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X射线干涉技术是在用X射线研究晶体缺陷的过程中发展起来的一门新技术。虽然,很早以前就已观察到X射线的干涉现象,但只是在大而近乎完整的人造单晶出现之后,才有可能实现X射线干涉技术。1965年,U.Bonse和M·Hart制成了第一台X射线干涉仪[1]。至今,X射线干涉技术的面貌有了相当大的变化[2-4],在理论描述[5,6]和在方案设计[7-11]上都有了新的进展,在实际应用上也远超出了观察晶体缺陷的范围。在物质研究方面,它可应用于测定物质对x射线的折射率、物质的厚度,测定绝对单位的结构因子,实现X射线的全息照相术,这些对于物质结构的理论研究将… 相似文献
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1895年发现了X射线.1923年前后莫斯莱(Mo-sely)对X射线特征谱和原子序数之间的关系作了系统整理,得到了莫斯莱定律;随后布喇格(Bragg)发表了X射线衍射定律.X射线光谱分析的基础就这样奠定了.1923年丹麦物理工作者在X射线光谱中成功地把给(Hf)从化学、物理性能十分相似的锆中区别出来,证实了第72号元素的存在;以此为开端,作为成份分析的手段,X射线分析就因其非破坏性、快速、准确、操作简单等长处,在材料鉴定、生产过程质量控制中应用开了. 但是X射线光谱分析真正的繁荣是四十年代以后的事,这是因为终于制造出了稳定的X射线激发源、加工… 相似文献
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同轴X射线相位衬度计算机X射线断层摄影术研究 总被引:2,自引:2,他引:0
基于北京同步辐射装置(BSRF)开展了同轴X射线相位衬度计算机X射线断层摄影术(CT)研究.利用北京同步辐射的14 keV单色X射线作为光源,以高分辨能力的X射线胶片作为探测器,分别开展吸收衬度和同轴相位衬度成像的比较研究以及相位衬度计算机X射线断层摄影术研究.相位衬度计算机X射线断层摄影术重建采用Bronnikov提出的算法.结果显示,与传统的吸收衬度图像相比,相位衬度图像具有更好的衬度和更高的空间分辨力;实验获得人工样品和蝗虫的相位衬度计算机X射线断层摄影术重建图像.重建图像中可见样品的一些结构细节.实验结果表明,相位衬度X射线成像更适合于研究弱吸收或吸收差异很小的材料;利用北京同步辐射开展同轴X射线相位衬度计算机X射线断层摄影术研究是可行的. 相似文献
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正1.引言我们通常把波长很短,介于0.01~100埃(能量0.1ke V~1Me V)之间的电磁辐射,称为X射线。在整个X射线波段里,根据探测方法的不同,我们又模糊的分成了低能X射线(能量0.1~10ke V),中能X射线(能量5~70ke V),高能X射线(能量20ke V~1Me V)。三个能段没有明显的界限,彼此相互搭接在一起。探测X射线波段的探测器,即为X射线探测器。根据三个能段的特点,其相应的X射线探测器多采用 相似文献
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基于栅控脉冲发射X射线源与单光子探测技术的X射线通信已经实现了实验室语音通信验证,并对通信系统的误码率性能进行了分析,为探索未来X射线深空应用打下了坚实的基础.针对目前X射线通信面临的信号发散角大、通信距离短、难以实现工程化应用的情况,迫切需要对X射线通信天线系统进行深入研究.为了提高信号增益、增大X射线通信的距离,提出了多层嵌套式X射线聚焦光学作为X射线通信的"收发天线",理论分析了X射线聚焦光学用于X射线通信"收发天线"的可行性,分析了X射线聚焦光学的理论基础与结构设计,对"发射天线"发散角、"接收天线"有效面积与焦斑尺寸、信号增益等性能做了探讨.结果表明:在信号发射端,"天线"的发散角为3 mrad左右,发射增益23 d B;在信号接收端,"接收天线"的有效面积5700 mm2@1.5 keV,焦斑直径为4.5 mm,接收增益为25 d B,通信系统总的增益可达48 d B. 相似文献
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X射线光刻技术的进展及问题 总被引:2,自引:0,他引:2
X射线光刻是一种能满足下世纪初超大规模集成电路(VLSI)生产的深亚微米图形加工技术。论述了这种光刻技术的发展历史及近年来的主要进展。重点讨论了在X射线源、接近式曝光和全反射投影曝光等方面取得的成就与存在的问题。展望了这种技术的发展前景 相似文献
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在激光间接驱动内爆动力学过程中,软X射线烧蚀形成的高温低密度等离子体处于非局部热动平衡状态,X射线的传播需要用输运方法处理。利用简化物理模型给出了X射线烧蚀形成的高温低密度等离子体的流场空间分布,介绍了一种计算X射线反照率的方法,并给出反照率的解析表达式。 相似文献
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强脉冲X射线辐照Si-SiO2界面对C-V 和I-V特性曲线的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
利用强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行了辐照,测量了C-V曲线和I-V曲线。实验发现,经过强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行的辐照,使C-V曲线产生了正向漂移,这一点与低剂量率辐射结果不同;辐射后,感生I-V曲线产生畸变;特别地,从I-V曲线上还反映出强脉冲X射线辐照的总剂量效应造成电特性 参数明显退化,最后甚至失效。讨论了强脉冲X射线辐照对Si-SiO2界面产生损伤的机理,并对实验结果进行了解释。 相似文献