异质结材料及其表面金属膜的俄歇能谱研究

本文阐述主要使用AES研究单层或多层InP/InGaAsP异质结材料的界面,发现晶格失配会引起组分缓变。另外也分析了各种不同温度下的欧姆接触,观察到各金属之间及金属/半导体界面上的相互扩散情况。     

超高真空俄歇电子能谱原位加热和GaN热效应研究

An in situ heating system was built for the Auger electron spectroscopy to investigate the thermal effect of Auger lines. A GaN sample was studied in this system. The kinetic energy of Ga LMM and MVV Auger lines were observed to shift negatively with temperature increasing. By using ab initio calculation, the theoretical Ga MVV Auger line shape was fit, which well reflects the inner property of the line. The Auger shift with heating is related with the valence electron rearrangement in the thermal expansion of the local bonds.     

俄歇化学位移及其在表面化学上的应用

从俄歇电子激发过程讨论了化学位移和元素化合价以及电负性的关系, 提供了常用元素在不同化合物中的俄歇电子动能及化学位移数据, 运用俄歇化学位移研究了氧在锌表面的吸附和初始氧化反应, Ti/SiO_2的界面固相反应机理以及摩擦过程中润滑膜的组成和结构.     

用俄歇能谱和X射线能谱研究板状碘溴化银微晶中的碘离子的空间分布

本文制备了一系列不同碘含量的板状碘溴化银微晶(微晶大小约为3微米)。运用扫描透射电镜和X射线能谱仪(EDS)对单个微晶进行了分析和研究,半定量地测定了碘离子在板状微晶中的面分布;运用扫描俄歇微区棵针(SAM)和二次电子像、离子溅射剥层技术对微晶进行了表面及其纵深的碘离子的点分析,根据EDS和SAM的结果,可以得到板状碘溴化银微晶中的碘离子的空间分布。实验结果表明在板状缺溴化银微晶中,在其中心部位的碘含量最高;越靠近横向边缘的位置,碘含量越低。且在制备碘溴化银微晶时,如果pAg值较高,将会使在制备早期加入的碘离子通过不断的重结晶向微晶表面扩散,得到的微晶不是夹心结构的碘溴化银微晶。     

硫在Ni_(110)表面偏析的角分辨俄歇研究

本实验采用LEED及角分辨俄歇两种手段,对硫在Ni_(110)表面的偏拆作了详细的分拆。角分辨俄歇表明:Ni_(110)表面硫的偏折存在一硫的深度分布,分布层厚度大约为2～3镍原子层厚度。而LEED观察表明,当退火温度达到900℃退火4～5秒,将得到清晰的C_(2×2)图形。     

利用ESCADB进行俄歇参数分散图集系统绘制的研究

引言从X射线光电子能谱可以用各种方法鉴定原子的化学价态和化学环境,其中应用最多的是光电子峰的绝对结合能及其化学位移。如果化学位移较小而仪     

电子能谱法研究锡铅合金镀层的表面状态及其与可焊性的关系

本文用X射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)研究了Sn-Pb合金镀层的表面氧化物膜状态并用润湿称量法测定了可焊性。结果表明,Sn-Pb合金镀层表面生成的氧化物膜主要由四价锡的氧化物(SnO_2·XH_2O和SnO_2)组成,铅的氧化物只占很少部分。这说明Sn-Pb合金镀层中锡组分较铅容易氧化。 Sn-Pb合金镀层经155℃加热16小时后,表面氧化物膜的厚度增长很大,同时可焊性明显下降。当Sn-Pb合金镀层经过热熔后,表面变得致密光亮;经155℃加热16小时后生成氧化物膜的厚度较未经热熔的在相同条件下要薄。同时可焊性也较未热熔的好。这说明Sn-Pb合金表面生成氧化物膜的厚度是影响可焊性的重要因素,热熔使Sn-Pb镀层均匀的再结晶改变了镀层结构,使之成为致密的细晶结构,增加了镀层表面的抗氧化能力。故经热熔处理的Sn-Pb合金镀层具有较长的贮存期仍能保持良好的可焊性。     

电子能谱线形分析研究碳物种的化学状态

利用ＸＰＳ的ＣＩｓ携上峰,Ｘ射线激发供歇线形,ＸＰＳ价带谱以及俄歇电子能谱的ＣＫＬＬ线形研究了几处碳材料的化学状态和电子结构。研究结果表明：ＸＰＳ的携上效应可以鉴别不同结构的碳材料。ＸＡＥＳＲ 化学位移和线形也可以有效地研究中不同的碳材料的成像方式。ＸＰＳ的价带谱电子结构的一种有效方法,对碳材料的研究也很有效。ＡＥＳ的ＣＫＬＬ俄歇线形非常适合金属碳化物的鉴别。     

用俄歇参数法研究SiO2／Si界面层硅元素过渡态

本文报道了俄歇参数法用于ＳｉＯ２／Ｓｉ界面层硅过渡态的研究。使用一种新的ＡｌＫα－ＡｇＬα混合Ｘ射线激发源，获得了界面层上Ｓｉ２Ｐ，ＳｉＫＬＬ谱峰。给出了从表面到界面硅的化学状态变化与俄歇参数值。     

薄膜CdSe及CdSexTe1-x电极的光电子能谱研究

用X射线光电子能谱(XPS)研究了不同含氧气氛中烧结的薄膜CdSe及Cdse_xTe_1-x电极表面,以及薄膜与Ti底基之间的界面。研究中发现,二种薄膜电极的表面形成了CdO,SeO₂及TeO₂氧化物,与薄膜接触的Ti底基表面上形成了TiO₂。用俄歇电子能谱(AES)对在电极表面及Ti表面所生成的氧化层分别进行了深度分析。结果表明,各种氧化物形成的程度有很大的不同,氧化层厚度也存在差异。对影响薄膜电极的光电性能的因素进行了讨论。     

应用渐进因子分析法研究了SiO2／Si样品俄歇深度剖析

首次利用渐进因子分析法对ＳｉＯ２／Ｓｉ样品俄歇深度剖析过程进行研究，发现ＳｉＯ２／Ｓｉ界面处有ＳｉＯｘ成分存在，ｘ值在１．０～１．５之间，厚度约为３０ｎｍ，含量接近５０％，Ａｒ＾＋离子束的轰击使得ＳｉＯ２薄膜内分解产生亚稳态ＳｉＯ２含量在１７％左右，研究结果表明，渐进因子分析法非常适合于俄歇深度剖析的化学态分析。     

基于二维材料及其范德瓦尔斯异质结的光电探测器

近些年来,石墨烯、黑磷和过渡金属二硫化物以及其他二维材料受到了越来越多的关注。凭借其独特的结构和优异的电学、光学特性,这些二维材料在光电器件中得到了广泛应用,具有良好的发展潜力。本文概述了二维材料在光电探测器领域的最新研究进展,介绍了一些常见的二维材料及其制备方法,阐述了光电探测器件的基本原理和评价参数,以及回顾了二维材料及其异质结构在光电探测器中的应用,最后总结了该领域仍然面临的挑战并对其未来的发展方向进行了展望。     

MoO3在Al2O3薄膜表面扩散的研究

氧化物和盐类在高比表面载体上的单层分散现象已被大量实验所证实［１］．ＭｏＯ_３在γ－Ａｌ_２Ｏ_３等高比表面载体上的分散已经研究很多,近来的研究证实ＭｏＯ３等在α－Ａｌ２Ｏ３等小比表面载体上也能自发单层分散［２］,但是分散的过程仍然缺乏直接的观察研究．本工作通过多种表面分析方法首次研究了ＭｏＯ３在平整无定形的Ａｌ２Ｏ３薄膜上的扩散过程以及影响因素．发现除温度升高外、水汽的存在对该扩散过程也有促进作用．１实验部分１．１样品的制备采用ＳＳ－３２００真空磁控溅射镀膜机,通入Ａｒ－Ｏ２作为反应气,直流磁控…     

异质结光催化材料的新进展

伴随着人类文明的快速发展,一些危机慢慢显露出来,例如能源危机、环境污染和全球变暖.2019年5月11日,Mauna Loa天文台报告,大气中的二氧化碳水平超过415 ppm,达到人类历史上的最高记录,欧盟随后于2019年11月宣布了气候紧急状态.因此,绿色能源技术已成为迫切需求,以减少化石燃料的使用,并减少污染物的产生...     

YFeO3/TiO2异质结材料的制备及其光催化性能研究

通过研磨-焙烧法制备了YFeO3/TiO2异质结材料,考察了焙烧温度和组分质量含量变化对合成异质结材料的影响;进行了X射线衍射(XRD)、傅里叶红外(FRIR)、紫外-可见漫反射(UV-vis/DRS)、光电子能谱(XPS)等表征并测试了不同样品光催化降解橙黄Ⅱ的活性.结果表明,YFeO3/TiO2复合氧化物不仅具有明显的可见光光响应,而且表现出比单组分相对较高的光催化降解活性.最佳的复合样品为600℃焙烧下,w(TiO2)=0.9的复合样品.复合材料光催化活性的提高可归因于p-YFeO3与n-TiO2间存在的p-n结.     

应用渐进因子分析法研究SiO_2/Si样品俄歇深度剖析

首次利用渐进因子分析法对ＳｉＯ２／Ｓｉ样品俄歇深度剖析过程进行研究，发现ＳｉＯ２／Ｓｉ界面处有ＳｉＯｘ成分存在，ｘ值在１０～１５之间，厚度约为３０ｎｍ，含量接近５０％。Ａｒ＋离子束的轰击使得ＳｉＯ２薄膜内分解产生亚稳态ＳｉＯ２，含量在１７％左右。研究结果表明，渐进因子分析法非常适合于俄歇深度剖析的化学态分析。     

X光电子能谱分析中光电子峰和俄歇峰的干扰及消除

X光电子能谱(XPS)在分析多元素材料时,光电子峰可能受到其它元素俄歇谱的干扰.在AlKα激发CrZnSi合金样品时,光电子峰Cr2p和俄歇峰ZnLMM相互干扰,而换用双阳极中的MgKα源激发,虽可消除此相互干扰,但样品表面的Cls和Nls又会受到ZnLMM干扰.类似地,AlKα激发的GaN样品中Nls受俄歇峰GaLMM的严重干扰,而换用MgKα源激发时,Cls峰又受到的GaLMM的干扰.交替使用Mg/Al双阳极激发源,可改变XPS分析中的俄歇谱及其背景对光电子峰的干扰位置,并用未受干扰的峰互相校正2组谱图能量位置,以对样品谱峰作出正确的分析.