平衡施肥与农作物的平衡吸收

叙述了平衡施肥对农作物生长的重要意义，分析了平衡施肥与农作物平衡吸收的矛盾，提出了促进农作物平衡吸收的措施。大量的实践表明，只有农作物真正平衡吸收所需的营养元素，才能有效提高农作物的产量和质量，提高肥料的利用率，减少化肥对环境的污染，提高农民的投入与产出比。     

硅元素的发现及其概念的发展

通过对硅元素发现历程的考证分析可知,17、18世纪随着科学实验的兴起以及元素观的发展,科学家以实践为基础,运用逻辑思维和直觉思维预见了硅元素的存在;19世纪随着电化学和分析化学的发展,科学家们成功制取无定形硅和晶体硅;20世纪30年代,硅同位素的发现使人们对硅元素的概念有了新认识。总之,随着科学思想的演进和科学方法的发展,硅元素概念的内涵也在不断发展变化。     

硅与肿瘤

对硅与肿瘤的关系作了综述，主要内容包括：硅元素概况，硅的致癌性和合成硅化物抗抗癌药。     

硅元素的发展及其在生产科技与生活中的应用

半导体材料硅，在第三周期IVA族，核外有4个电子，具有较稳定的结构。简述了硅的发展应用史；从化学角度，对单质硅材料、二氧化硅材料、有机硅材料等几个典型材料的元素结构、制备工艺、反应机理和应用机理等方面进行详细分析；总结展望了硅元素未来的发展。     

几种腐植酸类肥料,激素,浸种剂的试制

为了更好地发挥腐植酸促进农作物增产的作用,降低施肥成本,各地积极进行试制腐植酸类肥料新品种。我矿在兄弟单位的协助配合下,初步试制、试用了几种腐植酸类肥料、激素和浸种剂。固体腐植酸钠腐植酸钠是一种植物生长刺激素,具有促进各种酶的活性,促进作物呼吸作用和细胞分裂,提高作物对营养元素的吸收、输送、分配和积累,加速新陈代谢等功能。对农作物施用适当浓度的腐植酸钠溶液,有利于发芽、壮苗、全苗,加强根系的生长,须根增多,新叶增加,叶色油绿,苗棵健壮,为增加作物产量打下良好的基础。     

大蒜对硒的吸收及硒对大蒜生长的影响

在培养液中添加不同浓度的Ｎａ２ＳｅＯ３研究大蒜对硒的吸收以及吸收的硒对大蒜生长的影响。结果表明，大蒜对硒具有很强的生物富集作用，总硒含量为对照的６２２倍，当添加１ｍｍｏｌ／ＬＮａ２ＳｅＯ３时，有机化程度最主达７８．２４％，另外吸收的硒影响大蒜的生长，低浓度硒促进大蒜生长，１ｍｍｏｌ／ＬＮａ２ＳｅＯ为最适的促进生长浓度，并能提高大蒜中的蛋白质，可溶性糖，ＤＮＡ，ＲＮＡ含量，大蒜可作为补硒和高营养价值     

以粉煤灰为原料制备ZSM-5沸石分子筛及其储氢性能

近年来，随着国内燃煤发电量的持续增长，作为燃煤电厂最主要的固体废弃物，粉煤灰的排放量也随着燃煤消耗的增长而急剧增加，引发了严峻的社会和环境问题。粉煤灰中的铝和硅元素含量很高，具有极高的提取价值。本文先对粉煤灰进行酸处理，除去粉煤灰中碱金属元素，提高硅铝比，之后采用水热合成法直接合成了高结晶度的ZSM-5沸石分子筛，此外还在水热合成时加入一定比例正硅酸乙酯（TEOS）后制备高硅铝比ZSM-5沸石分子筛，对二者在结构、结晶度和储氢性能方面进行了研究。结果表明，加TEOS后的ZSM-5的储氢性能比没有加TEOS的储氢量高，储氢量从0.584%增加到0.846%。     

氯化镧对水稻幼根质膜标准氧化还原系统的影响

稀土对农作物有促进生长、增加产量的作用。研究表明稀土元素不能进入植物细胞内而只停留在细胞膜外[1] ,因此细胞膜可能是稀土元素发生作用的原初位点。植物细胞质膜上存在的氧化还原系统 ,可以催化一系列氧化还原反应 ,能够促进矿质元素的吸收、控制植物的生长、参与溶质的转运等[2 ] 。关于稀土对质膜标准氧化还原系统的影响及对铁元素吸收的影响尚未见报道 ,本实验用两相法分离纯化水稻幼苗根质膜 ,观察ＬａＣｌ3 对质膜氧化还原系统活性的影响及对水稻吸收铁元素的影响。1　 材料和方法1.1　 实验材料　　水稻 (Ｏｒｙｚａｓａｔｉｖａ…     

可见光催化有机硅的合成研究进展

硅杂化合物广泛存在于药物分子和具有特殊用途的功能材料中.与其同主族的全碳母体化合物相比,通常硅元素的存在赋予了相应的硅杂化合物特殊的生物活性和独特的物理化学性能.概述了近年来可见光催化有机硅的合成方法和策略,并对其反应机理和局限性予以分析和讨论.     

电感耦合等离子体发射光谱法测定高纯铝中硅

建立电感耦合等离子体发射光谱(ICP-AES)法测定高纯铝中硅元素的分析方法。样品采用碱溶法进行预处理,以氢氧化钠溶液溶解,再加入盐酸、硝酸酸化。选取了硅251.611 nm分析谱线进行分析。硅的质量分数在0.001%~0.01%范围内与光谱强度具有良好的线性关系,线性相关系数为0.9991。该方法检出限为0.00012%,测定结果的相对标准偏差不大于10.2%(n=8),加标回收率为93.2%~104.2%。该方法操作简便,测定结果准确、可靠,适用于快速检测高纯铝中硅元素,具有推广价值。     

电化学法制备硅纳米线

Silicon nanowires were synthesized from nanometer silicon dioxide powder under potentiostatic electrolysis at -1.20 V (vs Pt reference) for 4 h in molten CaCl₂ at 900 ℃. The morphology, structure and chemical composition of the samples prepared by electroreduction method were characterized by field-emission scanning electron microscopy(FE-SEM), High-resolution transmission electron microscopy(HRTEM) coupled with electron energy dispersive spectroscopy(EDS), laser Raman and X-ray diffraction(XRD). The results revealed that silicon nanowires were crystalline with a diamond cubic structure, the diameter was distributed from 50 nm to 80 nm and the length was generally several micrometers. The formed nanowires basically consisted of silicon monocrystalline and amorphous oxide sheath.     

Evaluation of exchange‐correlation functionals in comparison to B3LYP for the description of silicon and Cu‐doped silicon clusters

Several developed exchange‐correlation functionals in density functional theory have been systematically applied to describe the geometries and electronic properties of small silicon (Si_n+1, n < 5) and doped silicon (CuSi_n) clusters. The performance of the various approaches is done with their critical comparison with B3LYP and available high level wave function methods. Our calculations indicate that all functional give reasonable results. Further, OLYP/6‐311+G* approach generally agrees with B3LYP results. The good performance of OLYP is of significant interest knowing that the hybrid functionals are computationally more demanding than nonhybrid schemes. So, we recommend OLYP/6‐311+G* approach for studying the doped silicon clusters and understanding the electronic properties of silicon by the presence of doped metal impurities. © 2007 Wiley Periodicals, Inc. Int J Quantum Chem, 2008     

Band distortions and inversions in FTIR spectra of silicon dioxide on silicon

We report the FTIR spectra as a function of incident angle and polarization of a 307 Å layer of silicon dioxide on silicon substrate. Bands normally obscured in transmission spectra are revealed and can dominate the reflection spectra at incident angles away from normal. Strong band distortions were observed as the incident angle and polarization were varied. Our experimental results are in excellent agreement with calculations based on published optical constants. Thus, quantitative interpretations of IR spectra of silicon dioxide on silicon should be made with caution.     

用透射电子显微技术研究Si3N4/纳米SiC复相陶瓷的微观结构与力学性能

利用透射电子显微镜,观察了Si3N4/纳米SiC复相陶瓷材料的显微结构特点、分析比较了纳米复相陶瓷与单相Si3N4陶瓷的显微结构差异、讨论了复相陶瓷材料的力学性能与其微观结构的关系,并提出在材料中引入纳米SiC粒子后,可以起到抑制Si3N4晶体长大,使材料的力学性能得到显著提高.     

无定形硅的制备及其性能研究

随着非晶硅半导体材料研究的发展,人们发现非晶硅能够吸收18-50原子％的氢。这一结果引起了储氢材料研究者的极大兴趣.1978年,德国的Winstel首次用非晶硅来储存氢,并申请了用非晶硅作为储氢材料的专利.随后,日本、美国、德国的许多研究者相继开展了这方面的工作。     

Atmosphere effects in the processing of silicon carbide and silicon oxycarbide thin films and coatings

Silicon carbide and silicon oxycarbide films were prepared from solutions of polycarbosilane and methyldimethoxysilane + tetraethoxysilane, respectively, and deposited on different substrates (Si wafers, stainless steel plates, sapphire and SiC fibers). The coatings were heated at different temperatures and in different atmospheres, such as regular grade argon, ultra high purity and argon vacuum. The films were characterized using different techniques (FT-IR, XRD, SIMS, Ellipsometry).The influence of the processing parameters (heat treatment temperature and atmosphere) on the final microstructure of the coatings is discussed in this article.     

多孔硅和掺镨多孔硅的光致发光

多孔硅在室温下发出光致荧光展现了硅用作光电子材料和显示技术材料的前景。掺入希土元素可以改善硅的发光性能。本文首次报道多孔硅掺希土的一种新的电化学掺杂方法——恒电位电解,和一种希土硝酸盐-支持电解质-有机溶剂的新电解体系。这一方法和体系的特点是通过采用适当外加电压来控制电解产物,提高掺入的希土浓度,提高发光强度;同时可避免析出使发光不稳定的产物,提高发光稳定性。优化了阳极氧化制备多孔硅的条件和阴极还原制备掺镨多孔硅的条件(镨化合物浓度、溶剂、离子强度、电解电压、时间),获得了光致发光强度高于多孔硅的掺镨多孔硅,并讨论了多孔硅和掺镨多孔硅的光致发光机制。     

熔盐电解法制备硅纳米线的过程机理

采用FESEM、XRD和EDS分析了纳米二氧化硅烧结片在900℃的CaCl2熔盐中浸泡后结构和组成的变化,结果表明,由于纳米尺寸效应和CaCl2熔盐对二氧化硅的熔融(软化)具有助熔作用,纳米二氧化硅烧结片在900℃的CaCl2熔盐中由固态转变为熔融或半熔融态。根据对900℃的CaCl2熔盐中-1.2V恒电位电解不同时间电极片上反应区的结构和组成分析结果,提出了纳米二氧化硅电极片的硅/熔融二氧化硅/熔盐三相界面沿极片径向方向均匀推进的电解还原过程。通过对900℃的CaCl2熔盐中-1.2V恒电位电解5和15min电解产物的形貌、结构和成份分析,提出了硅纳米线在熔盐中的电化学成核与生长机理。