阿霉素在钴离子注入修饰电极上的电化学行为及其应用

阿霉素在０．１ｍｏｌ／Ｌ ＨＡｃ－ＮａＡｃ（ｐＨ４．６２）缓冲溶液中用注入钴的修饰玻碳电极为工作电极进行伏安测定,得到一良好的还原峰;Ｅｐ＝－０．５２２Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）。峰电流与阿霉素浓度在１．４×１０＾－６－１．４×１０＾－６ｍｏｌ／Ｌ和１．４×１０＾－６－５．６×１０＾－５ｍｏｌ／Ｌ范围内呈线性关系,。     

盐酸阿霉素在玻碳电极上的电化学行为研究及分析应用

采用线性扫描伏安法和循环伏安法研究了盐酸阿霉素在玻碳电极上的电化学行为及电极反应机理,优化了测定盐酸阿霉素的各实验参数。结果表明,在0.01 mol/L的HCl溶液中,盐酸阿霉素在-0.40 V处出现(vs.SCE)一灵敏的还原峰,峰电流与其溶液浓度在5.0×10-8~1.0×10-6mol/L(r=0.999)和1.0×10-6~1.0×10-5mol/L(r=0.998)范围内呈良好的线性关系,检出限为1.0×10-8mol/L。并用循环伏安法研究了盐酸阿霉素的峰电流性质,发现电极反应属于准可逆过程,出现一对灵敏的氧化还原峰,体系属准可逆吸附波。利用盐酸阿霉素在玻碳电极的电化学行为建立的分析方法可用于盐酸阿霉素的质量监控及药代动力学研究。     

阿霉素在多壁碳纳米管膜电极上的电化学行为及其分析研究

报道了一种多壁碳纳米管(MWNT)膜电极的制备方法。研究了阿霉素(ADM)在多壁碳纳米管膜电极上的电化学行为。优化了测定阿霉素的各实验参数,实验证实,ADM浓度在2.0×10-8～1.0×10-5mol/L之间其还原峰电流与浓度有良好的线性关系。富集4min后检测,本法的检出限为5.0×10-9mol/L。用此膜电极测定了病人服用阿霉素后尿样中阿霉素的浓度,取得了满意的结果。     

阿霉素在纳米钴/碳纳米管/ITO修饰电极上的电化学行为

以固定在氧化铟锡(ITO)电极上的多壁碳纳米管为基底吸附纳米钴,制备了复合纳米材料修饰的电极(Co/CNT/ITO)。采用扫描电子显微镜(SEM)和电子能谱(EDS)等对其进行了表征。用纳米钴/碳纳米管/ITO电极,研究了阿霉素(ADM)的电化学行为。实验表明,该体系具有吸附性的不可逆过程,峰电位为-0.65V(vs.Ag/AgCl),峰电流与ADM浓度在1.0×10-9～5.0×10-7mol/L范围内呈线性关系;检出限为1.0×10-9mol/L。本法灵敏、简便。     

青蒿素在银电极上的电化学行为及其定量分析

在乙醇(1+4)+B R缓冲溶液(pH7.2)中,青蒿素在银电极上有一灵敏的还原峰,无氧化峰,峰电位为-0.64V(vs.SCE)。2 5次微分线性扫描伏安(2 5thLSV)峰电流与青蒿素的浓度在8.0×10-6～1.0×10-3mol L范围内成线性关系(r=0.9994),检出限为5.0×10-6mol L,该法已用于人工合成样品分析,优于紫外测定法。     

脱氧核糖核酸在汞膜电极上的电化学行为

首次在汞膜电极上利用循环安，微分脉冲和交流伏安法研究脱氧核糖核酸（ＤＮＡ）的电化学行为，结果表明汞膜电极作为一类固体电极可应用于负电位区ＤＮＡ电化学行为的研究。同时结合凝胶电泳和ＵＶ光谱法，研究了用纯高氯酸处理的ＤＮＡ的氧化还原特性，结果表明纯高氯酸可经起ＤＮＡ的变性和降解，纯高氯酸不适宜ＤＮＡ的变性处理。     

马兜铃酸在钴离子注入修饰电极上的电化学行为及其应用

马兜铃酸在 0 .2mol/LHAc -NaAc缓冲溶液 (pH 4.6)中 ,用钴离子注入修饰电极为工作电极进行伏安测定 ,得到一良好的还原峰 ,峰电位为 -0 .71V(vs .SCE) ,峰电流与马兜铃酸的浓度在 1.2× 10 - 7～ 3 .7×10 - 5mol/L之间呈线性关系 ;检出限为 8.6× 10 - 8mol/L。用于人工合成试样的测定 ,结果满意。用线性扫描、循环伏安法研究了体系的性质。结果表明 :马兜铃酸的电极过程是具有吸附性的不可逆过程。用AES和XPS表面分析技术对注入电极表面和未注的玻碳电极表面进行了表征 ,探讨了离子注入电极的催化性质     

氨甲蝶呤在Co/GC离子注入修饰电极上电化学行为及其应用研究

氨甲蝶呤在0.1mol/LHAc-NaAc(pH=4.96)缓冲溶液中,用Co/GC离子注入修饰电极进行伏安测定,得到一良好的还原峰,峰电位为-0.95V(vs.SCE).峰电流Ip与氨甲蝶呤的浓度在2.2×10^-7～8.8×10^-6mol/L范围内呈线性关系。检出限为1.1×10^-8mol/L.建立了测定氨甲蝶呤的新方法,可用于实际样品的测定,回收率在98.9%～106.2%之间。用线性扫描和循环伏安法研究了体系的电化学行为及电极反应机理。实验表明,氨甲蝶呤的还原为不可逆吸附过程,并伴随两个电子和两个氢离子参与电极反应。用俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)等表面分析技术对Co离子注入修饰电极的表面元素组成及深度分布等进行测定,表明Co离子确被注入到玻碳表面。扫速对催化效率的影响实验证明体系存在催化作用。     

马兜铃酸在钴离子注入修饰碳纤维电极上的电化学行为及其应用

马兜铃酸在 0 0 8mol LNa2 HPO4 KH2 PO4 溶液 (pH 6 82 )中 ,于钴离子注入修饰碳纤维电极 (Co CFUE)上 ,产生一个具有电催化性质的还原波。还原波峰电位为 - 0 80V(vs.SCE)。在此电极上 ,马兜铃酸的电化学反应过程是准可逆的。用扫描电子显微镜 (SEM)和俄歇电子能谱 (AES)两种表面技术对钴离子注入碳纤维和普通碳纤维表面进行表征 ,证明由于Co离子的注入 ,改变了碳纤维基体的性质 ,催化了马兜铃酸的还原。该波的一阶导数峰电流与马兜铃酸的浓度在 1 6× 1 0 -7～ 1 4× 1 0 -4 mol L范围内呈线性关系 ,检出限为 7 6× 1 0 -8mol L。用于马兜铃生药的测定 ,回收率在 97 5 %～ 1 0 3 3%之间。     

肼及其衍生物在固体电极上的直接电化学行为研究

肼及其衍生物被广泛应用于医药,化工,军事,航天等领域,并被用作推进剂,水处理剂,农药,医药,燃料电池,光稳定剂以及化工生产助剂等诸多方面。因此对肼及其衍生物的研究和开发有着极其重要的理论意义和应用价值。本文研究了肼(Hydrzdine,DH),苯肼(Phenylhydrazine,PH),对硝基苯肼(p-Nitrophenykhzille,PNPH)和2,4-二硝基苯肼(2,4-DinitrophenyIhydrazine,DPH)在固体玻碳电极和铂电极上的不可逆电化学氧化行为,     

Electrochemical Behavior of Adriamycin at Ni/GC Ion Implantation Modified Electrode

Ionimplantationisakindofnewmaterialsurfacemodificationtechnique.ltsapplicationoffersthefollowingn1arkedadvantagest(l)ItcanimpIantdifferentionsintodifferentmaterialsurfacesaccordingtodifferentdesiresandrequirementstomakemodifiedelectrodeswithcatalyticactivity;(2)TheimpIantedsurfacecausesdefectandpartialdislocationtoformmanyactivecenters,itscatalyticactivityismuchhigherthanthatoftherawmaterial;(3)TheionimplantationmodifiedelectrodehasgoodstabilityandreproducibiIity.Adriamycin(ADM)isthemostpro…     

桑色素在L-半胱氨酸自组装膜修饰金电极上的电化学行为研究

在0.1mol/L(pH=4.7)的HAc NaAc缓冲溶液中,用L 半胱氨酸自组装膜修饰金电极对桑色素的电化学行为进行了初步的研究,考察了修饰时间、富集时间、富集电位、扫描速度、表面活性剂、金属离子等因素对其电化学行为的影响。研究发现,桑色素在0.44V(vs.SCE)左右产生一不可逆的氧化峰。该氧化峰电流与桑色素浓度在5×10-6～2×10-4mol/L范围内呈线性关系(相关系数r=0.9989),检出限为2×10-6mol/L,这比用裸金电极测试降低一个数量级。同时发现,十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)对氧化峰电流有一定的增敏作用。该峰且随Pb2+浓度增大而线性增高,因此可用于Pb2+的测定。     

延胡索酸泰妙菌素在碳糊电极上的电化学性质及电分析方法

运用循环伏安法(CV)、计时电流法(CA)和计时电量法(CC)研究了延胡索酸泰妙菌素(Tiamulin fumarate,TF)在碳糊电极(Carbon Paste Electrode,CPE)上的电化学及其电化学动力学性质。结果表明,TF在CPE上的电化学过程是一不可逆的氧化过程,氧化峰电位Ep为0.772 V。在扫描速度10～1 000 mV.s-1范围内,其氧化峰电流Ip与扫描速度v呈良好的线性关系,表明TF在CPE上的伏安行为是一受吸附控制的过程。方波伏安(SWV)法结果表明TF氧化峰电流与其浓度在5.0×10-7～1.0×10-5mol.L-1及1.0×10-5～1.0×10-4mol.L-1范围内均呈良好的线性关系,相关系数r分别为0.9980及0.9966,检出限(S/N=3)为5.8×10-8mol.L-1,相对标准偏差(RSD)为0.8%～2.8%,加样回收率为97.6%～102.0%。据此建立了TF含量的电化学测定方法。该方法简便快捷,测定结果令人满意。     

卡可西灵在汞电极上的电化学行为和吸附特性

在ＨＡｃ－ＮａＡｃ底液中，卡可西灵在汞电极上有两个还原峰，第一峰峰电位Ｅｐｃ１＝０．０４Ｖ（ｖｓ．Ａｇ／ＡｇＣｌ），为２电子转移的可逆过程；第二峰峰电位Ｅｐｃ２＝－０．３９Ｖ，为４电子转移的不可逆过程，第二峰具有明显的吸附性。本文探讨了该吸附特性，认为吸附型体为中性分子，属于不可逆吸附体系。测得其电极反应动力学参数αｎα和卡可西灵在汞电极上的饱和吸附量，估计了每个卡可西灵分子所占的面积，建立了测定     

质子惰性介质中硝基苯在铂微盘电极上的电化学行为

采用循环伏安法, 以铂微盘电极为工作电极, 铂片为辅助电极, 饱和甘汞电极为参比电极, 研究了硝基苯在含有四丁基高氯酸铵(TBAP)电解质的N,N-二甲基甲酰胺(DMF)有机溶液中的电化学行为, 并探讨了扫描速度和底物浓度等因素对硝基苯电化学特性的影响. 结果表明,该反应属扩散控制的准可逆反应.     

ITO在NaOH溶液中阳极与阴极极化过程的电化学行为

通过循环伏安法等方法研究了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜的电化学行为. 获得了ITO薄膜在NaOH溶液中阴极和阳极极化处理前后的循环伏安曲线. 采用透射光谱, 方块电阻测试, 扫描电子显微镜(SEM), 能量色散X射线荧光光谱(EDS)与X射线衍射(XRD)表征ITO薄膜经电化学处理后的反应产物. 结果表明, ITO薄膜在阳极处理后(约为+1.5 V(vs SCE))保持了稳定的成分和结构. 但经阴极处理后(约为-1.5 V(vs SCE))发生了严重的电化学腐蚀, 可见光透射率大幅下降, 方块电阻增加一个数量级. 经SEM、EDS和XRD表征分析, 证明阴极处理过程使ITO薄膜中的In3+还原成了In单质.     

单核和双核钌配合物在铟锡氧化物电极上的电化学行为及对双酚A的催化氧化

本文应用循环伏安法和微分脉冲伏安法研究了两种新型单、双核多吡啶钌(Ⅱ)配合物在铟锡氧化物(ITO)电极上的电化学行为及对双酚A(BPA)的催化氧化。研究结果表明,单、双核配合物在ITO电极上均出现两个归属为中心离子和亚胺基的氧化波,双核配合物的峰电流约为单核的2倍,表现为通过桥联配体在两中心离子间的电子转移速度较其与电极间的大。同时,两种配合物对BPA的氧化呈现相近的催化氧化活性。此外,讨论了pH值对单、双核钌配合物电化学行为的影响,比较分析了它们对BPA的催化氧化过程。