X波段低噪声放大器设计

针对目前X波段低噪声放大器的电路拓扑结构不易选择,故提出了一种采用微带分支线匹配结构和三级级联方式的X波段低噪声放大器(LNA)。放大器选用NEC低噪声放大管NE3210S01,利用ADS(Advanced Design System)软件设计、仿真、优化,放大器实测结果表明:在9.2 GHz～9.6 GHz频带内,噪声系数小于1.7 dB,带内增益达到33.5 dB,带内增益平坦度ΔG≤±0.3 dB,输入、输出驻波比均小于1.5。该放大器已应用于X波段接收机,效果良好,其设计方法可供工程应用参考。     

S波段低噪声放大器设计

首先分析了低噪声放大电路的稳定性,功率增益及噪声系数的影响因素及改进方法;然后设计了一个中心频率为2.45 GHz,工作带宽为100MHz的S波段低噪声放大器.仿真结果表明,该放大器的噪声系数小于1 dB,功率增益大于28 dB,增益平坦度小于1 dB,输入/输出驻波比小于2:1.通过传统的电路板制作工艺实际制作了放大器电路,测试结果和仿真结果较一致.     

GPS接收机低噪声放大器设计

选用噪声系数较低的Agilent E-PHEMT ATF-54143晶体管,采用集总元件网络匹配方法,设计实现了一种GPS接收机前端低噪声放大器。通过运用Agilent公司的微波软件ADS进行设计、仿真和优化,在PTFE基板上制作实现了该放大器。实测结果显示,在1 520～1 600 MHz工作频带内,噪声系数<05 dB,小信号增益>16 dB,输入驻波比<2,输出驻波比<15。     

L波段低噪声放大器的设计

文章阐述了低噪声放大器的一部分主要技术指标,通过对电路设计中应该注意的诸多要点分析了此类高频微带电路的复杂结构和形式,介绍了利用微波工作室软件,对GaAs场效应管S参数中增益和噪声系数等参数进行了分析并设计了两级低噪声放大器,并对电路进行模拟和优化,通过电路调试,软件修正,得到最终电路设计,从最终的测试结果可以看出该放大器具有良好的射频性能,已经达到了预定的技术指标。     

L波段低噪声放大器的设计

本文首先介绍了低噪声放大器的设计方法以及采用源极串联负反馈提高晶体管稳定性的原理,然后使用该方法设计了一个L波段低噪声放大器。仿真结果表明该放大器的噪声系数小于1dB,增益大于30dB。     

X波段低噪声放大器的设计

为了实现X波段的低噪声放大器,介绍了按最小噪声系数设计,采用两级级联,利用Eudyna公司的HEMT晶体管设计制作的低噪声放大器。通过专用微波电路设计软件(AWR),对该电路的稳定系数、功率增益、噪声系数、驻波比、匹配网络等进行了仿真分析。根据分析结果制作的X波段LNA取得了如下指标:在9.5～10.5 GHz频带内,功率增益大于22 dB,噪声系数小于1.5 dB,输入输出驻波小于1.7。     

小型化R波段限幅低噪声放大器设计

设计了一种小型化限幅低噪声放大器。采用Lange桥平衡结构,在实现低噪声的同时,得到较小的输入输出电压驻波比。采用集总参数和分布参数元件,实现了各级匹配。该小型化限幅低噪声放大器工作在R波段(2.1~2.5 GHz),噪声系数低于1 dB,输入输出驻波系数小于1.4,增益大于31 dB,带内增益波动只有±0.2 dB。通过SP2D开关实现两路输出,输出隔离度大于42 dB。     

小型化R波段限幅低噪声放大器设计

设计了一种小型化限幅低噪声放大器。采用Lange桥平衡结构,在实现低噪声的同时,得到较小的输入输出电压驻波比。采用集总参数和分布参数元件,实现了各级匹配。该小型化限幅低噪声放大器工作在R波段(2.1~2.5GHz),噪声系数低于1dB,输入输出驻波系数小于1.4,增益大于31dB,带内增益波动只有±0.2dB。通过SP2D开关实现两路输出,输出隔离度大于42dB。     

全波段毫米波低噪声放大器

SPACEKLABS研制成这种最新的低噪声放大器在毫米波段 ,33～ 5 0GHz(WR - 2 2 )和 4 0～ 6 0GHz(WR - 19)能够提供全波段的性能。在此频段风 ,典型增益为 18～ 2 0dB ,最小噪声系数为 3dB。在 +8～ +11VDC时 ,DC为 5 0mA。全波段毫米波低噪声放大器@一凡     

无线应用中的低噪声放大器设计与分析

低噪声放大器在接收系统中能降低系统的噪声和提高接收机灵敏度,是接收系统的关键部件.描述了一种用于无线通信射频(RF)前端的低噪声放大器(LNA)的设计,先总体阐述了低噪声放大器的主要技术和性能指标,然后在采用ATF34143微波晶体管的基础上,依据低噪声放大器的各项指标来同步进行电路的设计、优化和ADS仿真,结果表明设计的低噪声放大器完全满足性能指标要求,其功率增益可达16dB,噪声系数(NF)在0.5dB以下.     

X波段宽带单片低噪声放大器

从获取放大器的等噪声系数圆最大半径的角度来进行电路设计,设计了工作于X波段9～14GHz的宽带低噪声单片放大器,采用法国OMMIC公司的0.2μmGaAsPHEMT工艺(fT=60GHz)研制了芯片。在片测试结果为在9～14GHz,噪声系数<2.5dB,最小噪声系数在10.4GHz为2.0dB,功率增益在所需频段9～14GHz大于21dB,输入回波损耗<-10dB,输出回波损耗<-6dB。在11.5GHz,输出1dB压缩点功率为19dBm。     

X波段低噪声放大器的设计与仿真

文中提出了一种X波段雷达接收机前端低噪声放大器的设计,该放大器选用性价比较高的伪形态高电子迁移率晶体管ATF36077,两级放大器电路分别按照最佳噪声系数和高增益的要求进行网络匹配设计。在设计过程中,引入噪声量度概念对总体电路的指标进行衡量,利用商业软件ADS进行电路的仿真与优化设计。仿真结果表明,该低噪声放大器在9310 MHz~9510 MHz 工作频段内,其噪声系数优于0.51 dB,增益大于20 dB,输出1 dB 压缩点为12.8 dBm。绘制版图,通过合理布局,整体结构紧凑,尺寸仅为42 mm×30 mm,可应用于X波段船舶导航雷达接收机前端中。     

CMOS宽带线性可变增益低噪声放大器设计

文章设计了一种48MHz~860MHz宽带线性可变增益低噪声放大器,该放大器采用信号相加式结构电路、控制信号转换电路和电压并联负反馈技术实现。详细分析了线性增益控制、输入宽带匹配和噪声优化方法。采用TSMC0.18μm RF CMOS工艺对电路进行设计,仿真结果表明,对数增益线性变化范围为-5dB~18dB,最小噪声系数为2.9dB,S11和S22小于-10dB,输入1dB压缩点大于-14.5dBm,在1.8V电源电压下,功耗为45mW。     

一种2.4 GHz低功耗可变增益低噪声放大器

设计了一种工作频率为2.4 GHz的低功耗可变增益低噪声放大器。针对不同的增益模式,采用不同的设计方法来满足不同的性能要求。在高增益模式下,通过理论分析,提出了一种新的定功耗约束条件下的噪声优化方法,考虑了栅匹配电感的损耗和输入端口的各种寄生效应,给出了简明而有效的设计公式和设计过程。在低增益模式下,提出了一种改进线性度的方法。采用TSMC 0.18 μm CMOS RF工艺进行了设计。后仿真结果表明,在功耗为1.8 mW时,最高增益为35 dB,对应的噪声系数为1.96 dB；最低增益为5 dB,对应的输入3阶交调点为3.2 dBm。     

2.4GHz可变增益CMOS低噪声放大器设计

设计了一款工作在2.4GHz的可变增益CMOS低噪声放大器,电路采用HJKJ0.18μm CMOS工艺实现。测试结果表明,最高增益为11.5dB,此时电路的噪声系数小于3dB,增益变化范围为0～11.5dB。在1.8V电压下,电路工作电流为3mA。     

X波段GaN单片电路低噪声放大器

采用0.25μm GaN HEMT制备工艺在AlGaN/GaN异质结材料上研制了高性能X波段GaN单片电路低噪声放大器.GaN低噪声单片电路采取两级微带线结构,10V偏压下芯片在X波段范围内获得了低于2.2 dB的噪声系数,增益达到18 dB以上,耐受功率达到了27 dBm.在耐受功率测试中发现GaN低噪声HEMT器件...     

C波段低噪声放大器的设计

介绍了C波段低噪声放大器的设计和研制过程,并给出了研制结果.它采用平衡式电路结构来达到宽带、低噪声的性能.该放大器在5～6GHz的性能指标为:小信号功率增益GP≥30dB,增益波动△GP≤0.8dB,输出P-1≥10dBm,噪声系数NF≤1.0dB,输入驻波比≤1.2:1,输出驻波比≤1.2:1.