2H-1P多重散射关联及自屏蔽效应对17O和15O能谱的贡献

本文利用格林函数方法和多重散射理论考察了2H(空穴)-1P(粒子)多重散射关联及自屏蔽效应对¹⁷O和¹⁵O能谱的贡献.计算中采用了Paris位导得的G矩阵,计算结果表明2H-1P多重散射关联的贡献是重要的,而自屏蔽效应的影响可以忽略.     

15N16O的激光磁共振谱与同位素分子15N17O和15N18O的光谱分析

采用内腔式饱和吸收技术获得Lamb凹陷,使CO激光磁共振谱仪的灵敏度及分辨率大大提高.利用该技术对自然丰度下¹⁵N¹⁶O的X²Π(υ=1)←X²Π(υ=0)塞曼跃迁进行测量,实现了包括Λ双分裂在内的各种精细结构的谱分辨.结合已发表的¹⁵NO同位素分子光谱实验数据进行分析计算,拟合得到迄今最完备、最精确的各相关同位素分子¹⁵N^mO(m=16—18)的结构参 关键词：     

α粒子散射对16O集团结构的检验

以轻重离子⁴He散射作为手段,对¹⁶O原子核的集团结构进行了检验.并与传统的核子结构模型做了对比.本文结果对¹⁶O集团结构提供一个支持.     

质子散射对16O原子核α结构的检验

利用质子散射作为手段对¹⁶O的α粒子结构模型进行了检验.基于4α结构模型,对跨度整个中能区的质子与¹⁶O核的弹性角分布进行了无自由参数的计算.理论与实验基本符合.     

C2H4/Ni(100)近边X射线吸收谱的多重散射理论研究

本文用多重散射原子集团方法计算并分析了C₂H₄/Ni(100)系统的碳K边近边X射线吸收精细结构(NEXAFS)谱,确定了乙烯吸附在Ni(100)表面上的几何结构。结果表明,乙烯是吸附在垂直桥位上的,其中碳原子与表面最近的镍原子距离是1.70?,而乙烯分子平面倾斜于表面50°,同时发现,氢和镍之间的相互作用对结构的形成有很大的作用,这些结果得到了不同途径的验证。 关键词：     

16O+152Sm、184W准弹和弹性散射的位垒分布

利用¹⁶O束流轰击稳定形变靶¹⁵²Sm和¹⁸⁴W,在背角测量准弹散射和弹性散射激发函数,分别定出准弹和弹性位垒分布D^qel(E)和D^el(E).将结果与从已有的熔合激发函数、自旋分布及其相邻同位素¹⁵⁴Sm和¹⁸⁴W实验得出的位垒分布进行比较,得到相互自洽的结果,同时也用ECIS79程序作了耦合道理论计算.实验表明,靶的变形效应导致位垒分布是非对称的.     

15N216O在1650-3450 cm-1的高分辨红外光谱

采用傅里叶变换红外光谱仪记录了富含¹⁵N₂¹⁶O同位素的一氧化二氮样品在1650-3450 cm^-1波段的高分辨振转光谱,得到了该同位素分子超过7300吸收谱线位置的实验值,经分析实验精确度好于5.0×10^-4 cm^-1. 基于有效哈密顿量模型预测和带带转动分析,确定了所有吸收线的归属;获得了29个新吸收带的振转光谱参数,并优化了其他44个吸收带的光谱参数值. 并且发现有效哈     

多重散射团簇方法对吸附系统SO2/Ag(110)的理论分析

利用多重散射团簇方法(MSC)对吸附系统SO₂/Ag(110)的S原子K边X射线吸收精细结构谱(NEXAFS)作了理论分析.研究表明,覆盖度为0.5时,吸附的SO₂的S—O键长比气体状态时增长了(0.014±0.006)nm,OSO键角减小了15°±5°;SO₂分子的S原子处于芯位,但两个O原子处于不对称的位置;分子平面与(110)的夹角约为52°,同时分子平面相对衬底表面法线有一小角度的倾斜.MSC计算证实了该吸附系统存在一介于π^{关键词： X射线吸收精细结构 2/Ag(110)')" href="#">吸附系统SO₂/Ag(110) 多重散射团簇方法}     

B2C(1A1)和BC2(2A′)的结构与解析势能函数

采用单双取代的二次组态相互作用方法，分别选用6-311++G(d,p)和6-311G(df,pd)基组，对B₂C和BC₂分子的结构进行了优化，得到这两个分子的基态结构为C_2v和C_s，基态电子状态为¹A₁和²A′，同时还得到了它们的平衡几何结构、离解能、谐振频率和力常数. 关键词： 碳化硼 Murrell-Sorbie函数 谐振频率 势能函数     

79BrF和81BrF基态X1∑+光谱性质同位素效应对结构性质的影响

采用原子分子静力学的基本原理分析了BrF基态X¹∑⁺的离解极限,采用Herzberg同位素理论分析了BrF基态X¹∑⁺光谱数据的同位素效应,并以此为基础,分析了光谱数据的同住素效应对振动能级和分子势能函数（Murrell-Sorbie势即MS势）的影响.结果表明,⁷⁹BrF和⁸¹BrF基态X¹∑⁺的光谱数据的同住素效应是一种弱效应,与Herzberg同住素理论符合得很好,低振动能态的能级对理论预计的偏离很小,高阶力常数f₄和高阶展开系数a₃与实验结果有较大偏差,但由于a₃本身比a₁和a₂小很多,结果对势能函数整体影响不大.     

SO2/Ni(111)吸附系统局域结构的多重散射团簇理论研究

用多重散射团族方法对SO₂/Ni(111)吸附系统的S原子ls近边X射线吸收精细结构进行了详细的计算和分析,求得吸附系统的局域结构。研究结果证实了SO₂分子在Ni(111)表面是平铺吸附的,其最佳吸附位为fcc三度芯位。吸附分子的S—O键长比气体状态时增长了(0.007±0.002)nm,分子键角∠OSO减小了10°,SO₂距衬底的吸附高度为(0.20±0.02)nm。理论计算与两组实验结果进行了直接比较。 关键词： 局域吸附结构 X射线吸收精细结构 2/Ni(111)')" href="#">吸附系统SO₂/Ni(111) 多重散射团簇方法     

多重散射团簇方法对吸附系统SO2/Ag(110)的理论分析

利用多重散射团簇方法 (MSC)对吸附系统SO2 /Ag(110 )的S原子K边X射线吸收精细结构谱 (NEXAFS)作了理论分析 .研究表明 ,覆盖度为 0 5时 ,吸附的SO2 的S—O键长比气体状态时增长了 (0 0 14± 0 0 0 6 )nm ,OSO键角减小了 15°± 5°;SO2 分子的S原子处于芯位 ,但两个O原子处于不对称的位置 ;分子平面与 (110 )的夹角约为5 2° ,同时分子平面相对衬底表面法线有一小角度的倾斜 .MSC计算证实了该吸附系统存在一介于π 与σ 态中间的共振结构 ,这是由SO2 与衬底相互作用而诱导的     

在独立α集团模型下对敲出反应16O(p,pα)12C和16 O(α,2α)12C的研究

在独立α集团模型下，利用扭曲波冲量近似(DWIA)，计算了实验室系下入射能量为101.5MeV 的敲出反应¹⁶O(p，pα)¹²C和实验室系下入射能量分别为90Me V和140MeV 的敲出反应¹⁶O(α,2α)¹²C.得到的反应截面和谱因子与实 验数据基本符 合，比用壳模型的结果有了一定的改进，表明独立α集团模型能较好地描述α集团敲出反应 的机理. 关键词： α集团模型 敲出反应 反应截面 谱因子     

(Fe1-xNix)2P电子结构与磁学特性的X射线近边吸收谱研究

利用X射线近边吸收谱对Fe₂P,Ni₂P及其掺杂物(Fe_1-xNi_x)₂P(x=01,025,05)中Fe,Ni,P的K边进行了研究.结合多重散射理论近边计算,讨论了金属原子不同位置格点3f,3g对近边谱特征的贡献,得出当Ni原子取代Fe原子时将优先占据Fe(3f)格点位置;根据第一性原理对能态的计算发现,不考虑磁性时不同格点P的pDOS未占据态电子结构与P-K近边吸收谱实验相符合;与考虑铁磁性Fe₂P 的DOS相比较后结果显示Fe₂P的磁性主要来源于Fe(3g)格点,铁磁性Ni₂P计算的Ni不同格点原子磁矩均接近于0,与它一般显顺磁性结论相一致. 关键词： X射线近边吸收谱 电子结构 多重散射理论 态密度     

不同散射机理对 Al2O3/InxGa1-xAs nMOSFET 反型沟道电子迁移率的影响

通过考虑体散射、界面电荷的库仑散射以及 Al₂O₃/In_xGa_1-xAs 界面粗糙散射等主要散射机理, 建立了以 Al₂O₃为栅介质In_xGa_1-xAs n 沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管 (nMOSFETs) 反型沟道电子迁移率模型, 模拟结果与实验数据有好的符合. 利用该模型分析表明, 在低至中等有效电场下, 电子迁移率主要受界面电荷库仑散射的影响; 而在强场下, 电子迁移率则取决于界面粗糙度散射. 降低界面态密度, 减小 Al₂O₃/In_xGa_1-xAs 界面粗糙度, 适当提高In含量并控制沟道掺杂在合适值是提高 InGaAs nMOSFETs 反型沟道电子迁移率的主要途径. 关键词： InGaAs MOSFET 反型沟道电子迁移率 散射机理     

布里渊散射决定0.67Pb(Mg1/3Nb2/3)Ｏ3－0.33ＰbTiO3单晶的弹性、压电和介电常数

我们报道了用高分辨布里渊散射,确定0.67Pb(Mg1/3Nb2/3)Ｏ３－０．３３ＰbTiO3单晶中的弹性、压电和介电常数.所有的实验数据都是在一块沿［001］方向的极化的单晶样品上获得的。我们实验中得到的这些常数的数值和以往超声共振技术获得的数值相似。我们还研究了压缩模和剪切模在(010)和(001)平面内的方向依赖性。TA1和TA2模式的强度对散射角度有很强列依赖性。在散射角度为45°~65°内, 一个新的峰出现在~18 GHz附近。它可能与晶体中的微观不均匀性或者局域微结构相关。     

ZBLAN玻璃中Pr3+掺杂离子3P0和1D2能级的发光特性和寿命

对ZBLAN氟锆酸盐玻璃中Pr³⁺掺杂离子³P₀和¹D₂能级的寿命和发光特性进行了较详细的光谱学研究。首先测量了两种掺杂浓度(质量分数分别为1×10^-3,5×10^-3)的Pr³⁺:ZBLAN玻璃的吸收光谱,然后运用时间分辨激光光谱技术测量了³P₀和¹D₂能级在激光单光子共振激发下的荧光发射谱和能级寿命。将不同荧光发射谱带的强度和文献报道的Judd Ofelt理论计算辐射跃迁几率数值做了比较分析,证明了文献中理论计算结果的可靠性。由于浓度猝灭效应,在相同的激发条件下,掺杂浓度为1×10^-3样品的荧光发射强度明显大于5×10^-3样品的荧光发射强度。但是从我们的测量结果看,掺杂浓度对³P₀和¹D₂ 的能级寿命值无显著影响。掺杂浓度为1×10^-3时,Pr³⁺离子³P₀和¹D₂能级的寿命值分别为46,322μ_s。     

Ba/Mg 比值对(BaxMg)2/(x+1)Al10O17∶Eu2+晶体结构和发光特性的影响

采用溶液燃烧法在600℃成功合成了(BaxMg)2/(x 1)Al10O17∶Eu2 (0.6≤x≤1.2)蓝色荧光粉,着重研究了基质阳离子Ba/Mg比值的变化对其晶体结构及发光特性的影响。结果表明,合成的产物为纯相,且随Ba/Mg比值的增加,样品的晶格参量逐渐增加;当Ba/Mg比增加时,发射光谱的强度明显增强,至Ba/Mg为0.9时达到最大值,然后随Ba/Mg比继续增大,发射光谱的强度反而下降;Ba/Mg比值减少,导致基质的晶场增强和电子云膨胀效应的发生,致使Eu2 发射主峰向长波方向移动。Eu2 的掺杂浓度对样品的发光性能有显著的影响,随Eu2 浓度增大,发光中心增多,Eu2 离子间相互作用增强,能量传递加快,发光强度逐渐增大,并达到一个最大值。此后,随Eu2 的浓度进一步增加,Eu2 之间的能量传递速率将超过发射速率,呈现浓度猝灭特性。     

液芯光纤中溶液吸收和荧光的性质对CS2受激拉曼散射阈值的影响

利用液芯光纤技术研究了不同浓度的β-Carotene的CS₂溶液的吸收与荧光的特性对CS₂的一、二阶Stokes谱线阈值的影响.实验发现随溶液浓度(10^-8—10^-6 mol/L)增加，CS₂的一阶Stokes谱线的激发阈值相对变高；并且与纯CS₂芯液的受激拉曼散射相比较，在低抽运能量激发下，就观察到CS₂的二阶Stokes谱线.这主要是由于在CS₂的受激拉曼谱线产生的过程中，β-Carotene的CS₂溶液的吸收和荧光共同影响了CS₂的一、二阶Stokes谱线的阈值.我们进行了理论上的拟合与分析，其结果与实验符合很好. 关键词： 2受激拉曼散射阈值')" href="#">CS₂受激拉曼散射阈值 液芯光纤 吸收与荧光