1024位6相时钟MOS图像传感器

介绍一种采用６相时钟电路的１０２４位ＭＯＳ图像传感器，其像元中心距为１５μｍ，移位寄存器采用５管动态无比电路，功耗小于０．５ｍＷ，且与位数无关。器件光敏面上沉积了ＳｉＯ２增透膜，提高了光电转换效率。给出了该器件光电参数测试结果。     

增强型CCD图像传感器

扩展ＣＣＤ有用成像和探测范围的工作已进行，该工作是通过直接光学耦合和像增强器与ＣＣＤ组合来实现，已经证明，采用现有国产ＣＣＤ和微通道板像增强耦合技术可提高ＣＣＤ有用的范围２个数量级。     

CMOS图像传感器研究

结合CMOS图像传感感器的研究背景,从5个方面对CMOS图像传感器与CCD图像传感器的优缺点进行了比较,重点分析了CMOS图像传感器的结构、工作原理以及影响传感器性能的主要因素,并给出了相应的解决方法。最后,预测CMOS图像传感器的技术发展趋势。     

CCD图像传感器在军事上的应用

本文概述了ＣＣＤ图像传感器在战术侦察、导弹制导、空间遥感和侦察卫星等军用武器系统方面的应用现状。     

高清晰度CCD图像传感器及其发展趋势

介绍了高密度象素和高清晰度CCD图像传感器的用途、进展和技术发展趋势。     

固体图像传感器在交通领域中的应用

概述固体图像传感器的类型和特点，探讨固体图像传感器在公路交通领域中的应用。     

CMOS图像传感器及其研究

介绍了CMOS图像传感器的工作原理,比较了CCD图像传感器与CMOS图像传感器的优缺点,指出了CMOS图像传感器的技术问题和解决途径,综述了CMOS图像传感器的现状和发展趋势.     

CCD图像传感器在军用武器装备中的应用

CCD图像传感器实质是MOS电容器的新应用，目前国外发展很快，已趋于成熟，并且进入批量生产阶段，应用领域不断扩展。本文主要概述CCD图像传感器在军用武器装备中的应用。     

新颖固体图像传感器的发展及应用

主要概述Super CCD、CMOS图像传感器、C^3D、APDIS、ARAMIS、Foveon X3全色CMOS图像传感器、VMIS、薄膜ASIC图像传感器、See MOS图像传感器等新颖固体图像传感器的发展现状。此外，简单介绍其应用市场和主要技术。     

固体图像传感器在交通工程中的应用

本文概述了固体图像传感器的类型、特点，探讨了固体图像传感器在公路交通领域中的应用。     

CCD图像传感器在微光电视系统中的应用

本文在对CCD图像传感器的特性进行分析的基础上，阐述了CCD图像传感器在微光电视系统中的应用，重点讨论了CCD与像增强器的耦合方式，并指出了应用当中应该注意的几个问题及解决的途径。     

CCD图像传感器的原理及应用概述

CCD图像传感器实质是MOS电容器的新应用，目前国外发展很快，已趋于成熟，并且进入批量生产阶段，应用领域不断扩展。本文主要概述CCD的基本工作原理及应用。     

CCD图像传感器的高分辨率技术

评价了 Ｃ Ｃ Ｄ 图像传感器与电子束摄像管的性能。分析了高分辨率 Ｃ Ｃ Ｄ 像感器的技术难点。阐述了解决这些问题的技术措施：双 Ｈ－ Ｃ Ｃ Ｄ 移位寄存器、 Ｓ Ｒ Ｄ 法、 Ｃ Ｃ Ｓ 法及微透镜技术等。给出了三种新器件的技术指标,并与常规方法构成的器件进行了比较     

纳米CMOS图像传感器及其在航空航天中的应用

随着超大规模集成技术的飞速发展,CMOS图像传感器已成为研究开发的热点。简要介绍和分析了基于非平衡格林函数、维格纳函数与密度矩阵、单粒子薛定谔方程的三种纳米CMOS器件的输运模型,并指出了各种模型的优缺点和适用对象;针对纳米CMOS图像传感器面临的关键技术问题,给出了相应的解决方法;讨论了纳米CMOS图像传感器在航空航天中的应用。     

CCD图像传感器在军用武器装备中的应用

CCD图像传感器实质是MOS电容器的新应用，目前国外发展很快，已趋于成熟，并且进入批量生产阶段，应用领域不断扩展。本文主要概述CCD图像传感器在军用武器装备中的应用。     

非晶硅CCD列阵图像传感器的设计考虑

文中讨论了非晶硅光电二极管及CCD器件的设计考虑。用α－Si：H光电二极管构成CCD器件的光敏元，提高了光敏单元填充因子，并提出了图像传感器的结构和制作工艺。     

新型高灵敏度MOS图像传感器

本文叙述了一种新型高灵敏度线阵MOS图像传感器的工作原理及设计考虑。着重分析了影响器件固定图形噪声的因素及其消除方法。设计了一种高速低功耗扫描电路。最后,讨论了器件制作工艺并给出器件主要参数的测试结果。     

电荷耦合器件图像传感器在军事成像系统中的应用

概述CCD图像传感器在各种军用成像系统中的发展与应用。     

激光退火在背照式CCD图像传感器中的应用研究

激光退火是消除背照式电荷耦合器件(CCD)图像传感器背面势阱的重要工艺。文章研究了激光退火工艺中不同的激光波长、能量密度、光斑交叠率对掺杂杂质激活效率、器件表面形貌、成像质量及紫外量子效率的影响。研究结果表明,在浅结注入的情况下,355 nm波长激光激活效率要优于532 nm激光,但是355 nm激光比532 nm激光更易在较低能量密度时使硅片出现龟裂现象。采用2 J/cm²能量密度、50%～65%交叠率,355 nm激光能有效激活离子注入的硼离子,背照式CCD图像传感器成像均匀性好,紫外量子效率明显提升。     

CCD图像传感器的原理及军事应用

分析一种多功能图像传感器-电荷耦合器件（CCD）的基本结构和工作原理，概述它在军事方面的应用及其发展前景。