K-M参量的允许值范围和B_d-■_d系统△γ的符号

本文指出,在目前t夸克和KM矩阵参量允许的取值范围内,有可能出现基本上是CP偶的本征态B_(d+)比CP奇的本征态B_(d-)寿命短的情况.如果这个情况发生,许多B_(d-)■_d系统CP破坏效应将相应地改号.     

LiNbO3晶体中离子间相互作用势的经验参量的确定

对铁电物质LiNbO₃晶体作电子壳模型模拟,用经验参量化方法确定该三元系氧 化物离子间互作用势的经验参量,因该晶体存在共价结合特性,附加考虑了键弯曲作用势. 弛豫拟合方法的采用,使得所得参量集优于早期报道的结果. 关键词： 铌酸锂 壳层模型 经验参量 离子间互作用势     

用双点源δ-P1近似光学模型反演生物组织的光学参量

根据空间分辨漫反射的双点源δ-P₁近似理论模型,采用非线性最小二乘法,从反射率的测量数据中反演得到了生物组织的吸收系数μ_a、有效散射系数μ' _s和二阶参量γ.研究表明,在光源与探测器之间距离大于一个输运平均自由程的情况下,双点源δ-P₁近似能较好地描述光源附近的光辐射分布,而且能够根据参量γ与μ' _s的关系得到组织的各向异性因子g.这些研究对于生物组织的光学性质测量以及漫反射光谱技术的应用具有重要意义. 关键词： 组织光学 P₁近似')" href="#">δ-P₁近似 光学参量 双点源     

基于层状WS2调制激光泵浦的光学参量振荡中红外运转特性

光学参量振荡器是重要的中红外相干光源.近年来,在激光调制方面,二维过渡金属硫化物展现了非线性可饱和吸收特性,因此有望成为光学参量振荡器基频激光的优良调制元件.本工作中,首先,实验测量了层状二硫化钨(WS₂)调制固体激光的输出特性.其次,结合主动声光Q开关,实现了主被动双调Q光参量振荡的运转,得到了纳秒脉冲宽度的中红外脉冲,并研究了WS₂对光参量转换的优化特性,发现WS₂纳米片除了能够压缩脉冲、提高峰值功率外,还能缓解单主动调Q光学参量振荡器中的"输出饱和下降"现象,这种现象可能起因于砷酸钛氧钾(KTiOAsO₄, KTA)的制冷不均匀. WS₂的可饱和吸收效应能够显著压缩光斑,减少高斯光斑的边缘能量,因此能够缓解KTA的温度梯度分布,从而优化输出特性.最后,基于WS₂的非线性透过率曲线,考虑非均匀展宽机制和大信号下的非饱和吸收,计算了WS₂的可饱和吸收特性参数,并求解了层状WS₂调制光学参量振荡器的速率方程组.本...     

基于符号序列描述的一类分段光滑系统中分岔现象与混沌分析

从拓扑序列出发，提出了描述DC/DC变换器一类分段光滑系统中的分岔现象和混沌行为的符号序列方法，根据最大子序列的性态判别分岔的类型，以及检测边界碰撞分岔的发生.例如,当发生倍周期分岔时，最大子序列保持不变；当发生边界碰撞分岔时，最大子序列发生变化；混沌态则没有最大子序列.研究表明，占空比是表征DC/DC变换器一类分段光滑系统动力学行为的一个最本质的量，“饱和非线性”是引起边界碰撞分岔产生的根本原因. 关键词： 符号序列 分岔 混沌 分段光滑系统     

掺杂比对CdGe(As11-xPx)2倍频与参量振荡的影响

 在相位匹配和可接受掺杂比理论的基础上，针对CdGe((As1_1-xP_x)₂晶体，研究了掺杂比对频率转换的影响。依据Sellmeier方程得到了倍频和Ho³⁺:YLF与Cr:Er:YSGG激光器泵浦光学参量振荡的相位匹配调谐曲线，并给出了不同掺杂下的可接受掺杂比。结果表明：掺杂晶体可实现2~9 μm范围内非临界相位匹配的倍频和2~18 μm的参量光产生；随着掺杂比的增大，可接受掺杂比近似线性减小，并随着波长改变展现出了不同变化趋势。     

H2+和H3+系统的电子频谱与高次谐波谱

针对单电子H2+和双电子H3+系统,采用对称分裂算符法求解波函数的时间演化。计算了电子的含时频谱和体系的高次谐波谱,结果表明:电子频谱和高次谐波谱呈互补规律,即电子频谱峰值出现在基波的偶数倍频率位置,高次谐波则出现在奇数位置。对高次谐波谱随软化库仑参数的变化规律进行了数值研究,发现只在软化库仑参数的一定范围内才产生高次谐波,对该现象作了解释。     

固-液系统中表面增强喇曼散射强度ISERS对浓度c的依赖关系及水杨酸分子的吸附等温特性研究

在恒定温度下,通过测量不同浓度溶液中吸附在Ag镜表面水杨酸分子(SA)的表面增强喇曼散射(SEKS)强度(I_SERS,对固-液系统中吸附在Ag镜表面上SA分子的I_SERS对溶液浓度的依赖关系进行实验研究,并对I_SERS与吸附分子数N^s的关系进行分析讨论。实验研究和理论分析的结果表明:利用SERS技术通过测量I_SERS与溶液浓度c的依赖关系,可为固-液系统中分子在固体表面的吸附过程及吸附特性研究提供 关键词：     

CeCu2Si2和UBe13的超导理论(Ⅰ) ——模型,Tc及序参量

本文从周期性的Anderson晶格模型出发,考虑到局域电子与局域晶格形变的作用,对CeCu₂Si₂和UBe₁₃的重费密子超导现象进行了理论研究。通过计算,得到了合理的超导转变温度T_c;给出了描述同位素效应大小的参数α<1/2,甚至等于零(在BCS理论中α=1/2),说明现在的理论给出的同位素效应比BCS理论小,甚至可以不存在同位素效应,这与重费密子超导的实验相符合;此外还给出了序参量随温度及态密度变化的关系曲线,由此可 关键词：     

HL-1M装置的ICRH系统

介绍了HL－1M装置的ICRH系统的主要性能指标。调试获得了频率28－36MHz、脉宽40－60ms、0．8MW的输出功率。测试了RF天线的频率特征。ICRH系统已在HL－1M装置上运动，并获取了初步的实验结果。     

Jahn-Teller效应和LiNbO3的结构相变(Ⅰ)

本文从类Jahn-Teller效应出发,研究LiNbO₃,在75℃处的结构相变问题,结果定性与实验符合。 关键词：     

Eu3+激活K2CaP2O7荧光粉的制备和发光性质

采用高温固相法制备了系列不同浓度Eu³⁺离子掺杂的K₂CaP₂O₇红色荧光粉。通过X射线衍射、扫描电子显微镜、荧光光谱和荧光寿命曲线等手段对荧光粉的物相结构、形貌以及发光性质进行了研究。结果表明所制备的荧光粉均属于单斜结构,Eu³⁺离子掺杂没有引起晶体结构明显变化,荧光粉形貌不规则,颗粒为微米量级且部分发生团聚。在393 nm紫外光激发下,荧光粉显示出红光发射,最强发射峰位于613 nm。Eu³⁺离子掺杂浓度对发光强度有显著影响,最佳掺杂摩尔分数为0.08,由此计算能量传递临界距离为1.61 nm。荧光寿命受掺杂浓度影响较小,当Eu³⁺掺杂摩尔分数为0.005~0.10时,荧光寿命在2.45~2.58 ms范围内。变温发射光谱显示,测试温度为150℃时,荧光粉的发光强度为室温的73%。研究表明,Eu³⁺离子掺杂的K₂CaP₂O₇是性能较好的红色荧光粉。     

Lund模型和极端相对论系统的量子能谱

讨论极端相对论量子系统的能谱问题.从给出一个典型的极端相对论系统(Lund模型)的精确解及证明一个新的维里定理这两方面来演示了动能形式对能谱的影响. 关键词：     

GaP和GaAs1-xPx中N束缚激子压力行为的理论计算

本文在Koster-Slater单带位势近似下对GaP和GaAs_1-xP_x中N等电子中心束缚激子的压力行为与能带结构的关系进行讨论与分析,得到杂质态压力系数的一个近似的解析表达式,并对N和NN_i中心能级的压力关系进行计算。同时,给出NN_i中心配位的一组新的指认。 关键词：     

掺Gd3+钼酸盐AMoO4 (A=Ca,Sr, Ba,Pb)自旋哈密顿参量的理论计算

采用基于单电子晶体场机制的对角化能量矩阵方法, 计算了Gd³⁺在钼酸盐AMoO₄ (A=Ca, Sr, Ba, Pb)晶体中的自旋哈密顿参量(g因子g_//, g_⊥和零场分裂b₂⁰, b₄⁰, b₄⁴, b₆⁰, b₆⁴). 矩阵中的晶体场参量采用重叠模型计算. 计算结果显示, 应用三个合理的可调参量[即重叠模型中的内禀参量A₂ (R₀), A₄ (R₀)和A₆ (R₀)], 计算的七个自旋哈密顿参量与实验结果符合甚好, 表明该方法可用于计算或解释Gd³⁺在晶体中的自旋哈密顿参量. 关键词： AMoO₄ (A=Ca,Sr,Ba,Pb):Gd³⁺晶体')" href="#">AMoO₄ (A=Ca,Sr,Ba,Pb):Gd³⁺晶体 自旋哈密顿参量 晶体场理论 对角化能量矩阵     

KMgF3:Cr3+的EPR参量和K+空位研究

EPR和ENDOR表明:顺磁离子取代KMgF₃中的Mg²⁺离子后,所处的环境具有轴对称。本文研究了KMgF₃:Cr³⁺的Δg=g_∥-g_⊥和零场分裂值D,证实KMgF₃:Cr³⁺中K⁺空位的存在。并且指出:由于K⁺空位,使Cr³⁺的最近邻F^-离子分 关键词：     

HL-1M装置上的MSR系统的改进及中放研制

通过替换2mm扫频外差接收机（MSR）中老化的返波管，改进了MSR的高压电源和控制系统，研制了用于MSR的高增益、宽频带、低噪声中频放大器。给出了新返滤管的频率输出、接收系统的频率响应、灵敏度的校准方法以及MSR调试、校准的结果，也给出了中频放大器的结构设计和测试结果。     

正弦式语音分析/合成系统的计算机实现和初步评价

正弦语音模型是一种新的语音信号处理模型。为考察这一模型的效果,我们在微机上实现了一个基于该模型的语音分析/合成系统。本文介绍该系统的基本原理,并通过比较输入、输出系统的语音波形形状及对音节/sα/的非正式辨听,对这种分析/合成方法进行非正式评价。结果表明,该方法失真较小。     

非磁性掺杂下的铁磁/反铁磁系统中的交换偏置和矫顽场

采用Monte Carlo方法,分别讨论了在铁磁/反铁磁双层膜和铁磁/反铁磁单层混合膜中,掺入非磁性物质后,掺杂浓度对交换偏置以及矫顽场的影响.计算结果表明:随着掺杂浓度的增大,双层膜和单层膜交换偏置都有先增大后减小的现象,而其矫顽场则先减小后增大.在相同掺杂浓度下,对随机掺杂和规则掺杂两种不同掺杂方式的结果比较发现:铁磁/反铁磁双层膜中,规则掺杂下产生的交换偏置和矫顽场都得到了增强;对于单层混合膜,随机掺杂下的交换偏置更强,规则掺杂下的矫顽场更大.研究发现对于双层膜规则掺杂可明显地导致其磁滞回线的不对称性,说明铁磁/反铁磁系统中磁滞回线的不对称性与界面自旋微结构密切相关.