精确研究NbN分子d1Σ+—b1Σ+电子态跃迁的P线系发射光谱

本文利用最近建立的能精确求解双原子分子P线系发射光谱的物理新公式, 研究了NbN分子从电子态d¹Σ⁺向b¹Σ⁺电子态跃迁中(1,1)跃迁带的P支发射光谱. 获得的计算结果不仅很好地重现了已知低转动态的实验谱线数据, 同时也预言了该跃迁带包含转动量子数J=80在内的高振转激发态的精确P线系发射光谱. 该方法在理论上为实验技术难以精确测量的双原子分子体系提供了一种获得精确的高激发态谱线数据的物理新方法. 从而可以为那些需要NbN分子高激发态跃迁谱线的研究工作提供必要的数据.     

精确研究NbN分子d~1∑~+—b~1∑~+电子态跃迁的P线系发射光谱

本文利用最近建立的能精确求解双原子分子P线系发射光谱的物理新公式,研究了NbN分子从电子态d~1∑~+向b~1∑~+电子态跃迁中(1,1)跃迁带的P支发射光谱.获得的计算结果不仅很好地重现了已知低转动态的实验谱线数据,同时也预言了该跃迁带包含转动量子数J=80在内的高振转激发态的精确P线系发射光谱.该方法在理论上为实验技术难以精确测量的双原子分子体系提供了一种获得精确的高激发态谱线数据的物理新方法.从而可以为那些需要NbN分子高激发态跃迁谱线的研究工作提供必要的数据.     

VO分子2^Δ3/2-1^2Δ3/2电子跃迁P线系发射谱线的研究

本文利用孙卫国课题组建立的能精确计算（预言）某双原子分子电子态P线系发射谱线的物理新公式, 首次研究了VO分子从电子态^2Δ3/2跃迁到电子态1^2Δ3/2的（0, 0）跃迁带中的P线系发射谱线. 获得的研究结果不仅重复了实验上已知的低转动态谱线数据,而且还正确预言了该跃迁带在 实验上难以精确测量的转动量子数J=80.5以内的高振转激发态的P线系发射光谱. 为研究VO分子内部结构提供了重要的物理信息.     

用预言振转跃迁谱线的新公式研究AuO分子电子跃迁P支的高激发态发射谱线

本文在孙卫国等建立的预测双原子分子高转动激发态的 振转跃迁能谱的解析物理公式的基础上, 增加了该公式推导时被省略的高阶转动项H_v对能级的贡献, 获得了包含此高阶小项的预测双核体系高转动激发态的振转跃迁谱线的新表达式. 使用该新公式对AuO分子P支发射跃迁光谱的研究表明: 加入高阶转动常数H_v后的新公式所预言的振转跃迁 谱线的精度比不包含H_v 的公式给出的结果提高了约一个数量级. 因此, 更加有力地表明了使用多重差分法建立的这类物理公式在预言实 验未给出的物理数据方面的正确性和有效性. 关键词： AuO H_v')" href="#">转动常数H_v P支谱线')" href="#">P支谱线 多重差分法     

精确预言双原子分子Q线系高振转激发态的跃迁谱线

用多重差分的方法,从双原子分子跃迁谱线的普遍表达式出发,已经建立起了预言双原子分子P线系高激发振转跃迁谱线的解析物理公式。采用同样的方法,充分利用现有实验条件下测定的部分振转跃迁谱线数据,文章建立了预言双原子分子Q线系高激发振转跃迁谱线的物理公式。使用该公式和一组经过物理筛选的(15条)精确的实验跃迁谱线,研究了IrN分子A1Π—X1Σ+跃迁系统中(4,1),(3,1)跃迁带的Q支发射光谱。结果表明,该公式不仅很好地重复了所有已知的实验光谱数据,且正确预言了实验没有获得的很多高转动量子态的未知发射谱线,从而提供了一种新的预言高转动量子态的未知跃迁谱线的物理方法。     

VO分子2△3/2—12△3/2电子跃迁P线系发射谱线的研究

本文利用孙卫国课题组建立的能精确计算(预言)某双原子分子电子态P线系发射谱线的物理新公式,首次研究了VO分子从电子态~2△3/2跃迁到电子态1~2△3/2的(0,0)跃迁带中的P线系发射谱线.获得的研究结果不仅重复了实验上己知的低转动态谱线数据,而且还正确预言了该跃迁带在实验上难以精确测量的转动量子数J=80.5以内的高振转激发态的P线系发射光谱.为研究VO分子内部结构提供了重要的物理信息.     

VO分子2Δ3/2-12Δ3/2电子跃迁P线系发射谱线的研究

本文利用孙卫国课题组建立的能精确计算(预言)某双原子分子电子态P线系发射谱线的物理新公式, 首次研究了VO分子从电子态²Δ_3/2跃迁到电子态1²Δ_3/2的(0, 0)跃迁带中的P线系发射谱线. 获得的研究结果不仅重复了实验上已知的低转动态谱线数据,而且还正确预言了该跃迁带在 实验上难以精确测量的转动量子数J=80.5以内的高振转激发态的P线系发射光谱. 为研究VO分子内部结构提供了重要的物理信息.     

VN分子R线系跃迁结构的研究与分析

本文借助孙卫国课题组建立的能精确计算双原子分子R线系发射谱线的物理公式,利用实验上获得的低振动态跃迁谱线数据研究了电极材料VN分子电子态f¹Φ–a¹Δ以及电子态d¹∑⁺–X³Δ₁等跃迁体系的（0,0）跃迁带的R线系发射谱线. 从理论上预言了实验上难以获得的该跃迁带R线系高振转激发态的跃迁结构,为急需VN分子内部结构的其他研究领域提供了重要的结构信息. 从这些公式出发,我们定义了表征实验测定谱线对新谱线的贡献度C（contribution）参数,进一步分析了高激发振转跃迁谱线的相互依赖关系,结果表明该物理公式不仅很好地复现了已知的实验数据,正确地预言了实验未能测定的高激发振转跃迁谱线,而且还能了解不同实验谱线对新谱线的贡献程度,基于这些贡献度,实验学家可以将有限的资源更好地进行分配,重点研究那些贡献度大的振转跃迁谱线. 关键词： 双原子分子 跃迁谱线 贡献度 VN     

钠原子光谱漫线系的研究

在钠原子光谱漫线系进行精确测量的基础上,较为全面地研究了该线系的特点,如波数、波数差、固定项、量子缺和该线系双重结构不同成分的强度比等。在计算固定项和量子缺时运用Excel软件,使繁杂的求解过程得到简化。通过对钠原子光谱漫线系的研究,既有利于加深对该线系的认识和理解,又有助于采用相同的方法来学习和研究其他线系。     

碳分子线基态特性理论研究

从第一原理出发，利用密度泛函理论B3LYP系统研究了碳分子线Cn（n=3～10）的电子结构特性．对优化结果分析发现，由于离域效应的作用，当n为奇数时，分子线基态为单重态，反之，当n为偶数时，三重态为其稳定的基态．对其电子结构分析可得，随着n的增加，体系能量逐渐降低；同时本文确定了分子线体系最高占据轨道HOMO能量E^H、最低未占据轨道LUMO能量E^L与n的关系式，即En-2^H〈En^H〈En＋2^H，En-2^L〉En^L〉En＋2^L，因而碳分子线的费米能级会表现出特有的奇偶性．该工作将有利于准确认识分子器件的伏安特性，设计出良好性能的分子器件。     

Cl2+离子R支跃迁光谱的理论研究

从双原子分子能级的物理表达式出发进行多次微分,建立了预测双原子分子体系R支高振转跃迁谱线的新解析公式. 使用新解析公式预测双原子体系R支高阶跃迁谱线的数据时,最多只需15条精确的实验跃迁谱线和该跃迁带中对应的上下 振动态的转动光谱常数B′_v 和 B″_v.将该解析公式用于预测Cl₂⁺ 离子 A²∏_u---X²∏_g跃迁系(3,7)带和(4,8)带的跃迁谱线,不仅精确的重复了实验给出的较低阶的跃迁光谱数据值, 而且正确预言了所研究体系中缺失的振转跃迁谱线,尤其是高阶的跃迁谱线数据.     

Fourier transform emission spectroscopy of Δv = 2 sequence bands of the CO molecule in the ground electronic state

High-resolution emission spectroscopy of rovibrational Δv = 2 sequence bands is carried out from a low-pressure discharge through pure CO gas. The effect of rare gases on the production of the Δv = 2 sequence bands is also studied. The v′ → (v′-2) sequence bands up to v′ = 17 are observed. Bands involving 8 ? v′ ? 17 in the Δv = 2 sequence are reported for the first time. The 16-14 and 17-15 bands could be observed only in the presence of xenon as a buffer gas. Accurate molecular constants (T, B, D, H) for different vibrational states of the ground electronic state of ¹²C¹⁶O are determined from a global fit.     

采用光栅光谱仪测量氮气分子的双原子分子光谱实验

提出了一种在大学近代物理实验中,以氮气分子为测量对象的双原子分子光谱实验方案.利用配备光电倍增管作探测器的平面光栅光谱仪,可以测量低压氮气辉光放电发射的氮气分子第二正带光谱.根据双原子分子的电子振动光谱理论,计算出氮气分子第二正带的上下电子态的简谐振动频率、非简谐度等参数.     

SiO2分子的基态(X1A1)结构与分析势能函数

应用群论及原子分子反应静力学方法推导了SiO₂分子的电子态及其离解极限，采用B3P86方法，在6-311G^**水平上,优化出SiO₂基态分子稳定构型为单重态的C_2V构型，其平衡核间距R_e=R_Si—O=0.1587 nm,∠OSiO＝111.2°,能量为-440.4392 a.u..同时计算出基态的简正振动频率:对称伸缩振动频率ν(B₂)=945.4cm^-1，弯曲振动频率ν(A₁)=273.5 cm^-1和反对称伸缩振动频率ν(A₁)=1362.9cm^-1.在此基础上，使用多体项展式理论方法，导出了基态SiO₂分子的全空间解析势能函数，该势能函数准确再现了SiO₂(C_2V)平衡结构.     

New band systems of NiBr molecule in visible region

Thermal emission spectrum of NiBr molecule excited by vacuum graphite tube furnace revealed the existence of ten new band sub-systems in the region λλ 5540-4720 Å which were attributed toA→X,B→X,C→X andD→X transitions. Vibrational analysis was carried out for each of the systems mentioned above.A ² Δ has been suggested as the ground state of NiBr molecule with an electronic interval of about 533 cm^?1. Transitions responsible for NiBr spectrum appear to be of the type²π–²Δ and²Δ–²Δ.