半导体中激子的叠加态及其复合辐射

本文在玻色近似和“非玻色近似”两种情形下,讨论单激子和双激子Dicke和Fock叠加态及处在这些态的激子的压缩特性、反聚束特性和亚泊松统计特性。文中指出了处在这些态的激子的复合辐射光也可具有这些非经典特性,并对各种情形所得结果作了比较和解释。 关键词：     

半导体中激子的叠加态及其复合辐射

本文在玻色近似和“ 非玻色近似” 两种情形下, 讨论单激子和双激子Dicke和Fock 叠加态及处在这些态的激子的压缩特性、反聚束特性和亚泊松统计特性.文中指出了处在这些态的激子的复合辐射光也可具有这些非经典特性, 并对各种情形s所得结果作了比较和解释. 关键词：     

EXCITON ENERGY OF THE InAs/GaAs SELF-ASSEMBLED QUANTUM DOT IN A SEMICONDUCTOR MICROCAVITY

We report on the theoretical study of the interaction of the quantum dot (QD) exciton with the photon waveguide models in a semiconductor microcavity. The InAs/GaAs self-assembled QD exciton energies are calculated in a microcavity. The calculated results reveal that the electromagnetic field reduces the exciton energies in a semiconductor microcavity. The effect of the electromagnetic field decreases as the radius of the QD increases. Our calculated results are useful for designing and fabricating photoelectron devices.     

半导体量子阱中自由激子稳态荧光特征

在不同晶格温度和不同激发光强度下，测量了四元系GaInAsSb/GaAlAsSb单量子阱中自由激子的荧光光谱，导出了稳态光谱测量条件下自由激子荧光强度与激发光强度和晶格温度的一般性公式.计算结果表明，激子相对占有数引起的温度和密度效应会影响激子发光的强度关系.根据本文的简单模型，线性比例系数I/I₀实际上综合地反映了量子阱中自由激子的荧光效率，而从激子荧光强度的Arrhenius图的最佳拟合中不仅可以得到激子的束缚能和激活能，而且还能估计出量子阱材料的本底浓度和散射时间常数. 关键词：     

电场对高分子中极化子激子的影响

介绍了近年来有关外电场对高分子中极化子激子影响的研究工作。它们包括：研究方法,外电场注入的或光激发引起的电子和穴穴会在高分子中形成极化子激子,弱或中等强度电场使极化子激子极化,强电场解离极化子激子,发现高分子中极化子双激子具有反向极化新性质,探讨反向极化这个新的物理现象的物理起因、意义及可能的应用。     

氮化镓外延单晶中束缚激子辐射复合的偏振特性

研究发现,氮化镓外延单晶中束缚于中性施主中心和受主中心上的束缚激子BED°和BEA°的复合发光,具有偏振特性。这种偏振特性,会随激发光的强度发生变化。当激发光的强度在104W/cm2和106W/cm2间变化时,偏振度首先以二次方的规律随激发光强的增强而增加,而后超于饱和。本文首先用单轴晶体中介电函数的各向异性解释了荧光固有偏振度的起因,继而采用束缚激子间相互作用的电偶极子模型解释了荧光偏振度随激发光光强的变化规律。     

半导体中的双激子压缩态及其复合辐射

本文引进双激子压缩态,在单激子“非玻色近似”和玻色近似两种情形下,讨论了量子关联和空间关联的双激子的压缩特性、二阶相关特性及其复合辐射光的压缩特性,说明两种情形下双激子玻色近似分别相当于SU(2)群和SU(1,1)群到谐振子群的收缩,并给出这种收缩所带来的结果。 关键词：     

半导体的电子生伏打效应的理论

一.引言 以高速电子注射到具有阻挡层的半导体光电池上,其效果和光線相类似,使光电池的两极间产生电动势。这种效应可称为电子生伏打效应。这效应首先在1937年由Becker和Kruppke研究过,以后Ehrenberg,蓝继熹和West做了更有系统的测量。他们的测量结果表明,当电子注的能量逐渐增加时,光电池的电动势(以下简称次级电动势)最初很快地增加,达到一个极大值后又逐渐减少。相当于最大次级电动势     

高分子中的激子-激子复合过程

高分子的一维特性使电子激发产生显著的自陷(self-trapping)效应，两个单激子(exciton)会复合形成双激子(biexciton)，这是形成双激子的重要通道，其效率高于双光子过程.这种复合过程伴随着晶格畸变，需要了解其演变过程并确定其弛豫时间.本文利用动力学方程研究了激子-激子复合的弛豫过程，确定了它的弛豫时间为160fs，同时还研究了外电场E对复合过程的影响，结果表明，当E大于0.5MV/cm时，两个单激子不能复合成双激子，而是解离成正负双极化子. 关键词：     

半导体中电子-空穴对的相干态、复合辐射和噪声压缩

本文讨论了在光的相干激发下,半导体中电子-空穴对的玻色近似和SU(2)相干态的产生,讨论了两种情形下电子-空穴对噪声特性和复合辐射特性,给出了电子-空穴对的二阶相干函数和分布函数,说明了玻色近似相当于SU(2)群到谐振子群的收缩。 关键词：     

光电开关锁定机理的理论分析

光电开关锁定(lock-on)现象自1990年报道以来已受到广泛关注,许多学者研究其机理并已开展研究将其应用到高压脉冲发生系统中,但目前所有的研究尚处于起步阶段.本文就光电开关锁定机理作了较全面的理论分析,认为光电开关的锁定是光与电联合作用的结果,耿氏效应引起场强动态增强,光脉冲产生的光电子引起本征碰撞电离,从而比较完整地解释了光电开关处于锁定状态时的增益现象.     

数学物理方法在半导体PN结分析中的应用

半导体PN结具有的单向导电性,是制造半导体器件的基础,使电子信息技术得以高速发展.我们用数学思想方法分析和解释半导体PN结中电流的运动规律,探讨了一个新的分析方法和教学思路.     

物质内部有辐射的热传导问题

本文研究了在透明物质内部有辐射的热传导问题,得到了普遍的传热方程。接着详细研究了在稳定的情形下普遍传热方程在四种特殊形状的物体中的解,这四种特殊形状是,平面、圆柱体、球体、和长椭球。在平面问题中进行了数值计算,所得的结果与以前开累所得的不同。本文指出,开累忽略了热向各个方向辐射的性质,而只考虑了辐射在温度变化的方向,因而所得的传热方程不同。     

二阶离化对缀饰态稳定性的影响

推广了包含二阶离化和自电离耦合的缀饰态理论,并研究了二阶离化对缀饰态稳定性的影响。结果表明:二阶离化破坏了缀饰态的稳定性,但二阶离化中的C-C耦合在某种程度上可以降低这种不稳定性。 关键词：     

辐射的相干性和熵的增加

本文讨论一个多原子辐射模型:N个有两能级的原子体系(A),与一个单模辐射(B)彼此耦合,A和B又分别同热库D和C耦合,假设在辐射场波长范围内所有原子有相同的相位,则在长波、旋转波和平均场近似下,用密度矩阵方法,引入Markov近似,便可导得A,B两体系的运动方程,这一组方程包含了单原子的自发辐射和热辐射引起的吸收、感应辐射,同时也包含了单模相干态辐射引起的N个原子的感应辐射以及这多原子体系的相干自发辐射过程。后两种过程实际上是始于Dicke模型而后曾被人们多次讨论过的两类超辐射过程,我们对上述五种过程进行 关键词：     

磷化镓中铋束缚激子的多声子辐射跃迁

在温度4.2K—110K范围内测量了GaP:Bi外延层的光致发光谱。发光谱中只出现Bi束缚激子辐射复合的谱线。由于Bi束缚激子的局域电子态与四周品格存在着相当强的耦合,晶格弛豫引起的多声子辐射复合非常明显,发射光谱呈现相当宽的橙色谱带,且声子伴线“丰富”并彼此重迭。实验结果表明:从4.2K—40K A类线与B类线并存,B类线强度随温度上升而减弱最终难于辨认,77K以上A类线支配着整个光谱。对复杂的发光光谱谱线进行了识别和分类,并借助于电子计算机用曲线拟合法对光谱进行精确分解,首次求出各系列的黄昆因子(Huang-Rhys factor)。较大数值的黄昆因子表明晶格弛豫是强的。     

聚合物微腔的研制及其特性分析

采用ＢＭＰＰＶ：ＰＶＫ的混合物作国源介质，将其按一定比例溶于氯仿中，并旋涂在具有９９．５％的反射率的ＤＢＲ上，其上蒸发３００ｎｍ的银膜，形成了面发射型微腔结构，其中ＤＢＲ在入射腔面，银膜为反射腔面，在激发波长３３７．１ｎｍ，频率２０Ｈｚ脉宽１０ｎｓ的氮分子激光器泵浦下，光谱明显等窄化，出现４６０ｎｍ和５３０ｎｍ两个比较强的发光峰，主峰国４６０ｎｍ半宽度为７ｎｍ。     

纳米尺寸CdS半导体微晶的光致发光线宽宽化研究

测量了各种温度下玻璃中掺杂纳米尺寸CdS半导体微晶的光致发光光谱,研究了其光致发光带的峰值能量和线宽对温度的依赖关系.考虑CdS微晶的LO声子的相互作用,拟合了其带隙发光带的线宽随温度的变化曲线,获得样品的非均匀线宽.CdS微晶的非均匀线宽主要是由于微晶的尺寸分布引起的.     

纳米尺寸CdS半导体微晶的光致发光线宽宽化研究

测量了各种温度下玻璃中掺杂纳米尺寸ＣｄＳ半导体微晶的光致发光光谱，研究了其光致发光带的峰值能量和线宽对温度的依赖关系．考虑ＣｄＳ微晶的ＬＯ声子的相互作用，拟合了其带隙发光带的线宽随温度的变化曲线，获得样品的非均匀线宽．ＣｄＳ微晶的非均匀线宽主要是由于微晶的尺寸分布引起的．     

PHASE PROPERTIES OF THE RADIATION FIELDS IN RAMAN PROCESS

The general evolution of the interaction of two radiation fields with an effective two-level atom via the Raman-type transitions is presented. Using the Pegg-Barnett phase theory, the joint phase probability distribution of the two field modes, phase average values and phase fluctuations are studied in detail. Also, the effect of the presence of a field on the phase properties of the other mode is examined.