电场分布,绕组的对地电压呈线性分布,匝间电压曲线起伏剧烈,首端电压梯度最大;三种优化措施都能抑制电压振荡,首端并绕对降低绕组首端电压梯度最为有效,末端并绕对降低绕组末端电压梯度最有效。     

固体有机薄膜开关短时延低抖动触发特性

 实验研究了快脉冲触发固体有机薄膜开关的欠压比、触发脉冲幅值、极性效应和间隙距离对触发特性的影响。固体有机薄膜开关具有较快的脉冲前沿，但其触发性能因条件不同而差异很大。对于自击穿电压为10kV的18μm薄膜，在工作电压9kV，触发脉冲上升沿为1ns,脉冲40ns,幅值9kV条件下，测得开关时延为1.1ns， 时延抖动为0.2ns。