Ca3NbGa3Si2O14晶体的BAW传播特性

本文计算了沿Ca3NbGa3Si2O14(CNGS)晶体的x、y和z方向传播的声体波(BAW)的声速,绘制了yz、xy和xz面传播的慢速度分布曲线.这些结果对CNGS晶体在压电器件的设计、开发及利用方面具有一定的理论指导意义.     

Sr3NbGa3Si2O14晶体非同向声光可调谐滤波器的研究

对0.6328μm和1.06μm两种波长,分别给出了Sr3NbGa3Si2O14(SNGS)晶体声光可调谐滤波器取不同近似下的超声波极角θa和入射光极角θi之间的关系曲线.结果指出,对晶体取双折射近似基本没有误差,在红外波段不必考虑旋光特性.具体计算了λ=0.6328μm时,器件的有关性能指标光谱分辨率和角孔径.所得结果对SNGS晶体在非同向声光可调谐滤波器中的应用提供了理论依据.     

Sr3NbGa3Si2O14压电晶体旋光性质的研究

本文测定了紫外、可见光区新型压电晶体-Sr3NbGa3Si2O14(SNGS) 的透过率,并利用一种新方法即通过测量晶体在平行偏振系统中的透过率谱研究了其旋光性,且拟合出旋光色散曲线.此晶体属左旋单轴晶体,旋光非常大,其旋光率ρ在513nm处达到43.69°/mm.     

Sr3NbGa3Si2O14和Sr3TaGa3Si2O14压电晶体的声表面波特性研究

本文编程计算了Sr3NbGa3Si2O14(SNGS)和Sr3TaGa3Si2P14(STGS)压电晶体的X,Y和Z切型的声表面波速度、机电耦合系数及能流角,与现有实验结果符合的很好.计算结果指出SNGS的(90°,90°,167.5°)、(0°,90°,0°)和(0°,0°,90°),STGS的(90°,90°,170°)和(0°,90°,0°)切型具有机电耦合系数大、能流角为零等优点,制作声表面器件可以优先考虑这些切型.     

掺Nd钒酸盐晶体热导率的拉曼光谱研究

运用晶格动力学观点推导了热导率与积分拉曼散射强度的关系,测量了Nd:YVO4 (简称NYV)和Nd:GdVO4 (简称NGV)不同配置下的高温拉曼光谱和其a、c向的热导率,理论与实验非常吻合.     

CsLiB6O10晶体及熔体微结构的高温拉曼光谱研究

本文利用高温原位拉曼光谱技术,测定了非线性光学晶体硼酸铯锂(CsLiB6O10,CLBO)晶体及其熔体的变温拉曼光谱.利用密度泛函理论计算了基本单元为(B3O7)5-六元环的CLBO晶体的拉曼光谱,并对振动模式进行了分析归属.在升温过程中,CLBO晶体的拉曼光谱出现展宽和红移,无相变发生;在熔化过程中,CLBO晶体微结构中(B3O7)5-六元环的[BO4]四面体发生异构化反应,转变为[BO3]三角形,即晶体相中的(B3O7)5-环变为熔体中的(B3O6)3-环.利用量子化学从头计算方法计算分析了熔体中结构基元的拉曼光谱谱学特征,结合熔体实测结果,表明CLBO熔体的阴离子基元为四个(B3O6)3-六元环组成的大四元环超级结构.     

应用拉曼散射研究稀土钴氧化物的晶体结构

稀土钴氧化物的磁特性和输运性质强烈依靠稀土离子和它们的精细结构.通过Raman散射研究了稀土离子在两种结构中的作用.当R=La、Ce、Pr、Nd,时,RCoO_3化合物为立方结构(Pm~3m),而对于小离子半径(R=Sm、Eu、Gd和Dy),RCoO_3化合物存在于正交结构中[空间群为Pnma(D_(2h)~(16)),Z=4].按照其晶体结构和Raman行为,将RCoO_3化合物分成三个群体:一组包含La、Ce、Pr、Nd,另一组包含Sm、Eu、Gd、Dy,第三组包含Tm、Yb 、Lu 和Er.     

Ba3(VO4)2晶体的生长和拉曼性质的研究

采用提拉法生长了尺寸为φ22mm×50 mm的Ba3(VO4):晶体.室温下测试了Ba3(VO4)2晶体不同激发配置下自发拉曼散射光谱.另外测试了该晶体在532 nm、25 ps脉冲下的受激拉曼散射,观察到3阶斯托克斯线(625.5 am)和1阶反斯托克斯线(506.8 nm),并估算了Ba3(VO4)2晶体的稳态拉曼增益系数.     

铌酸锂晶体高温拉曼光谱研究

采用高温拉曼光谱法,对铌酸锂晶体高温下的结构特征进行了研究.结果显示,室温下较强的拉曼振动模式主要是由[NbO6]八面体的振动所引起的;随着温度升高,频率减小,谱峰位置向低波数方向移动,可观测到的谱峰数目减少.这主要是由晶体内模所对应的Nb-O键合强度随着温度升高而减弱引起的.     

LaBr3晶体本征点缺陷研究

基于密度泛函理论平面波赝势法对LaBr3晶体本征点缺陷进行了系统研究.通过第一性原理和热动力学方法,计算得到了不同温度及溴分压下LaBr3晶体中本征点缺陷的缺陷形成能,并讨论了不同环境条件下本征点缺陷的形成能随费米能级的变化关系.计算结果表明,当费米能级位于导带底附近时,LaBr3晶体中的主要点缺陷为Lai…能级位于价带顶附近时,LaBr3晶体中主要的点缺陷为Vlao…VBr在高温/低溴分压相对稳定,Vla在低温/高溴分压更稳定.本文还做出了最稳定点缺陷随温度、溴分压及费米能级变化的三维空间分布图,清晰地呈现了不同条件下,该晶体最可能出现的点缺陷类型,从而为调控晶体的点缺陷改善晶体光学性能提供参考.     

Nd:GdVO4晶体Raman光谱理论计算和实验测量

根据商群对称性分析法对Nd:GdVO4(简称NGV)晶体的Raman光谱做了理论计算,测量了NGV不同配置下的Raman光谱.商群对称性分析法得到的结果与实验测量相符.     

CNGS和CTGS晶体电子结构及成键特性的第一性原理研究

采用基于密度泛函的第一性原理平面波赝势法对CNGS和CTGS基态的几何结构、电子结构和成键特性进行了系统的研究;利用精确计算的能带结构、态密度和所绘制的电荷密度等值线分析了晶体中各元素对总态密度的贡献和杂化特性和晶体中各阳离子的成键强度和特点;排列出各键的强弱顺序并指出C位(Ga-O键)、B位(X-O键)和D位(Si-O键)是晶体压电特性的主要来源;计算了其折射率,并与实验数据进行了比较,计算误差小于9;.     

BGO晶体生长固液边界层结构的微区研究

研究了BGO晶体固/液边界层及其两侧晶体和熔体的高温拉曼光谱,分析了BGO晶体生长固/液边界层以及边界层两侧晶体和熔体的结构特征.结果显示,桥氧键Bi-O-Ge和O-Bi-O在晶体和边界层中都存在,而在熔体中消失.说明[GeO4]和[BiO6]结构基团在晶体及边界层中都存在,边界层中的结构已接近晶体结构;但在熔体中[GeO4]结构基团和Bi3+却是两种独立的存在,长程有序的晶体结构消失.并首次报道了BGO晶体固/液边界层的厚度约为50μm.     

熔盐提拉法生长大尺寸KGW晶体及其拉曼特性研究

β-KGd(WO4)2(简称KGW)晶体是一种兼具激光基质和拉曼性能的优秀材料,受到了广泛的关注和研究.采用熔盐提拉法生长了尺寸>60 mm、质量>800 g的KGW晶体,光学均匀性为1.34×10-5.在生长的晶体中,观察到了包裹体聚集层、空洞和开裂等较大尺寸缺陷,并探讨了原因.初步的激光实验实现了1151.3 nm拉曼激光输出,功率80 mW,拉曼频移为898.2 cm-1.     

Resonant Raman Scattering in the Polyacetylene System

The amplitude mode approach for describing the resonant raman scattering in dimerized chains is reviewed and applied to the polyacetylene system. trans-(CH)_x is disordered with a variable electron-phonon coupling constant. cis-(CH) _x is ordered with an extrinsic gap of ～ 5% of the full gap. A distribution of extrinsic gaps is shown to exist In trans-(CH) _x chains in partially isomerized polyacetylene.     

自拉曼激光晶体Er: PbWO_4的光谱性质研究

采用坩埚下降法生长出大尺寸Er: PbWO_4晶体,通过对晶体顶端和靠近晶种端的吸收光谱、自发拉曼散射光谱、荧光发射寿命和980 nm LD泵浦下红外荧光光谱的测试,分析讨论了Er: PbWO_4晶体的自拉曼光谱性质.对纯PbWO_4晶体的自发拉曼散射光谱的振动模式进行了简单的分析和指认,指出其强度最大的振动模位于903 cm~(-1),对应于W-O对称伸缩振动模Ag.结合Er~(3+)的红外波段荧光光谱及荧光寿命的测试,研究了介质PbWO_4将Er~(3+)的1.5 μm发光拉曼频移获得中红外发光的可能性.     

Sr2+对GdVO4晶体生长和拉曼性能的影响

本文报道了Sr2+离子掺杂对GdVO4晶体生长和拉曼性能的影响.SrxGd1-xVO4晶体粉末经X射线粉末衍射分析,其结果仍属四方晶系,具有锆英石结构.实验表明,高掺杂浓度时,Sr2+离子不易取代Gd3+离子进入GdVO4晶体的晶格,易导致SrxGd1-xVO4晶体开裂和产生包裹体.XPS实验证明,SrxGd1-xVO4晶体中钒元素为+5价.同时测试了常温下SrxGd1-xVO4晶体的拉曼光谱,发现随着Sr2+离子浓度增加,在884cm-1处的VO4反对称伸缩振动逐渐增强,表明Sr2+离子的掺入影响了GdVO4晶体的拉曼性能.