用正电子湮没寿命谱法研究锡镀层缺陷

光亮镀锡工艺由于成本低、无毒、镀层稳定性好而广泛应用于电子元器件引线的电镀.但因锡镀层与基体之间会发生原子的相互扩散,致使产品在储存、焊接或使用期间因温度效应而使某些重要的物理和化学性能,如钎焊性、导电性和防腐性变差。金属界面原子的热扩散行为与金属晶体的结构缺陷密切相关,因此应用正电子湮没寿命谱法研究锡镀层在热处理过程中缺陷的运动规律,在理论和工艺方面都具有重要的意义。     

用正电子湮没寿命谱法研究铝阳极氧化膜

退火纯铝(99.99%)在15%H_2SO_4中于不同电解条件下进行阳极氧化, 然后测其正电子湮没寿命谱, 寿命谱拟合为三个寿命成份, 指认第二寿命成分为e~+在氧化膜中的湮没。从I_2随电解条件的变化推知膜厚与槽压近似成正比, 在恒温和固定槽压条件下, 膜厚只能达到某极限值。根据τ_2的变化推断出, 使用较高槽压或延长电解时间均使膜的结晶度提高, 它诱发了裂缝或微洞的形成, 导致膜体松散。根据上述结论进一步分析提高膜机械性能的可能途径。     

用正电子湮没寿命谱法研究铝阳极氧化膜

退火纯铝(99.99%)在15%H_2SO_4中于不同电解条件下进行阳极氧化,然后测其正电子湮没寿命谱,寿命谱拟合为三个寿命成份,指认第二寿命成分为e~ 在氧化膜中的湮没。从I_2随电解条件的变化推知膜厚与槽压近似成正比,在恒温和固定槽压条件下,膜厚只能达到某极限值。根据τ_2的变化推断出,使用较高槽压或延长电解时间均使膜的结晶度提高,它诱发了裂缝或微洞的形成,导致膜体松散。根据上述结论进一步分析提高膜机械性能的可能途径。     

Y沸石中的正电子湮没

本文测量了NaY、HY和NH_4Y在不同抽空温度下的正电子寿命谱,得到了四个寿命组份,并对它们的归属进行了讨论。其中两个长寿命组份τ_s和τ_4归结为沸石内表面和笼内o-Ps的湮没。o-Ps容易被沸石内的质子酸氧化,而使其湮没寿命τ_3和τ_4缩短。利用正电子寿命谱可以监测NH_4Y沸石的脱氨过程。质子酸的存在对o-Ps的形成并无影响,但随着质子酸浓度增加,o-Ps在沸石内表面湮没的几率大于笼内,故I_3大于I_4。o-Ps的在沸石内表面和笼内的湮没速率与质子酸浓度成线性关系,以一级反应动力学处理得到的o-Ps在沸石内表面和笼内的氧化反应表观速率常数分别为9.67×10~7(mmol/g)_~(-1)s~(-1)和2.36×10~7(mmol/g)~(-1)s~(-1)。     

Y沸石中的正电子湮没

本文测量了NaY、HY和NH_4Y在不同抽空温度下的正电子寿命谱, 得到了四个寿命组份, 并对它们的归属进行了讨论。其中两个长寿命组份τ_s和τ_4归结为沸石内表面和笼内o-Ps的湮没。o-Ps容易被沸石内的质子酸氧化, 而使其湮没寿命τ_3和τ_4缩短。利用正电子寿命谱可以监测NH_4Y沸石的脱氨过程。质子酸的存在对o-Ps的形成并无影响, 但随着质子酸浓度增加, o-Ps在沸石内表面湮没的几率大于笼内, 故I_3大于I_4。o-Ps的在沸石内表面和笼内的湮没速率与质子酸浓度成线性关系, 以一级反应动力学处理得到的o-Ps在沸石内表面和笼内的氧化反应表观速率常数分别为9.67×10~7(mmol/g)_~(-1)s~(-1)和2.36×10~7(mmol/g)~(-1)s~(-1)。     

用正电子湮没寿命谱法研究电沉积镍结构缺陷

应用正电子湮没寿命谱研究了十二种典型镍镀层的结构缺陷。根据电沉积镍含有杂质的特点, 采用四态模型对寿命谱进行理论分析。利用寿命谱二组分拟合结果计算了未退火试样的类空位和类微洞的浓度。研究了第10号试样的退火行为, 根据有关的湮没参数与退火温度的关系曲线, 推断出镀层中的氢既以吸附态形式存在于微洞也以固溶态的形式存在于空位, 同时也观察到在退火过程中空位热迁移并入微洞和镀层杂质发生化学聚团作用的现象。     

SIS的正电子湮没寿命谱的研究

用正电子湮没技术,在-80°～100℃温度范围内,测量了苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯三嵌段聚合物(SIS)的正电子寿命谱。在长寿命成分的温度谱中,实验发现除了有和聚异戊二乙烯及聚苯乙烯的玻璃化温度相对应的温度转变区外,在37℃还存在一个温度转变区。这个中间转变温度可以解释为SIS嵌段共聚物的中间相的玻璃化转变温度。     

明胶大分子中的正电子湮没行为

The microstructural properties of gelatin samples derived from the bovine bone as well as skin of fish which inhabit in the cold sea were examined at molecular scale by using the positron annihilation lifetime spectroscopy（PALS）. The longest-lived component of PALS provides information about the free-volume holes in gelatin macromolecules. The results show that both average size and number of free-volume holes in the fish gelatin macromolecules are lower than those in the bovine gelatin macromolecules. Silver halide emulsions were also precipitated by using the balanced double-jet technique,for which two types of media containing fish gelatin and bone gelatin were used in the stage of nucleus formation,respectively. The monodispersibility of silver halide crystallites can be improved and the growth and coalescence of nucleus grains can be restricted when the fish gelatino-peptizer was used as dispersion medium at the nucleus formation. It thus suggested that the function of gelatino-peptizers as protective colloid is correlated with the microstructure character of gelatin macromolecules established by PALS. The gelatino-peptizer derived from the fish skin possesses stronger power governing nucleation and growth of silver halide grains compared with that made from the bovine bone.     

正电子湮没与沸石内静电场

本文测定了不同类型沸石的正电子寿命谱。发现o-Ps的湮没寿命, 与沸石静电场之间有良好的对应关系, 静电场愈强, 湮没寿命愈短。根据正电子寿命谱结果。含不同阳离子的Y沸石的静电场强弱次序为KY相似文献   

用正电子湮没谱学研究氯化稀土在NaY沸石上的分散

用正电子湮没谱学研究氯化富铈稀土与NaY沸石机械混合形成的稀土NaY沸石(RE-NaY)中,氯化稀土在NaY中的分散．分别测量不同质量比的RE-NaY(1％-20％)经500℃烘烤1h,RE-NaY(5％)经过不同温度烘烤1h,以及RE-NaY(5％)经500℃烘烤不同时间后的正电子寿命谱．所有寿命谱都出现了5个寿命分量,其中第3,4,5寿命分别与β笼、超笼及沸石微粒界面空洞的大小和数量相关．实验表明了正电子湮没谱学能敏感地表征氯化稀土在NaY中的分散．     

明胶/卤化银乳剂体系正电子湮没研究

长期以来,显影过程特别是银丝的生成机理一直是感光工作者关注和研究的焦点.但迄今为止,众说纷坛的各种假说尚未达到共识,本文用正电子湮没技术 (PAT)测定了乳剂的正电子湮没寿命谱,探讨了银丝在自由体积空穴中的生长机理,并采用透射电子显微镜观察除去明胶后的银丝形貌,验证了PAT实验中银丝生长的结论.同时本文根据明胶中蛋氨酸及其氧化产物的大致含量,首次采用正电子湮没技术 (PAT)研究将蛋氨酸及其氧化产物加到照相乳剂中,观察蛋氨酸及其氧化产物的还原性以及在水洗前加入蛋氨酸和在水洗后加入蛋氨酸的差别.     

有机导体

大多数的有机化合物部具有很高的电阻率,一般为10~(10)—10~(22)欧姆·厘米,电阻较低的有机化合物数量不多。各种类型的有机导体的发現及其結构与性能的研究,在理论上和实用中,特别是在了解有机物中电子过程和导电机理方面有着重要意义。本文仅将两篇报导作一简单介紹。最近美国杜邦公司的一些研究人员获得了电阻率为0.01—100欧姆·厘米的有机化合物(CEN 42-3,Jan.9,1961)。这种盐状固体化合物目前尚处于基本研究     

正电子湮没技术在纳米材料中的应

纳米材料在现实应用中表现出越来越优异的性能,其微结构往往对宏观性能有着重要影响。从正电子湮没技术基本原理出发,结合正电子湮没技术在材料微观结构领域的独特优势,介绍了其在纳米金属、合金以及纳米半导体等材料中的微结构研究工作,阐述了纳米材料微结构对基础学科和实际应用的重要意义。     

用正电子湮没技术研究稀土对16Mn钢回复过程的影响

应用正电子湮没多普勒展宽技术研究了含不同稀土量的16Mn钢的回复过程。实验结果表明,稀土元素的存在使S参数迅速下降,这可能是由于稀土元素对间隙杂质原子的吸引减少了杂质原子对位错的封锁以及稀土对钢质的净化作用所致。在再结晶温度下,湮没特征表现为连续回复过程。     

硅胶表面键合物的正电子湮没谱研究

本文在多孔无定形硅胶的表面上键合了不同极性的化学基团, 制成一系列相同基体, 但表面基团不同的样品, 测定了其正电子湮没寿命谱, 发现寿命谱的最长寿命组份随表面键合基不同, 寿命值有明显差别。寿命值与基团的极性及基团的体积有关, 正电子湮没谱的最长寿命组份能灵敏地表征表面的极性和化学性, 可作为表面化学定性分析的有用技术。     

用正电子湮没谱研究聚酯型聚氨酯的微观结构和自由体积特性

用正电子湮没谱研究了两类分别由聚己二酸丁二醇酯多元醇和聚ε 己内酯多元醇合成的线型聚酯型聚氨酯 (PBU和PCU)在 140～ 36 0K温度范围内的结构转变和自由体积特性 .研究结果表明 ,两类聚氨酯(PU)在 140～ 36 0K温度范围内 ,都存在三个转变点 ,其中较低温度的转变 (约 2 0 0K)对应于PU中软段的玻璃化转变温度 (Tg) ,2 75K处的转变可能与样品吸附少量水分有关 ,较高温度的转变 (约 310K) ,对于PBU而言对应于软段结晶的熔点 ,而对于PCU则与在无序的硬段中混入一定量的软段后形成的相容区的Tg 有关 .当温度低于PU软段的Tg 时 ,两类PU的自由体积尺寸和浓度都随温度升高而增大 .当温度高于软段的Tg 但低于2 75K时 ,自由体积尺寸较快地增加 ,而自由体积浓度保持不变 .温度高于 2 75K并低于软段的熔点或硬段 软段相容区的Tg 时 ,自由体积尺寸增加速度最快 ,自由体积浓度却保持同样的数值 .当温度进一步升高时 ,自由体积尺寸和浓度都随温度增大而增加 .最后研究了这两类PU的自由体积分布与温度的关系 .所有这些实验现象均与大分子链的运动有关 ,并与通过DSC和WAXD表征的材料的形态一致     

应用于聚合物中的正电子湮没寿命谱技术

正电子湮没寿命谱技术是一种新型聚合物结构探测与表征技术,针对此技术在聚合物自由体积研究中的应用,首先介绍了该技术的基本原理和应用理论,接着针对寿命谱数据的处理手段和计算方法,对国内外的研究进展进行了概述和总结,最后展示了该技术在聚合物材料研究中用于基本理论,实际运用和结构理论等三个方面的情况。     

超细粉氧化铝陶瓷烧结反应正电子湮没谱分析

利用正电子湮没谱（ＰＡＳ）分析技术对超细粉α＿Ａｌ２Ｏ３陶瓷基片（板）的烧结反应过程进行了检测研究。对在４种不同的温度下得到的烧结体作ＰＡＳ分析研究，发现正电子寿命敏感于烧结温度以及不同温度下的微结构效应。根据ＰＡＳ数据分析，对超细粉陶瓷烧结体的微结构缺陷及温度－相变关系作了初步探索。     

LaFe1-xCuxO3的光催化性及正电子湮没研究

研究LaFeO3及微量掺铜LaFeO3的光催化活性,利用正电子湮没谱分析掺杂的影响,发现随着掺杂百分比的增加,正电子寿命逐渐下降达到一最小值,然后又上升;而光催化活性随掺杂百分比的增加逐渐上升达到最大值,然后下降。结果表明：LaFeO3掺杂后光催化活性得以提高;正电子湮没技术是研究点阵缺陷结构的有效方法之一。