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研制出30个单元的InGAaSp/InGaP/GaAs分别限制双异质结单量子阱激光器列阵,器件外微分量子效率达78%,发向波长808nm,准连续输出的光功率达27W。 相似文献
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高功率808nm InGaAsP—GaAs分别限制结构的半导体激光器 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了研究分别限制结构InGaAsP-GaAs半导体激光器所得到的最新成果。利用引进的俄国技术,基于量子阱结构的InGaAsP-GaAs激光器,可用短时间液相外延技术制造。在GaAs衬底上制成的InGaAsP-GaAs分别限制结构的激光器,主要参数如下:发射波入λ=808nm,阈值电流密度J=300A/cm^2,对于条宽ω=100μm的激光器,连续功率为1-2W。 相似文献
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报导了InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs垂直耦合量子结在注入式激光器的制备工艺及其光致荧光谱,量热吸收谱和电致荧光谱的特性,该激光器的连续波波发光功率在室温下可达1W。 相似文献
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研究了退火条件和 In 组份对分子束外延生长的 In Ga As 量子点(分别以 Ga As或 Al Ga As 为基体)光学特性的影响。表明:量子点中 In 含量的增加将导致载流子的定域能增加和基态与激发态之间的能量间隔增大。采用垂直耦合的量子点及宽能带的 Al Ga As 基体可增强材料的热稳定性。以 Al Ga As 为基体的 In Ga As 量子点,高温后退火工艺 ( T= 830℃)可改善低温生长的 Al Ga As 层的质量,从而改善量子点激光器材料的质量。 相似文献
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汽─液─固相法生长GaAs/InAs量子点1995年4月,日本《固体物理》第30卷第399页发表的比留间健之等的文章介绍了汽-液-固相法生长的GaAs/InAs量子点及其光荧光蓝移现象。在以As终止的GaAs(111)面上真空蒸发约1nm的Au膜,加... 相似文献
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建立了半导体激光器电光取样系统。选择1.3μm,InGaAs增益开关半导体激光器作为取样光源,利用微带GaAs衬底的纵向电光效应作为电光取样器,测量了InGaAs/InP雪崩二极管的脉冲响应特性。分析表明,本系统具有0.35mV/√Hz的电压灵敏度和9ps的时间分辨率。 相似文献
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报道了808nm无铝InGaAsP/GaAs高功率连续阵列半导体激光器,在频率100Hz,脉冲宽度200μs,占空比达20%时,单阵列条的输出光功率室温下达到37W。 相似文献
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本文研究了用低压金属有机化合物汽相外延(LP-MOCVD)技术在(100)InP衬底上生长InGaAsp体材料及InGaAP/InP量子阱结构材料的生长条件。三甲基镓(TM63)、三甲基铟(TMh)和纯的砷烷(A8H3)、磷烷(PH3)分别用作Ⅲ族和Ⅴ族源,在非故意掺杂情况下,InGaAsP材料的载流子浓度为3.6×1015cm-3;在液氦温度和室温下,与InP晶格匹配的InGaAsP光致发光半峰宽分别为19.2meV和63meV;对外延层的组分及厚度均匀性分别进行了转靶X光衍射仪,低温光致发光和扫描电子显微镜分析,对不同阱宽的量子阱结构材料测出了由于量子尺寸效应导致光致发光波长随阱宽增加而红移现象。 相似文献
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单量子势阱激光器的三元衬底生长日本富士实验室已研制出一种液体密封式切克劳斯基晶体生长法(Czochralski),用来生长高质量InGaAs晶体,继之用来生长单量子势讲InGaAsP激光M极管。若能保证生长期间熔料的质量,就可改进块状晶体组份的均匀性... 相似文献
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《Chinese Journal of Lasers》1998,(2)
AmplifiedSpontaneousEmisionofK2YelowBandExcimerandItsGainMeasurementbye┐beam┐pumpingXINGDa1)WANGQi2)TANShici1)(1)Instituteof... 相似文献
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砷化镓探测器的镉上中子辐照改性 总被引:2,自引:1,他引:1
介绍反应堆镉上中子辐照改性的掺铬砷化镓(GaAs:Cr)和本征砷化镓(GaAs)光电导探测器,研究了探测器的响应时间、粒子灵敏度及输出电流随镉上中子辐照改性注量和施加偏压的变化关系。 相似文献
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应用深能级瞬态谱(DLTs)技术详细研究低压-金属有机物汽相外延(LP-MOVPE)生长的Ga_(0.47)In_(0.53)As/Inp量子阱、宽接触和质子轰击条形异质结激光器中的深能级。样品的DLTS表明,在宽接触激光器的i-Ga_(0.47)In_(0.53)As有源层里观察到H1(E_v+0.09eV)和E1(E_c-0.35eV)陷阱,它们可能分别与样品生长过程中扩散到i-Ga_(0.47)In_(0.53)As有源层的Zn和材料本身的原生缺陷有关。而条形激光器的i-Ga_(0.47)In_(0.53)As有源层的H2(E_v+0.11eV)和E2(E_v-0.42eV)陷阱则可能是H1和E1与质子轰击引起的损伤相互作用的产物。 相似文献
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采用反应离子刻蚀技术,设计、制备了一种角反射器耦合的10单元InGaAs应变层单量子阱镇相列阵激光器。在高达4×Ith的工作电流范围内,获得了主单瓣远场输出,单瓣束宽最低达0.64°,接近衍射极限。考虑了角反射器引入的纵模与侧模之间的耦合,及载流子注入引起的反折射率导引,用微扰理论作了模拟计算,表明角反射器耦合是锁相列阵的一种新的耦合机制;主瓣对应于同相锁定,支瓣是由周期性微扰引入的高阶本征模。 相似文献
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应用一种新颖的无损伤测量技术-连续波电光检测法(CWEOP)对GaAs/GaAlAs单异质结发光管列阵电场分布进行了扫描测量。实验结果反映了器件内电流注入的方向和载流子扩展情况;通过比较各单元电场分布,反映器件发光均匀性。文中详细介绍了测量原理、实验装置和实验结果及讨论,最后用计算机对电场分布作了模拟计算并与实验结果进行了对照。 相似文献