首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
以硅钨酸为活性物质 ,邻苯二甲酸二辛酯为增塑剂制成的 5%聚氯乙烯四氢呋喃溶液 ,涂在离子敏感场效应晶体管 ( ISFET)的栅极上 ,形成对药物敏感的场效应晶体管 ( Drug FET)。由该 Drug FET制成的化学传感器对盐酸丁氯喘的线性响应范围为 1 .0 0× 1 0 - 5~ 1 .50× 1 0 - 1mo L/L,斜率为 60 m V/Δpc,适宜的 p H范围为 4.5~8.2 ,检测下限为 8.50× 1 0 - 6 mo L/L。用该传感器分析了丁氯喘片剂的含量 ,和分光光度法测定的结果相一致  相似文献   

2.
在pH 为0.91 的HCl-NaOAc 缓冲介质中, 盐酸巴马汀与硅钨酸通过静电相互作用导致共振光散射信号显著增强,最大散射波长为297 nm, 增强的散射信号强度与盐酸巴马汀浓度在0.09~3.2 μg/mL 范围内呈线性关系, 据此建立了盐酸巴马汀的共振光散射分析方法, 检测限为9.1 ng/mL. 实验考察了pH、离子强度对体系的影响, 研究了体系紫外吸收光谱及荧光光谱, 讨论了共振光散射增强机理. 该方法用于黄藤素片、黄藤素胶囊及血清样品中盐酸巴马汀含量测定,RSD≤4.2%.  相似文献   

3.
利用荧光光谱及红外光谱法研究了硅钨杂多酸与氧氟沙星分子的相互作用。结果表明,在溶液中硅钨酸分子与氧氟沙星生成新的配合物,导致氧氟沙星溶液荧光的猝灭,其猝灭类型主要为静态猝灭。通过测定反应的表观结合常数、结合位点数及结合热力学参数,证明硅钨酸与氧氟沙星分子主要通过静电和疏水作用形成配合物, 配合物中的硅钨酸仍保持Keggin结构。  相似文献   

4.
小檗碱敏感场效应晶体管的研制与应用   总被引:6,自引:0,他引:6  
李先文  黄强 《分析化学》1997,25(11):1297-1299
  相似文献   

5.
盐酸苯海拉明-硅钨酸缔合微粒体系的光谱研究及分析应用;盐酸苯海拉明;硅钨杂多酸;缔合微粒;分光光度法;共振散射  相似文献   

6.
12-硅钨酸与γ-Al2O3载体表面的相互作用   总被引:4,自引:0,他引:4  
王新平  叶兴凯  吴越 《催化学报》1996,17(2):149-152
研究了不同溶剂中的SiW12在γ-Al2O3表面的吸附和溶脱规律,以IR,XRD以及酸催化模型探针反应对吸附于γAl2O3表面的SiW12的存在形态和酸性进行了表征。尽管SiW12碱降解稳定性在常见杂多酸中最强,但由水溶液中吸附在γ-Al2O3表面的SiW12仍有一部分被该载体的碱性所降解,此外,在γ-Al2O3表面上SiW12质子活性性大大减弱,其阴离子的热稳定性也明显降低了可以认为,SiW12  相似文献   

7.
硅钨酸催化实用香料苹果酯-β的合成研究   总被引:12,自引:0,他引:12  
苹果酯的化学名称为2,4-二甲基-2-乙酸乙酯基-1,3二氧环戊烷,具有新鲜苹果和草莓香味,是广泛用于花型和果香型精调配的实用香料^[1]。它的合成是以乙酰乙酸乙酯和1,2-丙二醇为原料,在催化剂作用下经脱水缩合而得。文献报道的催化剂有质子酸[1,6]、氯化物^[8]、硫酸铝^[4]、复合催化剂^[5]固体超强酸^[7]等。研究实践发现,质子酸催化合成的工序复杂,污染严重,腐蚀设备,副反应多,产品纯度不高。用其它催化剂时,有的是反应时间长,有的是催化剂难以制备。我们在以往研究工作的基础上,新近研究又发现固体的硅钨酸作催化剂,活性高,反应时间短,反应完成后固液分离,使产品后处理简单。产物经气相色谱分析,纯度高达98%以上。  相似文献   

8.
粉状白钨酸在含聚乙烯的水溶液中能够形成十聚钨酸,通过紫外-可见吸收光谱,顺磁共振,pH滴定及五价钨的测定十聚钨酸的稳定性和光致变色性质进行了研究,结果表明,十聚钨酸的还原程度与溶液的酸度有关,在较高的pH条件下形成单电子还原物种,而在较低的pH条件下则主要形成双电子还原物种。  相似文献   

9.
韩波  刘飞飞  张玉琦  王俏  马荣萱  郭宏 《有机化学》2012,32(6):1121-1125
以keggin型硅钨酸为催化剂,β-萘酚、醛为原料,在乙醇和无溶剂两种体系中,分别合成了1,1’-烷基(芳基)二-2-萘酚和14-烷基(芳基)-14H-二苯并[a,j]氧杂蒽两类化合物.该方法不仅反应时间短,产率高,后处理简单易分离,而且催化剂价廉易得,对环境友好.  相似文献   

10.
研究了不同溶剂中SiW12在γ-Al2O3表面的吸附和溶脱规律,以IR,XRD以及酸催化模型探针反应对吸附于γ-Al2O3表面的SiW12的存在形态和酸性进行了表征.尽管SiW12碱降解稳定性在常见杂多酸中最强,但由水溶液中吸附在γ-Al2O3表面的SiW12仍有一部分被该载体的碱性所降解.此外,在γ-Al2O3表面上SiW12质子的活动性大大减弱,其阴离子的热稳定性也明显降低.可以认为,SiW12的质子和Keggin阴离子与γ-Al2O3表面均有直接相互作用.  相似文献   

11.
罗贤  吕桂琴 《无机化学学报》2011,27(9):1705-1708
运用自组装和电化学组装联用方法,将镍卟啉配合物THPPNi和Keggin型硅钨酸SiW12修饰到玻碳电极上,制备镍卟啉修饰电极和镍卟啉/硅钨酸复合修饰电极,研究其在DMF溶液中的电化学行为,测定在碱性条件下对NO2-和BrO3-的电催化性能。循环伏安和交流阻抗研究结果表明,复合修饰电极THPPNi/SiW12的电极过程属于扩散控制过程;复合修饰电极优于单一修饰金属卟啉和多酸修饰电极。  相似文献   

12.
溶胶-凝胶膜修饰抗坏血酸电位传感器的研制及应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
报道了溶胶-凝胶(Sol-Gel)技术包埋生物活性分子制备抗坏血酸(VC)传感器。探索了Sol-Gel膜修饰VC电位传感器的制备方法、测试条件及共存物的影响。该传感器直接响应VC浓度的线性范围为10-1~10-5mol/L,斜率29.3mV/pVC,检出限为7.9×10-6mol/L,VC浓度≥10-5mol/L时,响应时间1min。方法用于实际样品测定,回收率范围为97.3%~101.3%。  相似文献   

13.
将Keggin型硅钨酸-阿托品缔和物掺杂到溶胶-凝胶中,滴涂在离子敏感场效应晶体管的栅极表面,制备成传感器.并对传感器的电化学行为,包括pH值的影响和传感器的稳定性进行了研究.结果表明此传感器既保持了离子敏感场效应晶体管的特点,又具有良好的稳定性和灵敏度.传感器对阿托品响应的线性范围为1.0×10-3~5.0×10-6 mol·L-1,响应灵敏度为59.0 mV/pc,传感器适宜的pH为3.0~8.0.用所制传感器测定阿托品注射液的含量,结果和药典方法相一致.  相似文献   

14.
将离子敏感场效应晶体管(ISFET)与药物敏感膜相结合,研制成一种对麻黄碱有良好响应的药物敏感场效应晶体管传感器(DrugFET).该器件具有全固态化、体积小、易微型化、集成化和多功能化等优点.采用磷钨酸作电活性物质,制成PVC膜ISFET,对麻黄碱的线性响应范围为3.0×10-6~1.0×10-1mol/L,检出限为1.0×10-6mol/L,传感器适宜的pH范围为3.0~8.0.用该传感器分析麻黄碱片剂的含量,结果和药典方法吻合.  相似文献   

15.
钒(Ⅳ)—硫胺素荧光光度法的研究与应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
陈小明  黄灵芝 《分析化学》1999,27(12):1435-1437
利用钒(Ⅳ)作为氧化剂将硫胺素氧化成硫胺荧,建立了一种测量痕量硫胺素的荧光分光光度法,并将该方法应用于药物中硫胺素的测定。该方法测定硫胺素的线性范围为0.8~240.0μg/L;检出限为0.45μg/L;对于40.0μg/L的硫胺素测定10次,其相对标准偏差为1.5%。  相似文献   

16.
阳离子交换树脂对盐酸麻黄碱交换吸附与解离的研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
研究了强酸型阳离子交换树脂对盐酸麻黄碱的交换吸附与妥离作用。发现在弱碱和酸性溶液中树脂地盐酸麻黄碱的亲和力很强。强碱性环境则不利同树脂的亲和;用2.0Mol/L NaOH或2.0Mol/L HCl作为解离液时的解离效果优于2.0Mol/L NaCl溶液的解离液效果。温度对解离的影响不是很大,在室温条件下进行解离即可取得较好的解离效果。选用了有机溶剂乙醇,乙二醇,乙腈和四氢呋喃作为解离增强剂,以乙醇较为合适,且其浓度在15%左右时较好,在给定离子交换柱中的解离情况,用含2.0Mol/L HCl的15%乙醇地,回收率为91%。  相似文献   

17.
利用衍生化度剂合成双-(叔丁基二甲基硅氧烷基)硅卟啉,增强卟啉的挥发性,使其适合GC,GC-MS分析是生物地球化学中研究卟啉常用的分析手段,然而对其衍生物的合成条件沿未见研究报道。文中对合成路线的各步反应进行了较详细的探讨,发现温度、时间对瓜在有重要影响外,反应对光、氧气、水等极为敏感,避光、高纯氮保护及溶剂的完全脱水处理非常必要。最终采用的合成条件重复性好、收率高。  相似文献   

18.
19.
20.
在模拟人体生理条件下,采用紫外光谱法、荧光光谱法和同步荧光光谱法研究盐酸麻黄碱及盐酸伪麻黄碱与人血清白蛋白(HSA)的结合作用.实验表明:盐酸麻黄碱和盐酸伪麻黄碱对HSA的荧光猝灭机制均为静态猝灭,盐酸麻黄碱和盐酸伪麻黄碱与HSA均形成1∶1复合物,结合常数K分别为2.53×104 L·mol-1和2.02×104 L...  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号