半导体所在砷化镓/锗中拓扑相研究方面获重要发现

正中国科学院半导体研究所常凯研究组提出利用表面极化电荷在传统常见半导体材料GaAs/Ge中实现拓扑绝缘体相。通过第一性原理计算和多带k.p理论成功地证明了GaAs/Ge极化电荷诱导的拓扑绝缘体相,这为拓扑绝缘体的器件应用又向前推进了一步。拓扑绝缘体是目前凝聚态物理的前沿热点问题之一。它具有独特的电子结构,在体内能带存在能隙,表现出绝缘体的行为;表面或边界的能带是线性的无能隙的Dirac锥能谱,     

半导体所在砷化镓/锗中拓扑相研究方面获重要发现

正中国科学院半导体研究所常凯研究组提出利用表面极化电荷在传统常见半导体材料GaAs/Ge中实现拓扑绝缘体相。通过第一性原理计算和多带k.p理论成功地证明了GaAs/Ge极化电荷诱导的拓扑绝缘体相,这为拓扑绝缘体的器件应用又向前推进了一步。     

功能化离子液体材料研究获进展

中国科学院兰州化学物理研究所绿色化学与催化中心在功能化离子液体材料研究方面取得系列进展。该中心的研究人员利用传统的无机碳硼烷材料进行阴离子功能化并和有机阳离子有效组合,获得了一系列室温下为液体的碳硼烷衍生的室温离子液体材料。     

兰州化物所半导体光催化纳米材料的形貌及晶面效应研究获进展

在中国科学院“百人计划”项目支持下，中国科学院兰州化学物理研究所能源与环境纳米催化材料课题组在半导体光催化材料形貌及晶面设计合成研究领域取得新进展。     

中科院物理所:新型低维硼纳米结构材料探索研究获新进展

<正>近日,中科院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室高鸿钧研究组在对硼纳米结构及其基本物性的探索研究中取得了系列进展。硼具有优良的物理化学特性,如:高热稳定性、高熔点、高硬度、高拉伸强度和杨氏模量、低电子亲和势,是理想的新型