晶体Sr_2Cu（HCOO）_6·8H_2O作为先驱物制备Sr_2CuO_2（C

应用ＳｒＣＯ３和ＣＵ（ＮＯ３）·３Ｈ２Ｏ从甲酸溶液中制备出晶体Ｓｒ２Ｃｕ（ＨＣＯＯ）６·８Ｈ２Ｏ，用这一晶体作为先驱物，石英管式炉中，８２５℃烧结六小时，得到单相的Ｓｒ２ＣｕＯ２（ＣＯ３）．通Ｎ２气体，８５０℃烧结十小时，得到Ｓｒ２ＣｕＯ３．Ｓｒ２ＣｕＯ２（ＣＯ３）是形成Ｓｒ２ＣｕＯ３的一种中间相．     

Bi2222相单晶生长的相关问题研究

从名义组份Ｂｉ２．４Ｓｒ２ＰｒＣｕ２Ｏｙ生长出一种新的Ｂｉ２２２２相单晶，其实际组份测定为Ｂｉ２Ｓｒ１．５Ｐｒ２．５Ｃｕ２Ｏｙ．用Ｘ射线衍射对单晶的结构进行了表征，并且研究了该单晶生长中Ｂｉ２２０１和Ｂｉ２２１２相的交生等相关问题．另外，如果从名义组份为Ｂｉ２．４Ｓｒ１．５Ｐｒ２．５Ｃｕ２Ｏｙ出发，得到的却是Ｐｒ２ＣｕＯ４单晶．     

Bi系高Tc超导材料的核四极共振（NQR）研究

用标准固相反应法，我们制备了Ｂｉ１．６Ｐｂ０．４Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ和Ｂｉ２ＣａＣｕ２Ｏｙ纯相样品，在液氮温度下测量了Ｃｕ－ＮＱＲ和Ｂ－ＮＱＲ静态谱，发现ＮＱＲ谱都为大宽包，Ｃｕ－ＮＱＲ谱线位置反映铜原子所处的氧环境，Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃｕ２Ｏｙ的ＮＱＲ谱宽反映其调制结构，Ｂｉ１．６Ｐｂ０．４Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３ＯｙＮＱＲ谱宽取决于其掺杂浓度。由于电场梯度弥散很大，Ｂｉ－ＮＱＲ谱很难观察。     

Si(Li)谱仪测量X射线荧光谱中CrK_β谱线化学位移的探索

采用放射源２４１Ａｍ５９．６ｋｅＶγ射线分别激发金属Ｃｒ、Ｃｒ２Ｏ３和Ｋ２ＣｒＯ４，用Ｓｉ（Ｌｉ）谱仪比较测量其Ｋｘ射线的能量。实验表明Ｋ２ＣｒＯ４中ＣｒＫβ能峰相对于金属Ｃｒ有２．１２±０．２７ｅＶ的位移。     

Si（Li）谱仪测定X射线荧光谱中CrKβ谱线化学位移的探索

采用放射源＾２４１Ａｍ５９．６ｋｅＶγ射线分别激发金属Ｃｒ、Ｃｒ２Ｏ３和Ｋ２ＣｒＯ４，用Ｓｉ（Ｌｉ）谱仪比较测量其Ｋｘ射线的能量。实验表明Ｋ２ＣｒＯ４和ＣｒＫβ能峰相对于金属Ｃｒ有２．１２±０．２７ｅＶ的位移。     

Bi系银衬底厚膜的制备及其传输电流性质

采用物理沉积法制了名义组分为Ｂｉ１．８Ｐｂ０．４Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ的银夹板厚膜成相的影响表现为热处理过程中银夹板阻止了厚膜中的物质尤其是Ｐｂ的挥发，使厚膜处于低氧压状态，加速了８０Ｋ相向１１０Ｋ相的转化，测量了银衬底厚膜在外加磁场平行和垂直于厚膜表面的传输临界电流密度Ｊｃ与磁场Ｈ的关系。典型数据为Ｊｃ＝２．３１×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２（７７Ｋ，０Ｔ），３．６×１０＾２Ａ／ｃｍ＾２（７７Ｋ，１Ｔ）     

不同气氛退火对Tl2Ba2CaCu2Ox超导电性的影响

本研究了Ａｒ气和Ｈ２／Ａｒ混合气体退火对Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏｘ（２２１２）超导体超导电性的影响。实验表明，在Ａｒ气中４００℃退火１至１２小时后Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏｘ的Ｔｃ（Ｒ＝０）随退火时间的增长明显降低。Ｘ－光衍射分析证实，在Ａｒ气或Ｈ２／Ａｒ混合气体中退火前后，Ｔｌ２Ｂａ２ＣａＣｕ２Ｏｘ超导体的结构没有发生变化。     

高温下H2O—Ar,H2O—CO2混合气体中H2O分子谱线的半宽度

本文用ＩＯＳ方法和我们改进的Ｂｕｃｋｉｎｇｈａｍ势计算了Ｈ２Ｏ－Ａｒ、Ｈ２Ｏ－ＣＯ２混合气体中Ｈ２Ｏ分子谱线在高温下（６００Ｋ、９００Ｋ、１２００Ｋ、１５００Ｋ）的压力展宽半宽度。分析了谱线半宽度随温度变化的规律，同时也讨论了半宽度和被加宽分子大小的关系。     

高温下H_2─Ar、H_2O─CO_2混合气体中H_2O分子谱线的半宽度

本文用ＩＯＳ方法和我们改进的Ｂｕｃｋｉｎｇｈａｍ势计算了Ｈ２Ｏ—Ａｒ、Ｈ２Ｏ—ＣＯ２混合气体中Ｈ２Ｏ分子谱线在高温下（６００Ｋ、９００Ｋ、１２００Ｋ、１５００Ｋ）的压力展宽半宽度。分析了谱线半宽度随温度变化的规律，同时也讨论了半宽度和被加宽分子大小的关系。     

T1系1223相超导体的不可逆线

研究了（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）（Ｓｒ０．８Ｂａ０．２）２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ超导体的不可逆场Ｈ（Ｔ），并与Ｙ系Ｂｉ系和Ｔｌ１２１２相超导体作了比较。实验表明，在７７Ｋ下Ｔｌ１２２３相的不可逆场高达５Ｔ。证明了该材料在高温下的磁通钉扎比Ｂｉ系超导体和Ｔｌ１２１２相导体强得多，并对此作了讨论，由磁滞回线估计的磁化电密度Ｊｃ在７７Ｋ和２Ｔ磁场下大于１４＾４／ｃｍ＾２。     

对Bi-2212超导体中的Raman谱指认

本文对Ｂｉ２－ｘＰｂｘＳｒ２ＣａＣｕ２Ｑδ（ｘ＝０￣０．５）系列样吕以及在真空下不同温度退火的Ｂｉ１．６Ｐｂ０．４Ｓｒ２ＣａＣＵ２Ｏδ样品进行了Ｘ射线衍射和Ｒａｍａｎ谱实验研究。测量表明,随着退火温度的升高,ａ,ｂ,ｃ轴晶格常数增加,与Ｏ（１）ＣｕＢｇ模式相关的２９４ｃｍ＾－１的峰强减少,峰位红移。研究结果进一步表明,４６４ｃｍ＾－１和６３０ｃｍ＾－１峰分别与Ｏ（３）ＢｉＡ１ｇ和Ｏ（２）ＳｒＡ１ｇ     

Ba^2＋对卤磷酸盐掺Eu^2＋荧光粉辐照特性的影响

在国家同步辐射实验室的时间分辨光谱站（Ｕ１０Ｂ光束线）研究掺杂Ｅｕ２＋的卤磷酸盐：（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）５（ＰＯ４）３ＣｌＥｕ２＋样品和（Ｃａ，Ｓｒ）５（ＰＯ４）３ＣｌＥｕ２＋的真空紫外辐照特性、反射光谱．前者在１８５ｎｍ光的激发下，６０分钟内没有观察到明显的发光强度下降；而后者在１８５ｎｍ光的激发下，１５分钟内就可以观察到其４５０ｎｍ发光的明显变化，从强到弱，直至完全消失．测量了两种样品的反射谱（１００ｎｍ至４００ｎｍ），并根据Ｋ－Ｋ关系计算得出的吸收谱，我们认为：由于Ｂａ２＋的加入，改变了晶格对称性，（Ｏ）－色心的能级发生变化，晶体对１８５ｎｍ附近紫外光的吸收明显降低，从而起到了耐１８５ｎｍ辐照的作用     

高温超导薄膜(Y0.6Ho0.4)Ba2Cu3O7-δ/SAT/MgO的制备

用脉冲激光沉积法在先在ＭｇＯ衬底上制备一层Ｓｒ２（ＡｌＴａ）Ｏ６薄膜作为过渡层,再制备（Ｙ０．６Ｈｏ０．４）Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ超导薄膜,新超导薄膜的零电阻温度Ｔｃ０为８９Ｋ,临界电流密度Ｊｃ为２．３＊１０＾６Ａ／ｃｍ＾２（７７Ｋ）,用Ｘ射线衍射仪及扫描电子显微镜分析了薄膜特性。     

Re掺杂对Hg系超导体U-J关系的影响

本文研究了Ｈｇ０．７Ｃｒ０．３Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ,ＨｇＢａ２Ｃａ２Ｃｕ２．９Ｒｅ０．１Ｏｙ,ＨｇＳｒ２Ｃａ３Ｃｕ３．８Ｒｅ０．２Ｏｙ的磁性,发现Ｒｅ的掺入会改变ＵＪ关系．由驰豫测量结果分析得到Ｈｇ（Ｒｅ）１２２３,Ｈｇ（Ｒｅ）１２３４具有对数钉扎势Ｕ＝Ｕ０Ｈ－ｎｌｎ（Ｊｃ０／Ｊ）,其中对Ｈｇ（Ｒｅ）１２２３在２０Ｋ～６０Ｋ范围里Ｕ０和Ｊｃ０近似与温度无关;对Ｈｇ（Ｒｅ）１２３４,Ｕ０和Ｊｃ０与磁场和温度有关．而Ｈｇ１２２３具有幂次方钉扎势Ｕ＝Ｕ０（Ｊｃ０／Ｊ）μ．另外,由磁化曲线Ｍ（Ｈ）的测量得到临界电流密度随磁场的变化关系．结果表明Ｈｇ（Ｒｅ）１２２３在２０Ｋ～９０Ｋ、Ｈｇ（Ｒｅ）１２３４在２０Ｋ～７０Ｋ的温度范围内,临界电流密度随磁场的变化关系均可以用由对数钉扎势得出的Ｊｃ（Ｈ）关系很好地描述．我们认为Ｒｅ掺入引起的体系的各向异性的减小和岛状钉扎中心,使得材料钉扎能力增强并引起ＵＪ关系的变化     

MOCVD法在金属基体上制备YBCO超导带

本报道了用ＭＯＣＶＤ静态和动态沉积两种工艺制备ＹＢＣＯ超导带的实验结果。以Ｙ（ＴＭＨＤ）３、Ｂａ（ＴＭＨＤ）２和Ｃｕ（ＴＭＨＤ）２为挥发源，Ｏ２气为反应剂，高纯Ａｒ气为载流气体，在静止和以１０－１５ｃｍ／ｈ带速移动的金属银基体上，制出了有强烈ｃ－轴取向的ＹＢＣＯ超导带。静态沉积样品的Ｊｃ达到１．０４×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２，动态沉积样品的Ｊｃ达到１．４×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２（７８Ｋ，０Ｔ）。对改…     

ICP－AES法直接测定高纯Eu_2O_3中14种稀土元素

建立了ＩＣＰ－ＡＥＳ测定高纯Ｅｕ２Ｏ３中１４种稀土元素的方法。用正交设计法优化仪器测量条件，实验了基体Ｅｕ２Ｏ３对被测元素的干扰和对方法测定下限的影响。１４个稀土元素的测定下限为：Ｙｂ２Ｏ３０．５μｇ·ｇ－１，Ｙ２Ｏ３１μｇ·ｇ－１，Ｄｙ２Ｏ３、Ｈｏ２Ｏ３、Ｔｍ２Ｏ３和Ｎｄ２Ｏ３５μｇ·ｇ－１，Ｇｄ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、Ｃｅ２Ｏ３、Ｐｒ６Ｏ１１和Ｌａ２Ｏ３１０μｇ·ｇ－１，Ｌｕ２Ｏ３２０μｇ·ｇ－１以及Ｔｂ４Ｏ７３０μｇ·ｇ－１。加入回收率为８８－１１２％，六次取样分析的相对标准偏差小于１１％。方法简便不经化学分离，可用于９９．９－９９．９９％Ｅｕ２Ｏ３中稀土杂质的测定或生产控制分析。     

Tc=95K的NdBa2Cu3Ox高温超导外延薄膜的研制

本采用倒筒式直流溅射法原位生长和Ｔｃ值为９５Ｋ的ＮｄＢａ２３Ｃｕ３Ｏｘ外延薄膜，样品的ＸＲＤ分析表明，样品为强烈ｃ轴织构，ｃ轴晶胞参数为１．１７４ｎｍ，样品衍射峰的ＦＷＨＭ＝０．２９°，ＲＢＳ分析表明：薄膜的化学计量为Ｎｄ１．０Ｂａ２．０Ｃｕ３．３Ｏｘ。对影响ＮｄＢａ２Ｃｕ３ＯＸ薄膜Ｔｃ值的因素进行了讨论。     

电感耦合等离子体质谱法测定高纯镉中的杂质元素

采用电感耦合等离子体质谱法测定高纯镉中的杂质元素。讨论了镉基体的谱线干扰,比较了镉基体产生的多原子离子的干扰程度,该干扰按ＣｄＨ、ＣｄＯ、ＣｄＯ２ 、ＣｄＡｒ、ＣｄＯＨ和ＣｄＯＨ２ 顺序递减。研究了不同浓度镉基体对分析物信号的抑制或增强效应,镉的浓度大于０．２５ｇ·Ｌ－ １ 时,对质量数小于１００的分析物的信号强度产生抑制,而对质量数大于１５０ 的分析物的信号强度产生增强,采用８９Ｙ和２０９ Ｂｉ作内标分别克服基体的抑制和增强效应。测定了高纯镉的Ａｓ、Ｂｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｓｒ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｔｈ、Ｖ 和Ｕ 等１６ 个杂质元素,方法的检测限０．００５～０．０５２ μｇ·Ｌ－ １ ,标准加入回收率８２％ ～１０８％ 。     

用不同母体制备Bi1.7Pb0.3Sr2Ca2Cu3Oy超导块材

采用不同的母体材料，在分别淬火的非晶中间相基础上合成了Ｂｉ１．７Ｐｂ０．３Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ高Ｔｃ超导陶瓷，报道了这些材料的制备、Ｘ射线衍射及电阻率结果。我们用共生长和结构中离子成分的变化对结果进行了讨论。通过对材料结构和性质的分析得出ＳｒＣａＣｕＯ３是最适合２２１２成相的母体。而ＳｒＣｕＯ２是产生２２２３相的最好母体，在４０Ｋ零场中推断的颗粒内临界电流密度Ｊｃ达１０＾６Ａ／ｃｍ＾２。     

KH_2PO_4和（CH_3NHCH_2COOH）_3CaCl_2在高压下的状

在活塞圆筒式Ｐ～Ｖ关系测量装置上，研究了ＫＨ＿２ＰＯ＿４（ＫＤＰ）和（ＣＨ＿３ＮＨＣＨ＿２ＣＯ－ＯＨ）＿３ＣａＣＩ＿２［Ｔｒｉｓ－ｓａｒｃｏｓｉｎｅｃａｌｃｉｕｍｃｈｌｏｒｉｄｅ（ＴＳＣＣ）］在室温下、４．５ＧＰａ内的ｐ～Ｖ关系。实验结果表明：ＫＤＰ在２．１ＧＰａ左右有一个相变；ＴＳＣＣ在０．８ＧＰａ和３．２ＧＰａ左右各有一个相变。本工作还给出了它们在相变前后的状态方程，以及它们的格临爱森参数γＯ、体积模量Ｂ＿ｏ和Ｂ＿ｏ的压力导数Ｂ＿ｏ。