钠掺杂对Bi1.5ZnNb1.5O7陶瓷结构和介电弛豫的影响

采用二次固相反应法制备Bi1.5-xNaxZnNb1.5O7(BNZN,0相似文献   

Mg离子掺杂对含锆铋基焦绿石材料介电弛豫性能影响

采用固相反应法制备陶瓷(Bi1.5Zn0.5-xMgx)(Zr1.5Nb0.5)O7(BZMZN)(x=0.1、0.2、0.3、0.5),研究Mg2+取代对材料结构、组成、介电性能以及弛豫特性的影响.X射线衍射分析表明,当Mg2+从部分至完全取代Zn2+,均合成了立方焦绿石主晶相结构,并有微量Bi12MgO19相产生.随着Mg2+取代量的增加材料介电常数和介电损耗略有下降.材料在-150℃左右具有明显的介电弛豫特征,对其弛豫过程进行拟合与计算,并结合价键理论探讨了BZMZN系焦绿石的低温介电弛豫机制,这种弛豫源于材料结构中A位离子的不均匀分布及A位离子与O'位离子的本征跃迁过程.     

晶格动力学性质对钛酸锶介电行为的影响

在105 K钛酸锶(SrTiO3)发生立方-四方的反铁畸变,对量子效应的吉布斯自由能取极小值,可得到一系列方程,原则上可以确定任意系统相变时的介电性质.研究了晶格动力学性质,特别是软模的行为,对理解介电性非常重要.介电常数完全由低频的光学声子模决定,从晶格动力学的性质出发,分析了低温时的居里-外斯定律行为.     

Y2O3掺杂对(Ba0.85Ca0.15)Zr0.1Ti0.896Sm0.004O3无铅压电陶瓷介电弛豫与电性能的影响

采用固相法制备了(Ba0.85Ca0.15)1-xYxZr0.1Ti0.896Sm0.004O3(BCZTS-Yx)无铅压电陶瓷.研究了Y2O3含量对BCZTS-Yx无铅压电陶瓷相结构、压电与介电性能的影响.结果表明:Y3+作为施主掺杂物占据A位.当0.004≤x≤0.006时,陶瓷存在三方相与四方相共存的准同型相界结构.当x=0.006时,陶瓷具有最佳的电性能,分别为d33=384 pC/N,kp=37.2;,εr～6775,tanδ ～ 2.04;.利用Curie-Weiss定律对该实验结果进行拟合,发现x为0.006的样品的介电弛豫特征更为明显.     

典型阴离子杂质对KDP晶体电导特性的影响

针对KDP晶体生长过程中常出现的SO2-4,NO-3和Cl-杂质,采用传统法和快速法掺杂生长了一系列KDP晶体,研究了不同阴离子杂质掺杂对KDP晶体X和Z向的电导率的影响.结果表明,X向的电导率比Z向电导率高;未掺杂时,快速生长的KDP晶体比传统法生长的KDP晶体具有更高的电导率; SO2-4的掺杂增大了晶体在两个方向的电导率,且随着掺杂浓度的增加,晶体的电导率也相应增大;NO-3和Cl-对KDP晶体的电导率影响不大.分析认为,快速生长的KDP晶体具有更高的缺陷浓度,从而增大了晶体的电导率;SO2-4具有与PO3-4结构的相似性,从而能够取代部分PO3-4进入晶格,从而产生H+空位.H+空位的定向移动能增大晶体的电导率.而NO-3和Cl-与PO3-4结构差异较大,很难取代进入PO3-4晶格,因此NO-3和Cl-对KDP晶体的电导率影响不大.     

NBT-KBT-xLN系陶瓷的介电与铁电性能研究

采用传统电子陶瓷工艺制备了(1-x)(0.88Na0.5Bi0.5TiO3-0.12K0.5Bi0.5TiO3)-xLiNbO3(简写为NBT-KBT-xLN)无铅压电陶瓷体系,研究了该陶瓷体系的相结构、显微结构、铁电及介电性能.结果表明:在材料组成范围内(0.02≤x≤0.08),系列试样均形成了稳定的三方相钙钛矿结构;随着LiNbO3含量的增加,系列试样的矫顽场从4.41 kV/mm显著下降至1.51 kV/mm;LiNbO3的引入对材料的介电性能作用明显,随着LiNbO3含量的增加,系列试样的铁电-反铁电相变峰明显向低温方向移动,而反铁电-顺电相变峰则表现为明显的压峰效应.     

SnO2掺杂对(Ba0.85Ca0.15)(Ti0.9Zr0.1-xSnx)O3无铅压电陶瓷介电弛豫与电性能的影响

采用固相烧结法制备了(Ba0.85Ca0.15)(Ti09Zr0.1-xSnx) O3(BCZTS)无铅压电陶瓷.研究了不同含量SnO2(x=0,0.02,0.04,0.06,0.08)对BCZT无铅压电陶瓷相结构、压电性能、介电性能和铁电性能的影响,并利用XRD、SEM、准静态d33测试仪等表征样品.结果表明,所有样品均为单一钙钛矿结构.当掺杂x=0.02时,(Ba0.ss Ca0.1s)(Ti0.9 Zr0.1-xSnx) O3无铅压电陶瓷材料的综合性能优异:d33 =553 pC/N,kp=49;,εr～ 7474(l kHz),tanδ～1.5; (lkHz),Pr=6.06 μC/cm2,Ec=2 kV/cm,利用Curie-Weiss定律对该实验结果进行拟合,发现x=0.02的样品的介电弛豫特征更为明显.     

混合阴离子磷酸盐RbCd6(P2O7)2P3O10的热学与光学特性研究

利用高温固态反应技术合成了一种新型磷酸盐RbCd6(P2 O7)2 P3O10,并用高温熔盐法自发结晶获得了其单晶.X射线单晶衍射分析表明,该物质结构中含有两种孤立的聚阴离子:P2O7二聚体与P3O10三聚体.两种不同的聚阴离子基元共存于一种结构中,在磷酸盐体系中很少见.这一发现不仅丰富了磷酸盐的结构化学,而且为混合阴离子材料的设计提供了新视角.此外,对该物质的热稳定性及光学性能进行了表征.     

固相反应法制备CaO-B2O3-SiO2介电陶瓷及性能研究

Ca(OH)2、H3 BO3、SiO2作为初始原料应用固相反应法在低烧结温度下制备CaO-B2 O3-SiO2(CBS)介电陶瓷材料.研究了不同烧结温度和B2 O3含量对陶瓷的致密性、介电和机械性能的影响.X射线衍射(XRD)分析表明,在875℃至975℃的温度范围内,存在主要的结晶相为β-CaSiO3和少量SiO2相.结果表明,最佳烧结温度为950℃,B2 O3含量的增加会使得烧结温度区间变窄,发生"硼反常"现象,并且致密度、介电性能和机械性能也会随之先减小后增大.并且过量的B2 O3不利于主晶相β-CaSiO3的析出.当B2 O3含量为25mol;时,在950℃烧结的试样具有最好的抗弯强度:σf=319 MPa.当B2 O3含量为5mol;时,在950℃烧结的试样具有最好的致密性和介电性能:密度为2.6869 g/cm3,εr=6.12,tanδ=7.4×10-4,ρv=6.64×10-4Ω·cm(1 MHz).     

Fe2O3对MgO-Al2O3-SiO2系微晶玻璃介电性能的影响

以化学纯试剂为原料采用高温熔融法制备MgO-Al2O3-SiO2 (MAS)系微晶玻璃,利用差热分析仪(DSC)、X射线衍射(XRD)、电子扫描显微镜(SEM)以及介电检测等手段对Fe2O3在MAS系微晶玻璃中介电性能的影响进行探究.结果表明:Fe2O3有降低微晶玻璃核化和晶化温度的作用;随着Fe2O3的加入,试样的主晶相由堇青石向镁铝尖晶石转变,试样的介电常数和介电损耗逐渐减小并且电阻率增高;当Fe2O3的添加量大于6;时,微晶玻璃的介电性能变化不大,趋于稳定.     

B位复合离子取代BNT无铅陶瓷的压电介电性能

采用两步合成工艺,制备了新型Bi1/2Na1/2Tix(Mg1/3Nb2/3)xO3,系无铅压电陶瓷.研究了B位复合离子取代对BNT陶瓷的晶体结构及压电与介电性能的影响.X射线衍射分析表明,所研究的组成均能够形成纯钙钛矿(ABO3)型固溶体;当x=0.015时,该体系陶瓷具有较佳的压电性能:压电常数d33=101 pC/N;k,=0.48.陶瓷材料的介电常数-温度曲线显示该体系材料具有明显的弥散相变特征.该体系陶瓷具有高kt值,低kp值;其比值kt/kp较大,具有较大的各向异性,是一种适合高频下使用的优良的超声换能材料.     

Mg3(Si1-xCex)2O7系复合陶瓷微波介电性能研究

采用固相反应法按式Mg3(Si1-xCex)2O7(x=0.2,0.3,0.4和0.5)制备了MgO-SiO2-CeO2系列微波介质陶瓷材料,研究了不同组分体系的相组成与结构、微观结构与微波介电性能之间的影响关系.结果显示:MgO-SiO2-CeO2体系在研究组分范围内的晶相主要由正交相的Mg2SiO4与立方相的CeO2组成;其中,当x=0.5时出现了少量的未知相;经EDS分析可知,该未知相是由Mg、Si、Ce和O元素组成的新相;随着x值的增加,体系εr和τf值在1350～1600℃烧结温度下的变化不明显,而体系的Q×f值则呈先降后升趋势.此外,尽管体系并未能确定形成RP相层状结构,但其研究结果仍对探索新型RP相微波介质材料具有借鉴作用.     

Effect of Electric Field on Dielectric Properties of SnO2 Sb2O3 and their Mixed Thin Films

Thin films of various thicknesses in the MIM structure have been prepared from the the powders of SnO₂, Sb₂O₃ and (SnO₂ + Sb₂O₃) of high purity by the thermal evaporation technique in a vacuum of 10⁻⁵ Torr. Dielectric properties of SnO₂, Sb₂O₃, and their mixed thin films have been studied with ac and dc electric fields and frequency. Capacitance and loss tangent are almost independent on dc voltage upto 1.0 V for SnO₂, 10.0 V for Sb₂O₃ and 2.5 V for mixed films. These capacitors become unstable at 1.0 V for SnO₂ films and 2.5 V for mixed films. For higher film thicknesses the decay in these films starts at higher voltages. Capacitance and loss tangent increases with applied ac voltage in SnO₂, Sb₂O₃, and their mixed films. A comparison of the capacitance values of SnO₂, Sb₂O₃, and their mixed films showed that the capacitance values are less in Sb₂O₃ as compared to SnO₂ films. In mixed films the capacitance is greater than the constituent films. These studies have shown that Sb₂O₃ films are found to be more stable compared to SnO₂ and their mixed films for ac and dc voltages. The results thus obtained on SnO₂, Sb₂O₃, and their films are presented and discussed.     

B2O3-CuO-Li2CO3对CSLST陶瓷微波介电性能影响的研究

研究了添加5;B2O3-CuO基础上再添加不同含量的Li2CO3 复合烧结助剂对(Ca0.9375Sr0.0625)0.3(Li0.5Sm0.5)0.7TiO3 (CSLST)陶瓷的烧结行为及微波介电性能的影响.研究结果表明:添加复合烧结助剂的陶瓷烧结后其晶相仍呈斜方钙钛矿结构.在不劣化微波介电性能的条件下,陶瓷的烧结温度可降至950 ℃,随Li2CO3含量的增加,添加复合烧结助剂的CSLST陶瓷的体积密度和介电常数εr 逐渐降低.当Li2CO3添加量为0.5 ;时,在950 ℃保温5 h,所制得的陶瓷具有优良的微波介电性能:εr=84.7,Qf=1929 GHz,τf=28.76×10-6 /℃.     

BaTiO3-Nb2O5-Fe2O3陶瓷介电性能的研究

利用传统方法制备了BaTiO3-Nb2O5-Fe2O3(BTNF)陶瓷,采用X射线衍射仪、电容测试仪、电滞回线测量仪等测试手段研究了不同添加剂(Fe2O3、Co2O3、Nb2O5)对陶瓷晶体结构、介电性能及铁电性的影响.结果表明:Nb2O5是施主掺杂,易引起晶格畸变,使四方率增大;而Fe2O3为受主掺杂,其可提高氧空位浓度,促进BaTiO3陶瓷晶粒生长.同时掺杂Fe2O3、Nb2O5时,可以相互补偿.当Fe2O3浓度约为0.15;摩尔分数,Nb2O5浓度为0.79;摩尔分数时,陶瓷的介电常数达到4443,温度特性≤±10;,可以满足Y5P瓷料的要求.     

纳米AgSnO2/Bi2O3触头材料的性能及导电机理研究

添加少量第三种元素的AgSnO2触头材料的电性能研究均处在试验阶段而未深入到理论研究阶段.本文采用溶胶-凝胶法制备纳米级AgSnO2/Bi2 O3触头材料,材料的密度为9.73 g/cm3、硬度为105.35HV、电导率为70.22;IACS,并且接触电阻较小.在掺杂Bi元素提高触头材料性能的基础上,进行导电机理的研究.从微观原子角度采用第一性原理的计算方法,计算了Bi掺杂SnO2的电子结构、能带图、态密度及电荷密度分布.结果表明,Bi掺杂后带隙减小,电子跃迁容易,同时费米面附近载流子浓度增大,增强了材料的导电性.最终得出添加少量Bi元素能够使得AgSnO2触头材料的导电性增强的机理.     

Identification of a new family of diphosphate compounds, AI2BII3(P2O7)2: Structures of Ag2Co3(P2O7)2, Ag2Mn3(P2O7)2, and Na2Cd3(P2O7)2

Syntheses and single-crystal X-ray structural results are reported for three new mixed diphosphates of the family A^I ₂B^II ₃(P₂O₇)₂; Ag₂Co₃(P₂O₇)₂ (I), Ag₂Mn₃(P₂O₇)₂ (II), and Na₂Cd₃(P₂O₇)₂ (III). All crystallize in the triclinic system, space group P1 bar: (I) a = 5.351(4), b = 6.375(4), c = 16.532(4) Å, = 80.83(6) = 81.45(4), = 72.87(5)°, V = 528.9(6) ų, Z = 2, D _calc = 4.649 mg/m³, R/Rw = 0.0428/0.0548 for 3949 obs. reflns; (II) a = 5.432(7), b = 6.619(6), c = 16.51(3) Å, = 80.78(8) = 82.43(9), = 72.82(7)°, V = 557.7(13) ų, Z = 2, D _calc = 4.338 mg/m³, R/Rw = 0.0679/0.1303 for 2100 obs. reflns and (III) a = 5.67(3), b = 7.08(4), c = 7.90(4) Å, = 77.0(2), = 82.5(2), = 67.8(2)°, V = 286(3) ų, Z = 2, D _calc = 4.249 mg/m³, R/Rw = 0.0307/0.0342 for 1945 obs. reflns. (I) and (II) are isostructural but (III) is of a different type. All three structures are characterized by layers of P₂O₇ groups alternating with layers of mixed metal atoms. Differences are seen in the conglomerate bonding patterns of B atoms and in the irregular geometry of Ag in (I) and (II) compared to the octahedral bonding seen for Na in (III). The differences in structure may be understood in terms of the ratios of the ionic radii of A and B atoms.