m线法研究掺杂LiNbO_3晶体波导基片的光损伤

采用ｍ线法研究了掺杂ＬｉＮｂＯ３晶体波导基片的光损伤，发现抗光损伤能力依次为Ｍｇ：ＬｉＮｂＯ３、ＬｉＮｂＯ３、Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３（氧化），Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３（还原）。对于同样材料，质子交换光波导的抗光损伤能力高于钛扩散光波导。     

双离子辅助原位Fenton法烟气脱硝的研究

本文提出了基于Fenton试剂连续滴加的原位Fenton法(in situ Fenton,IF)用于氧化脱除烟气中NO的思路,并检验了其在氧化脱硝效果方面的优势。在此基础上,验证了将含有Fe~(2+)M~(n+)(M~(n+)=Fe~(3+),Cu~(2+),Co~(2+),Mn~(2+))的溶液作为诱导剂加入后的氧化脱硝效果。结果表明,原位Fenton法较常规Fenton法(premixed Fenton,PF)对NO的氧化效率高;除Fe~(2+)Fe~(3+)双离子溶液外,其他三种双离子溶液的加入对NO的氧化效率较单一离子参与的IF法都有明显的提升.此外,讨论了双离子间的适宜配比并推断出可能的氧化脱硝反应机理。     

m线法研究掺杂LiNbO3晶体波导基片的光损伤

采用m线法研究了掺杂LiNbO₃晶体波导基片的光损伤,发现抗光损伤能力依次为Mg:LiNbO₃、LiNbO₃、Fe:LiNbO₃(氧化),Fe:LiNbO₃(还原).对于同样材料,质子交换光波导的抗光损伤能力高于钛扩散光波导。     

3d~5金属离子共掺杂NaYF_4:Yb,Er纳米晶的上转换发光

采用水热法制备了Mn~(2+)/Fe~(3+)共掺杂的NaYF_4上转换纳米晶,通过改变掺杂浓度来调控晶相、晶粒尺寸以及上转换荧光发射强度。以Fe~(3+)共掺杂的上转换纳米晶为晶核,通过改变反应时间来调控SiO_2壳厚度,观察到上转换荧光发射强度在反应4 h的条件下出现最大值。Mn~(2+)/Fe~(3+)共掺杂的上转换纳米晶样品整体上转换荧光强度分别提高到3.7倍和4.5倍,同时Fe~(3+)共掺样品的红色上转换荧光增强近7倍。基于近红外980 nm激光激发下的稳态光谱研究,提出Yb~(3+)-过渡族离子和Er~(3+)之间的能量传递以及晶场对称性的改变引起了这种增强效应,随着过渡族离子掺杂浓度的增加,过渡族离子之间的交换相互作用导致上转换荧光的猝灭。     

低偏振相关损耗聚合物光波导

表征了新合成的热光聚合物bisphenol A-aldehyde resin (BPA-resin)的独特性质。并且利用光刻和反应离子刻蚀技术(RIE)制备成功BPA-resin 聚合物的单模条波导.实验结果表明,对于TE和TM偏振,该聚合物波导在1.31 μm和1.55 μm波长下分别有低达0.43 dB/cm和0.51 dB/cm的传播损耗.在上述波长下,波导的低偏振相关损耗 (PDL)小于0.1 dB/cm.因此,是制备可调热光器件的良好导波模快.     

聚硅氧烷改性及多模光波导制备

采用含氢聚硅氧烷(HPSO)和二乙烯基苯(DVB)的交联体掺入聚二甲基硅氧烷(PDMS)中,使改性的聚二甲基硅氧烷(M-PDMS)折射率发生1%～1.8%的改变。M-PDMS及PDMS薄膜具有良好的光透射率和低的传输损耗,是低成本制备用于高速芯片间光互连聚合物光波导的理想材料。采用软成型和图案转移法,用M-PDMS及PDMS分别作波导的芯层和包层制备了截面为50μm×50μm,长度大于20cm的聚硅氧烷多模光波导。用数字化散射法测量了所制备波导的传输损耗,测得输入光波长为633nm时平均传输损耗为0.137dB/cm。     

晶体场理论引论

一、群论基础 (1—1)晶体中离子的对称性和对称点群 把一个杂质离子放在晶体中的不同位置上,杂质离子周围的最近邻离子和次近邻离子有各种几何构型和化学本质。例如Cu~(1+)离子替位Zn~(2+)离子,最近邻的四个S~(2-)离子构成一个正四面体,如图1所示。如果四个S~(2-)离子之一被一个Cl~(1-)离子代替,结构如     

群论在发光光谱学中的应用

在本文的第一部分里,概述了晶体发光学中常用对称群的特征标表,给定了能级的劈裂以及电偶极和磁偶极跃迁的选择定则。立方体群O_h和四面体群T_d至今仍很重要。近年来,人们发现一些低对称性的群越来越显得重要了,特别是对于稀土离子激活的材料。在第二部分里给出了一些例子:主要是ZnS中的Cu~(2+),还有ZnS中的Ni~+,最近已发现它是和Cu~(2+)等电子的;掺入ZnS,ZnSe和很多其它发光材料中的Mn~(2+)以及稀土离子Ce~(3+)、Yb~(3+)和Eu~(3+)的发光。     

光学材料

光学玻璃 TQ171．112 2004021475 铝对过渡金属离子掺杂的二氯化硅溶胶凝胶玻璃发光性质的影响=Effect of Al on the photoluminescence properties of transition metal ions doped sol-gel silica glass[刊,中]／宋春风(山东大学晶体材料重点实验室．山东,济南(250100)),吕孟凯…∥光学技术．—2003,29(3)．—273-276 用溶胶凝胶法制备了过渡金属离子(Ni~(2 ),Mn~(2 )和Cu~(2 ))单掺、铝共掺的二氧化硅玻璃,测量了荧光光谱、吸收光谱和红外光谱．研究了Al~ 对过渡金属离子在二氧化硅玻璃中发光性质的影响。研究结果表明,Al~(3 )对过渡金属离子的发光性质有着显著影响：Ni~(2 ),Mn~(2 )和Cu~(2 )的发光强度大幅度提高．Mn~(2 )的发光峰峰位改变。图4参20(于晓光)     

群论在发光光谱学中的应用

在本文的第一部分里,概述了晶体发光学中常用对称群的特征标表,给定了能级的劈裂以及电偶极和磁偶极跃迁的选择定则。立方体群O_h和四面体群T_d至今仍很重要。近年来,人们发现一些低对称性的群越来越显得重要了,特别是对于稀土离子激活的材料。在第二部分里给出了一些例子:主要是ZnS中的Cu~(2+),还有ZnS中的Ni~+,最近已发现它是和Cu~(2+)等电子的;掺入ZnS,ZnSe和很多其它发光材料中的Mn~(2+)以及稀土离子Ce~(3+)、Yb~(3+)和Eu~(3+)的发光。     

制备多模聚硅氧烷光波导关键技术的改进

本文利用浇铸法,使用M&N胶和OE6450两种聚硅氧烷制备光波导.通过改进制备光波导的多个关键技术, 解决了波导制备过程中的气泡问题、脱模问题、芯层不固化问题、芯层和覆盖层产生化学反应等难题,提出了 比较完备和科学的聚硅氧烷波导制备工艺流程,从而使得波导的制备成品率从原来低于40%提高到高于80%, 波导的最大长度从原来的21 cm增加到22.5 cm,波导的损耗(截断法测量结果)从最初的0.3dB/cm(850 nm)降低到了 0.21dB/cm(850nm).本文在波导制备技术方面具有重要的实际意义和价值.     

聚合物光波导的等离子体刻蚀工艺研究

等离子体干法刻蚀是聚合物光波导制备过程中一项关键工艺.利用感应耦合等离子体各向异性刻蚀工艺制备了聚合物脊形结构波导,研究了不同工艺参量(源功率、偏置功率、刻蚀腔室压强以及气体组分)对脊形波导刻蚀速率的影响.利用扫描电子显微镜对刻蚀后波导高度、侧壁垂直度及表面粗糙度进行分析,得到了高刻蚀速率和低粗糙度的优化工艺条件.实验...     

微波溶样原子吸收法测定鲍鱼中Cu, Zn, Fe和Mn的含量

文章报道了用微波消解技术及火焰原子吸收光谱法(FAAS)测定鲍鱼样品中铜、锌、铁、锰含量的方法,在pH值为1.0～2.0范围内测定结果稳定,Cu~(2 ),Zn~(2 ),Fe~(3 )和Mn~(2 )的含量分别在0～6.0,0～2.5,0～6.0和0～6.0μg·mL~(-1)范围内,符合比耳定律,回收率在96.4％～103.8％之间,RSD在0.2％～3.0％之间。结果表明,该方法具有省时、节约试剂、消解完全且精确度高等优点。     

Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体位相共轭性能和全息关联存储

在同成分LiNbO3中,掺入ZnO的摩尔分数分别为1%、3%、5%、7%和9%,掺入（质量分数）0.03% MnCO3和0.08%Fe2O3,采用提拉法生长了优质Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体.测试Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体的OH-红外吸收光谱,抗光损伤能力和位相共轭性能.Zn离子浓度在7%和9%时,OH-吸收峰移到3 528 cm－1,讨论OH-吸收峰移动机理.随着Zn离子浓度增加,抗光损伤能力增加.Zn离子浓度增加到7%,达到阈值.Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体抗光损伤能力比LiNbO3晶体高二个数量级,研究高掺锌Mn∶Fe∶LiNbO3晶体抗光损伤增强机理.随着Zn离子浓度增加,Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体位相共轭反射率降低,位相共轭响应速度增加.Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体位相共轭镜消除了光波的位相畸变.以Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体作存储介质进行全息关联存储实验.讨论全息关联存储的工作原理.以原图象的25%和50%进行寻址,在输出平面上接收到较完整的存储图象.     

离子注入结合离子交换技术制备KTiOPO_4光波导特性研究

用离子注入结合离子交换技术形成了KTiOPO4平面光波导,研究了离子注入对离子交换波导结构的影响.使用棱镜耦合法测量了波导特性,结果显示形成了表面折射率升高的多模波导,通过背散射技术研究了离子交换后的Rb离子分布.实验表明,注入离子导致样品晶格损伤,在2.8μm处对离子交换形成了阻挡层,阻止了交换向KTP晶体的更深处进行.     

质子交换Y分支光波导弯曲损耗研究

对采用退火质子交换技术(APE)制备的具有正弦型弯曲和余弦型弯曲两种不同的S型弯曲的Y分支光波导,利用宽角有限差分光束传播法,就过渡区长度、波导表面折射率增量、掩模版开口宽度等对波导弯曲损耗的影响进行了研究。结果表明,两种S弯曲下的Y分支波导的弯曲损耗,随波导结构参数的变化基本上是相同的,但二者的表现并不完全一致。数值计算结果为相应波导器件的设计和制备提供了一定的参考。     

(Zn_(1-x),Mg_x)_2GeO_4∶Mn~(2+)的荧光以及长余辉发光性能

采用高温固相法制备了一系列(Zn_(1-x),Mg_x)_2GeO_4∶Mn~(2+)(0≤x≤0.25)绿色荧光粉,并研究了Mg离子对(Zn_(1-x),Mg_x)_2GeO_4∶Mn~(2+)的结构、荧光以及长余辉发光性能的影响。Mg离子取代Zn进入Zn_2GeO_4晶格,形成(Zn_(1-x),Mg_x)_2GeO_4固溶体,并产生了晶格畸变。光谱分析结果表明,样品中位于533 nm的绿色荧光源于Mn~(2+)的~4T_1(~4G)→~6A_1(~6S)跃迁。随着Mg离子浓度的增加,(Zn_(1-x),Mg_x)_2GeO_4∶Mn~(2+)样品的激发光谱出现了蓝移现象,说明Mg离子进入到Zn_2GeO_4晶格中对其晶格结构产生了影响,导致(Zn_(1-x),Mg_x)_2GeO_4的带宽发生改变。发射光谱则表明Mg离子进入Zn_2GeO_4晶格引起Mn~(2+)的~4T_1(~4G)→~6A_1(~6S)跃迁绿色荧光发光强度的增强。Zn_2GeO_4基质中的氧空位缺陷陷阱深度由于基质带宽的变化而变深,样品具有良好的长余辉发光效果。通过热释光谱分析研究了材料中缺陷陷阱的特征,进一步证实了(Zn_(1-x),Mg_x)_2GeO_4中缺陷陷阱深度发生改变。根据光谱分析结果给出了(Zn_(1-x),Mg_x)_2GeO_4∶Mn~(2+)中荧光与余辉发光的产生机理。     

集成光学 光波导材料与制备

TN252 2006065160在高阻硅村底上制备低微波损耗的共面波导=Low-mi- crowave loss coplanar waveguides fabricated on high-resis- tivity silicon substrate[刊,英]/杨华(中科院半导体所光电子研究发展中心．北京(100083)),朱洪亮…//半导体学报．—2006．27(1)．—1-4分别在普通的低阻硅衬底、带有3/μm厚氧化硅介质层的低阻硅衬底和高阻硅衬底上设计并制备了微波传输     

非线性光波导中基波和二次谐波的模场分布研究

非线性波导是一种重要的光量子器件。采用马卡梯里近似,可以近似描述波导的模场分布特征。针对ee-e准相位匹配的周期极化铌酸锂波导,分析波长为1 064 nm的基波和532 nm的二次谐波的基模模场分布。结果表明:如果波导为嵌入型正方形波导,基波和二次谐波的光斑基本为圆形,基波场分布范围较大;在截面正方形边长为5 μm并且芯区比包层折射率略高0.02时,波导就能将两种光波场基本约束在芯区中,但是这种波导边长为0.5 μm时约束能力就变得很差;如果采用芯区与包层折射率差别较大的波导,芯区边长为0.5 μm就可以将两种场分布基本约束在芯区中。结果对分析其他类型的非线性波导的模场分布具有指导意义。     

He^＋离子注入LiNbO3晶体波导的制备及其性能研究

报道了液氮温度下Ｈｅ＾＋离子注入ＬｉＮｂＯ３波导的制备，采用棱镜耦合法测量了波导退火前后导模的有效折射率，计算了波导层折射率的分布和晶体中Ｈｅ＾＋离子的射程分布和损伤分布，两者吻合得较好。