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用束衍生法研究了深亚微米同步辐射x射线光刻中掩模吸收体的光导波效应,并对x射线光刻后的光刻胶剖面进行了理论计算。采用面向对象技术,研制了一个取名为XLLS1.0的模拟软件。本文对这个软件进行了详细介绍。 相似文献
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深亚微米同步辐射x射线光刻技术 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了我们制作深亚微米x射线掩模的工艺和同步辐射x射线曝光工艺,并报道了我们在北京同步辐射装置(BSRF)3B1A光刻束线所获得的深亚微米x射线光刻图形的实验结果。 相似文献
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同步辐射X射线光刻计算机模拟研究 总被引:1,自引:1,他引:0
利用BeamPropagationMethod(BPM)方法研究了深亚微米同步辐射X射线光刻中的掩模吸收体的光导波效应,并且利用瑞利-索末非理论对光刻胶表面的空间像光强分布进行了计算。研究结果表明基尔霍夫边界条件不宜用于计算0.25μm以下光刻分辨率的空间像光强分布。研究结果还表明北京同步辐射装置3BlA光刻束线的光刻分辨率可以达到0.1μm,而且这时金吸收体厚度为0.45μm就可以了,而不是通常认为的1.0μm。 相似文献
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同步辐射X射线光刻技术研究 总被引:2,自引:0,他引:2
对可能应用于0.2um及0.2um以下的同步辐射X射线光刻技术进行了论述,并对其在未来的大规模集成电路生产中的应用前景进行了分析。 相似文献
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同步辐射X射线光刻实验研究 总被引:4,自引:0,他引:4
同步辐射X射线光刻是一种很好的深亚微米图形复制技术。本文报道了北京同步辐射装置3BlA光刻束线上的曝光结果,并对X射线掩模的制作工艺作了简要介绍。 相似文献
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报道了用X射线母掩模复制子掩模的工艺和用北京同步辐射装置(BSRF)3BIA光刻束线获得的0.5μm的光刻分辨率的实验结果。 相似文献
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X射线光刻技术(XRL)是刻制130nm,100nm和70nm最小尺寸图形的可行方案之一.其它候选技术还有193nmArF准分子激光光刻、电子束投影、电子束直接写入、极紫外(EUV)及离子束投影光刻等.然而,在各种技术之中,由于XRL具有良好的临界尺寸控制及可扩展到刻制70nm以下最小尺寸图形等优点而处于领先地位.虽然XRL所需要的设备和材料业已商品化,其它 相似文献
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对即将动工的上海第三代同步辐射装置及其主要参数作了介绍,叙述了目前同步辐射x射一光刻和LIGA的一些技术进步情况,并对未来SSRF光刻实验珠应用前景作了简要分析。 相似文献
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用同步辐射光源进行大规模集成电路和微器件光刻是现阶段的一项高新技术。本文介绍同步辐射光刻的镜扫描控制系统。它的设计思想,所采用的方法以及最优控制等都具有科技应用和经济价值。 相似文献
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电子束曝光的Morte Carlo模拟 总被引:3,自引:0,他引:3
建立一个更为严格地描述电子散射过程的物理模型,运用Monte Carlo方法模拟高斯分布电子束在靶体PMMA-衬底中的散射过程,研究不同曝光条件对沉积能密度的影响,获得的沉积能分布规律是:有利于降低邻近效应的高束能、薄胶层,提高曝光分辩率。 相似文献
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DY2001A型电子束曝光机软件系统设计 总被引:2,自引:2,他引:0
DY2001A型电子束曝光机是作为实用化的小型曝光系统而研制的。从设计角度详细阐述了DY2001A型电子束曝光机软件系统的构成,包括数据转换、对准校正套刻、硬件系统控制、曝光控制及数据建立和管理。 相似文献
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电子束曝光高斯分布束斑的Monte Carlo模拟 总被引:4,自引:1,他引:3
经地严格论证,提出一种计算简便,易于软件实现的电子束束斑直径定义方法,在此基础上运用Monte Carlo方法对高斯分布电子束斑进行模拟,给出模拟电子数分别为5000,20000,50000,100000时的模拟结果。 相似文献
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同步辐射X射线深度光刻实验 总被引:4,自引:0,他引:4
深度同步辐射光刻是LIGA技术的关键工艺环节。利用同步辐射X射线的高平行性、硬射线的高强度,可以光刻出非常深的胶结构,并且这一结构有着很好的尺寸精度和垂直精度,对加工出微型机械结构,具有重要作用。 相似文献