半导体反型层中的电子关联和多体波函数

本文运用CBF(correlation basis function)理论,由电子间的有效势V_eff(R)和电子气的集体振荡行为,给出准二维电子体系——半导体反型层中的电子的关联因子U(R),得到该体系的对关联函数、关联能和多体波函数。 关键词：     

半导体反型层中的电子关联和多体波函数

本文运用CBF(correlation basis function) 理论, 由电子间的有效势V_eff_(R) 和电子气的集体振荡行为, 给出准二维电子体系— 半导体反型层中的电子的关联因予U (R), 得到该体系的对关联函数、关联能和多体波函数. 关键词：     

准一维体系的电子关联函数

对于具有库仑相互作用的准一维电子体系,本文根据电子气的集体振荡行为给出了该体系的多体波函数,并由此求出了准一维体系的电子关联函数g(|z₁₂|)。 关键词：     

准一维体系的电子关联的变分计算

对于具有库仑相互作用的准一维电子体系,本文提出了一种新的模型,得到了准一维体系的电子有效库仑势形式。在相关基函数理论框架下,根据电子气的集体振荡行为,给出该体系的多体波函数,并得到不同密度的电子体系的关联函数和关联能,本文得到的关联函数是恒正的,且满足归一化条件。     

二维电子气的关联函数

本文在少粒子体系波函数数值解的基础上讨论了强磁场中二维电子气的二体关联函数.在数值计算的意义上给出了有限集团体系二体关联函数的计算公式. 关键词：     

电子关联与二维晶格的不稳定性

本文从电子相互作用的屏蔽库仑势出发,构造了Wannier函数来计算二维不稳定晶格的能带及电子波函数,用相关基函数理论计算了二维非均匀体系的电子关联函数,由此研究了电子关联对二维晶格不稳定性的影响。结果表明,二维体系与一维体系不同,电子相互作用使晶格二聚化减弱。 关键词：     

量子阱中的电子关联

运用Bohm-Pines理论，提出了二维及准二维电子气的普适关联因子，并由关联基函数（CBF）方法，求解得Al_xGa_1-xAs-GaAs量子阱的关联函数、交换能和关联能 关键词：     

铝表面的电子关联函数

根据金属表面的多体波函数,建立了非均匀电子关联函数的积分方程,对此方程消除了因长程关联而出现的发散。在第一次迭代下求得了铝表面的电子关联函数的数值结果。 关键词：     

二维电子体系在高密度下的稳定性

本文计算了高密度的二维电子体系的边缘能(将二维体系沿某一直线解离成两片时,形成单位长度新边缘所需要的能量)。结果发现,当r_ss^(c)(约0.415)时,边缘能变负,从而表明在高密度下,二维电子气的基态有可能发生不稳。我们分别讨论了二维非束缚的电子气和束缚的电子气基态的稳定性,并在一个简化的模型下给出了束缚的电子气基态稳定性的判据。 关键词：     

金属电子关联函数的实空间变分计算

本文求解了在相关基函数理论框架下得到的实空间关联函数的积分方程,得到了金属铝(r_s=2.07)和铯(r_s=5.65)的关联函数,关联能和多体波函数。改进了其它多体理论,本文得到的关联函数是恒正的,并且满足归一化条件。 关键词：     

N极性GaN/AlGaN异质结二维电子气模拟

通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程,较系统地研究了GaN沟道层、AlGaN背势垒层、Si掺杂和AlN插入层对N极性GaN/AlGaN异质结中二维电子气(2DEG)的影响,分析表明,GaN沟道层厚度、AlGaN背势垒层厚度及Al组分变大都能一定程度上提高二维电子气面密度,AlGaN背势垒层的厚度和Al组分变大也可提高二维电子气限阈性,且不同的Si掺杂形式对二维电子气的影响也有差异,而AlN插入层在提高器件二维电子气面密度、限阈性等方面表现都较为突出,在模拟中GaN沟道层厚度小于5nm时无法形成二维电子气,超过20nm后二维电子气面密度趋于饱和,而AlGaN背势垒厚度超过40nm后二维电子气也有饱和趋势,对均匀掺杂和delta掺杂而言AlGaN背势垒层Si掺杂浓度超过5×10~(19)cm~(-3)后2DEG面密度开始饱和,而厚度为2nmAlN插入层的引入会使2DEG面密度从无AlN插入层时的0.93×10~(13)cm~(-2)提高到1.17×10~(13)cm~(-2)。     

三体关联与次近邻两体关联下的渗流

本文用实空间重正群(RSRG)方法对二维三角格子的淬火体系,处理其在三体关联及最近邻与次近邻关联下的渗流问题。对于格点多体关联函数采用叠加近似,对于格点-空位多体关联是由几率守恒求出的。结果表明,引入三体关联或次近邻关联后,都并不改变临界现象的普适律。 关键词：     

金属表面的电子关联函数(Ⅰ)——Hartree-Fock近似

本文在Hartree-Fock近似下,计算出金属表面的非均匀电子体系的电子关联函数g(r₁,r₂)。 关键词：     

低维体系的不稳定性和电子关联

一维和二维体系的费米面会呈现叠套(nesting),于是,晶格结构和电子状态的重新调整(使费米面和布里渊区边界相互重合)可使体系能量降低而形成新的基态,这使低维体系具有不稳定性并产生相变,同时还会形成多种新型元激发(电荷密度波(CDW)、自施密度波(SDW)、孤子(soliton)、极化子(polaron)、分数电荷,spin bag,位相子等)。许多重要的低维体系(导电高分子、二维电子气、氧化物超导体的铜氧层等)都具有强电子耦合5研究电子关联对体系不稳定性的影响是当前凝聚态物理的重要课题。近年来,在此领域内,有两派相反的观点进行着激烈的争论:一派认为电子-电子相互作用会增强晶格不稳定性,而且增强得很多,以致不稳定性主要来自于电子-电子相互作用,电子-晶格相互作用是次要的。另一派则认为电子-电子相互作用会减弱晶格不稳定性,而不稳定性是由电子-晶格相互作用产生的。 本文首先描绘低维体系的不稳定性和各种基态及元激发的物理图象,接着介绍争论双方的论点,随后分析两派分歧的产生原因,进一步指出如何澄清这场争论。从中将说明,Hubbard模型的局限性会带来问题,解决争论的关键是正确地描述电子相互作用,由屏蔽效应而形成的相互作用力程是决定性的因素。当屏蔽较弱时(长程相互作用),电子相互作用的非对角部分比对角     

低维体系的不稳定性和电子关联

一维和二维体系的费米面会呈现叠套(nesting),于是,晶格结构和电子状态的重新调整(使费米面和布里渊区边界相互重合)可使体系能量降低而形成新的基态,这使低维体系具有不稳定性并产生相变,同时还会形成多种新型元激发(电荷密度波(CDW)、自施密度波(SDW)、孤子(soliton)、极化子(polaron)、分数电荷,spin bag,位相子等)。许多重要的低维体系(导电高分子、二维电子气、氧化物超导体的铜氧层等)都具有强电子耦合5研究电子关联对体系不稳定性的影响是当前凝聚态物理的重要课题。近年来,在此领域内,有两派相反的观点进行着激烈的争论:一派认为电子-电子相互作用会增强晶格不稳定性,而且增强得很多,以致不稳定性主要来自于电子-电子相互作用,电子-晶格相互作用是次要的。另一派则认为电子-电子相互作用会减弱晶格不稳定性,而不稳定性是由电子-晶格相互作用产生的。 本文首先描绘低维体系的不稳定性和各种基态及元激发的物理图象,接着介绍争论双方的论点,随后分析两派分歧的产生原因,进一步指出如何澄清这场争论。从中将说明,Hubbard模型的局限性会带来问题,解决争论的关键是正确地描述电子相互作...更多用,由屏蔽效应而形成的相互作用力程是决定性的因素。当屏蔽较弱时(长程相互作用),电子相互作用的非对角部分比对角     

二维材料平带的实现及其新奇量子物态

在二维材料平带中电子的有效质量急剧增大,电子的库仑排斥能将远远大于电子的动能,电子-电子相互作用效应显著,对应地将会产生一系列新奇的强关联量子物态,如量子霍尔铁磁态、分数量子霍尔效应、量子反常霍尔效应、超导态、Wigner晶体等.因此人们对于二维材料中的平带产生了极大的兴趣.近几年,与平带相关的强关联物性研究成为了凝聚态物理领域的前沿课题.实验上发展了多种方法,例如通过外加强磁场、构筑应变结构、引入转角等方式在二维材料中引入平带.本文通过对二维体系中平带的实现方法及其带来的新奇物理现象进行回顾,希望为相关领域的研究人员提供参考和借鉴.     

中性孤子的关联函数

本文研究了自旋非简并体系的关联函数,用来讨论了中性孤子(孤子能级上只有一个正自旋电子)的带自旋的关联函数,在Hartree-Fock(HF)近似下求得各种自旋关联函数的图象,并讨论了这些关联函数的性质。 关键词：     

磷化铟高电子迁移率晶体管外延结构材料抗电子辐照加固设计

为研究磷化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT)外延结构材料的抗电子辐照加固设计的效果,本文采用气态源分子束外延法制备了系列InP HEMT外延结构材料.针对不同外延结构材料开展了1.5 MeV电子束辐照试验,在辐照注量为2×10¹⁵ cm^-2条件下,并测试了InP HEMT外延结构材料二维电子气辐照前后的电学特性,获得了辐照前后不同外延结构InP HEMT材料二维电子气归一化浓度和电子迁移率随外延参数的变化规律,分析了InP HEMT二维电子气辐射损伤与Si-δ掺杂浓度、InGaAs沟道厚度和沟道In组分以及隔离层厚度等结构参数的关系.结果表明:Si-δ掺杂浓度越大,隔离层厚度较薄,InGaAs沟道厚度较大,沟道In组分低的InP HEMT外延结构二维电子气辐射损伤相对较低,具有更强的抗电子辐照能力.经分析原因如下:1)电子束与材料晶格发生能量传递,破坏晶格完整性,且在沟道异质界面引入辐射诱导缺陷,增加复合中心密度,散射增强导致二维电子气迁移率和浓度降低;2)高浓度Si-δ掺杂和薄隔离层有利于提高量子阱二维电子气浓度,降低二维电子气受辐射...     

基于投影纠缠对态算法优化的研究

二维强关联电子量子格点系统的投影纠缠对态(PEPS)算法是数值计算领域中研究二维强关联电子量子格点系统最为重要的张量网络算法.基于PEPS算法研究二维量子XYX模型与二维量子Ising模型,本文对PEPS算法进行了一些优化和改进研究,这些优化和改进主要体现在如何进行PEPS张量的更新与如何进行物理观测量的计算这两个方面,从而可以大大提高计算资源的利用.因而优化和改进后的PEPS算法可为研究热力学极限下的二维强关联电子量子格点系统的量子相变和量子临界现象提供一种更有效的强大的工具.     

一种可能存在的两分量任意子模型

本文提出了一个可能存在的两分量任意子模型,在玻色表象下给出了多体波函数的一般形式.我们分析了规范矢势引起的相互作用,通过将规范矢势类比于一个二维静电场,发现这个两分量任意子模型近似等价于一个二维两分量库仑气体,在低温下可能发生 Kosterlitz-Thouless 相变.