光电子技术与器件 光放大、控制与器件

TN1522006010567光电倍增管中子直照灵敏度响应=Energy response ofphotomultiplier tubes on neutron irradiation[刊,中]/张忠兵(西北核技术研究所.陕西,西安(710024)),马彦良…∥强激光与粒子束.—2005,17(9).—1427-1430分析了中子束直接照射光电倍增管产生直照响应的过程和机理。中子与光电倍增管入射窗硼硅玻璃中的硼和硅发生(n,α)和(n,p)反应,导致窗玻璃产生荧光,从而使光阴极发射光电子。在5SDH-2小串列加速器上,选用9815B和9850B两种光电倍增管进行实验,得到了光电倍增管的中子直照灵敏度能谱响应曲线。结果表明,中子能量由低…     

光电子技术与器件 光放大、控制与器件

TN223 2006043467激光助视下光谱匹配系数的研究=Research of spectralmatching factors under the laser aids[刊,中]/狄慧鸽(郑州大学河南省激光与光电信息技术重点实验室.河南,郑州(450052)) ,刘磊∥光子学报.—2006 ,35(2) .—214-216分析了在激光助视下,景物反射辐射光谱与光电阴极光谱匹配系数的变化,给出了理论公式,分析了此系数的特性和意义。计算了激光助视下光谱与几种典型的超二代管光电阴极( New S25,Super S251,Super S252)的光谱匹配系数,揭示了在激光助视下,光谱匹配系数的特征,为在激光助视下夜视系统的视距评估提供了…     

光电子技术与器件 光放大、控制与器件

TN219 2006065296 1．55/μm SiGe 2×3光开关=A 2×3 photonic switch in SiGe for 1．55μm operation[刊,英]/陈志文(中山大学光电材料与技术国家重点实验室．广东,广州(510275))．李宝军…//半导体学报,—2006,27(3)．—494-498利用多模干涉效应和自由载流子等离子体色散效应设计和模拟了基于1．55μm波长的2×3 SiGe光开关。该     

光电子技术与器件 光放大、控制与器件

TN144 2005053743 ICCD系统中对像增强器制冷降噪效果的分析=Research of reducing the ICCD system noise with TE cooler[刊, 中]／沈飞(北京理工大学光电工程系．北京(100081)),刘 广荣…∥光学技术．-2005,31(3)．-434-436,440 在ICCD摄像机上加装一个半导体制冷器,对像增强 器进行实时降温处理,以降低系统时空域噪声。为了评价 半导体制冷器对ICCD系统噪声的影响,运用三维噪声模 型对制冷前后系统的时空域噪声和信噪比进行了分析,发 现半导体制冷器能够有效地降低像管的噪声。图3表2 参11(王淑平)     

光电子技术与器件 光放大、控制与器件

TN1442007043671基于BP网络的图像增强器像元通道不一致性校正研究=Study on nonuniformity correction of XRII-CCD pixelchannel response based on BP neural network[刊,中]/李俊江(北京航空航天大学机械与自动化学院.北京(100083)),路宏年…//光学技术.?2007,33(2).?273-2     

光电子技术与器件 光放大、控制与器件

TM564∥TN29 2004053761 通用改进扩展Benes型光开关的控制模块设计=Design on control module for generally modified dilated Benes switch network[刊,中]/石鑫(华中科技大学光电子工程系,湖北,武汉(430074)),孙军强∥光电子·激光,—2003,14(12)。—1263-1267 分析了通用改进扩展Benes型(GMDB)光开关结构的特性,提出了路由算法设计思路,并详细阐述了4×4GMDB光开关的控制和驱动电路设计。测试结果表明,     

光电子技术与器件 光放大、控制与器件

TN223 2006032458一种基于强迫性选择MRC测量的新方法=A novel meth-od based on forced-choice for MRC measurement[刊,中]/李升才(北京特种车辆研究所.北京(100072)) ,金伟其…∥光学技术.—2006 ,32(2) .—230-233在分析微光ICCD成像系统工作原理的基础上,研制了新型微光ICCD成像系统MRC特性测试仪。以该系统为实验装置,以Weibull心理测量方程为理论基础设计了一种选择性靶标。基于选择性靶标,提出了一种基于强迫性选择MRC测量的新方法,利用该方法对微光ICCD成像系统进行了实际测量。该方法对建立微光ICCD成像系统MRC理论…     

光电子技术与器件 光放大、控制与器件

TN152 2005032129 微通道板离子壁垒膜及其特性=MCP ion barrier film and its characteristics[刊,中]／姜德龙(长春理工大学光电子技 术所,吉林,长春(130022)),吴奎…∥发光学报．-2004, 25(6).-737-742 介绍了微光像管中微通道板离子壁垒膜及其形成技 术,研究了其粒子(电子和离子)透过特性。给出了死电压 概念、死电压曲线、死电压与膜厚关系曲线以及半视场对 比测试结果;给出了采用X射线光电子能谱(XPS)进行成     

光电子技术与器件 光放大、控制与器件

TN144 2005021362 微光像增强器图像传递信噪比的测试研究=Research on testing image transfer signal-to-noise ratio of image interest- fier[刊,中]／周斌(军械工程学院光学与电子工程系.湖 北,石家庄(050003)),刘秉琦…//应用光学．-2004,25 (5)．-60-61,66 图像传递信噪比是微光像增强器的重要特性参数,能 够全面定量地表征像增强器在探测弱辐射图像时的综合 性能,对于确定像增强器的图像探测灵敏阈具有重要意     

光电子技术与器件 光放大、控制与器件

TN1442006054500对三代微光管光谱响应的测试分析=Spectral responsemeasurement and analysis of third-generation LLL tube[刊,中]/杜玉杰(滨州学院物理科学与工程系.山东,滨州(256600)),纪延俊…//光学技术.—2006,32(3).—364-366利用自行研制的光谱响应测试仪对国产三代微光管进行了光谱响应测试,给出了三代微光管的光谱响应特性,利用曲线拟合方法估算了GaAs光电阴极材料的性能参数。结果显示该三代微光管的积分灵敏度约800μA/lm左右,所选GaAs材料的电子扩散长度为2.0μm,与1.6μm的阴极厚度相当,电子表面逸出几率为0.38,后界面…     

光电子技术与器件 光放大、控制与器件

TH722．32 2005042947 SOA动态增益特性的理论和实验研究=Experimental and theoretical study on gain dynamics of SOA[刊,中]／董建绩 (华中科技大学光电子工程系,湖北,武汉(430074)),张新亮…／／物理学报,-2005,54(2),-763-767 提出了SOA有效增益恢复时间的概念,同时推导了有效增益恢复时间的解析表达式。针对SOA在交叉增益调制型波长转换方面的应用,从理论上分析了注入电流、探测光功率、有源区长度对增益恢复时间的影响,实验测量了不同条件下SOA的增益恢复时间,实验结果与理论计算结果相符合。图7参8(杨妹清)     

光放大、控制与器件

TN144 2004064395 微光像增强器的进展及分代方法=Image intensifier’s progress and division of generations[刊,中]/金伟其(北京理工大学信息科学技术学院光电工程系.北京(100081)),刘广荣…∥光学技术.—2004,30(4).—460-463,466 介绍了微光像增强器的主要性能指标及其对系统成像的影响。分析了像增强器按技术分代和按性能水平分代的方法。针对欧洲的超二代以及美国的三代/超三代像增强器的主要技术指标,说明了按性能分代的合理性。结果表明,这种分代方法在军用和民用领域的应用中对     

光放大、控制与器件

TN22 2004010541 我国军用夜视仪器可靠性分析研究=Analysis and studyof the reliability of Chinese military night viewing instruments[刊,中]/陈映苹(总装备部重庆军代局驻昆明地区军代室.云南,昆明(650223))∥光电子技术.—2003,23(1).—68-70 通过对军用夜视仪器的可靠性现状分析,结合国外的先进经验,介绍了研究可靠性的方法。参3(严寒)