一种高稳频型射频振荡器的设计

基于反馈式正弦波振荡器原理,设计出一款适合于UHF波段的高稳频型射频振荡器,本设计使用了高Q值选频技术,利用回路的谐振特性设计出多级的选频结构。振荡器输出频率范围：400 MHz~720 MHz,输出带宽大于300 MHz,属宽带射频振荡器。测试结果表明,在可用频段范围内,振荡器输出增益波动低于1 dB,输入驻波比VSWR<1.5 dB,输出驻波比VSWR<1.7 dB;中心频率f0=510 MHz时：频偏Δf=1 kHz处,相位噪声PN=-77.9 dBc/Hz;频偏Δf=10 kHz处,相位噪声PN=-95.8 dBc/Hz;频偏Δf=100 kHz处,相位噪声PN=-140.3 dBc/Hz;当频偏继续增加时,相位噪声呈指数下降。本设计可满足电视系统、无线对讲机系统、无线遥控系统等多种主流射频领域的应用要求。     

一种改进的CMOS差分LC压控振荡器

本文介绍了一种改进LC振荡器设计方法，谐振回路采用非对称电容结构，与常见的振荡器结构相比，经改进的电路结构可以获得更好的相位噪声。本文基于CMOS工艺，设计了一种采用补偿Colpitts振荡器电路结构实现的差分LC压控振荡器，工作电压为2.5v。经仿真证明，通过调整非对称电容谐振回路中的电容值，可以获得最优的相位噪声     

一种新型的纯相位锁定振荡器

文献[2]和[5]首先注意到相位锁定的概念,并由Dewan第一次作了分析,但没有提出任何电路或给出任何提示来发展这种模式。本文介绍了两种纯相位锁定的振荡器及其实验结果,因为该锁定具有许多奇异的特性,所以有广泛的应用。     

一种实用的光电振荡器相位噪声测量系统

提出一种实用的光电振荡器的相位噪声测量系统和新的系统参数校准方法。该测量系统和校准方法所需器件少,成本低,可测量各种结构的光电振荡器。实验结果与理论分析取得良好的一致性。     

一种带有尾电流源反馈的FBAR振荡器

为改善振荡器相位噪声性能,设计了一种带有尾电流源反馈的薄膜体声波谐振器（FBAR）振荡器。研究表明,尾电流源晶体管闪烁噪声和谐振回路是振荡器相位噪声的主要来源。为了降低尾电流源晶体管闪烁噪声对振荡器相位噪声的影响,采用两组对称分离且工作在亚阈值区域的P型金属氧化物半导体（PMOS）偏置电流源进行尾电流反馈。与传统单个尾电流源相比,该技术具有更好的相位噪声性能。同时,基于对Hajimiri噪声模型的分析,利用尾电流源反馈技术,控制振荡器在振幅达到峰值及零穿越点时的电流大小,以进一步改善相位噪声性能。高Q值谐振器可以显著提高振荡器的整体相位噪声性能,因此,设计采用高Q值微机电系统（MEMS）器件FBAR作为谐振腔,并通过TSMC 180 nm RF CMOS工艺完成电路设计。结果表明：该振荡器输出频率为1.93GHz,整体电路功耗为580μW,在1 kHz偏频处相位噪声为-89.7 dBc/Hz,计算得到灵敏值（Factor Of Merit, FOM）为217 dB。     

一种频率稳定的改进型CMOS环形振荡器

在传统的环形振荡器基础上,提出了一种改进的ＣＭＯＳ环形振荡器。它克服了传统ＣＭＯＳ环形振荡器振荡频率随电源电压变化而严重不稳的缺点。通过仿真得到了电源电压与振荡频率的对应关系,取得了满意的结果。     

一种菱形结构二维耦合振荡器阵列的设计与同步实验

研究了菱形结构二维耦合振荡器阵列的相位动力学方程,对4×4阵列稳定过程进行了仿真研究,设计并制作了4×4单元耦合振荡器阵列及阵列相位差测量系统,实现了16单元耦合振荡器阵列的全局同步。     

一种线性RC压控振荡器的设计

基于LLC串联谐振芯片的应用,提出了一种线性RC压控振荡器.在传统RC振荡器的电容上叠加一个压控电流源,实现了频率受电压线性控制.仿真结果表明,该电路在典型参数下振荡器频率范围为140～280 kHz,在-40℃～125℃温度范围内可保持正常工作,且可通过外部电阻电容进行设置.该振荡器已被应用于脉冲频率调制模式下工作的LLC串联谐振芯片.     

一种基于BiCMOS工艺的差分压控振荡器

设计了一种Colpitts型LC振荡器。该电路采用差分结构，具有集成度高，噪声性能良好的优点。该设计基于0．8μm BiCMOS工艺，实现了中心频率为433MHz的Colpitts型差分压控振荡器（VCO）。电路采用3V电压供电，频率范围399．8～465．1MHz，偏离中心频率1MHz处的相位噪声是-137dBc／Hz。     

一种低噪声C类LC压控振荡器的设计

为了改善压控振荡器相位噪声,基于40 nm CMOS工艺,设计一种低噪声C类LC压控振荡器。交叉耦合NMOS对管通过电流镜偏置作为电路的电流源,并采用共模反馈偏置电路使交叉耦合PMOS对管工作在饱和区,保证LC压控振荡器实现C类振荡。通过差分可变电容的设计,压控振荡器的增益减小,压控振荡器的相位噪声得到改善。设计了4组开关电容进行调节,增大压控振荡器的调谐范围。仿真结果表明,处于1.2 V的电压下,压控振荡器振荡频率范围在4.14～5.7 GHz,频率调谐范围变化率达到31.2%,相位噪声为-112.8 dBc/Hz。     

LC振荡器教学难点解析

LC振荡器是＂非线性电子线路＂课程的重要内容。在教学中,如何判断振荡器能否起振是一个重点内容,也是难点之一。我们针对教学过程中学生面对变化多端的电路形式,出现的困惑,提出相应的解决方案,在讲法中注重总结和提炼,分层次展开。实践表明,这样讲解符合初学者的认知规律,更利于学生掌握这一知识点。     

微波超低相噪光电振荡器的实验研究

微波光子学将对未来雷达技术发展产生重要影响。微波光电振荡器是一种新颖的、有发展前途的高质量微波信号源,将是振荡器领域的革命性突破。分析了微波光电振荡器工作原理,结果表明,环路中各部件的低噪声、环路高增益和环路等效长时延是实现光电振荡器低相位噪声的有效技术路径。给出了一种双回路X波段低相位噪声光电振荡器的实验研究结果,与高性能电子频率合成器和国际先进光电振荡器进行了对比。对比结果表明,光电振荡器噪声基底较传统高性能电子频综器有极大的性能优势,而近载频相位噪声较传统高性能电子频综器的性能有待进一步提高,主要原因是光电器件的温度特性漂移较大。最后对未来的技术发展路径进行了讨论与展望。     

介质谐振器反馈式振荡器（DRFO）的实用机辅设计方法

介绍了一种介质谐振器反馈式振荡器的实用机辅设计方法,并根据此方法设计出了X波段振荡器,经测试,设计满足要求,工作稳定可靠.     

晶体振荡器双层隔振系统的设计与实验

分析了振动环境对晶体振荡器的影响,并以此为依据设计了一种针对晶体振荡器的双层被动隔振系统。仿真结果表明该隔振系统具有较低的位移传递率。实验结果表明,在频率为20～2 000 Hz、功率谱密度为0.05 g2/Hz的随机振动下,加速度灵敏度约为2×10-9/g、中心频率为12.8 MHz的AT-切晶体振荡器,通过应用此双层被动隔振系统,晶体振荡器的动态相位噪声可由-102 dBc/Hz@1 kHz降低到-120 dBc/Hz@1 kHz。     

抗振晶体振荡器相位噪声测试方法的对比研究

目前电子系统都要求对晶体振荡器进行振动状态下相位噪声测试。但对于抗振晶体振荡器,按照常规相位噪声测试方法进行测试时其结果有可能不正常。文中分析了抗振晶体振荡器振动状态下的相位噪声及测试方法,通过对比测试发现,不同的测试系统其测试结果也不相同。通过系统设置和实验验证,解决了测试结果不正常的问题,使测试结果达成一致。     

基于DUBAT的新型压控振荡器研究

本文首次研制了一种基于双基区晶体管(DUBAT)的无电感新型压控振荡器(VCO).文中详细分析了其工作原理,并给出了它的等效电路,模拟结果与实验结果是一致的.由于DUBAT结构简单,工艺与双极集成电路工艺完全相容,从而为压控振荡器结合其它功能电路的大规模集成提供了一种新的实现方式.     

低相位噪声微波振荡器设计

针对Ka和Ku波段上、下变频装置对微波振荡器低相位噪声和小型化的要求,该文采用单环锁相式频率合成技术完成了微波振荡器的设计,并对锁相环的相位噪声进行了理论计算。分析了鉴相频率、鉴相器灵敏度和环路带宽对锁相环输出相位噪声的影响,根据分析结果对微波振荡器电路参数合理选择,同时兼顾了低相位噪声与小型化的设计要求。测试结果表明,振荡器的相位噪声指标与理论计算一致,各项指标均达到要求,可满足实际工程应用。     

Novel Phase Noise Reduction Method for CPW‐Based Microwave Oscillator Circuit Utilizing a Compact Planar Helical Resonator

This letter describes a compact printed helical resonator and its application to a microwave oscillator circuit implemented in coplanar waveguide (CPW) technology. The high quality (Q)‐factor and spurious‐free characteristic of the resonator contribute to the phase noise reduction and the harmonic suppression of the resulting oscillator circuit, respectively. The designed resonator showed a loaded Q‐factor of 180 in a chip area of only 40% of the corresponding miniaturized hairpin resonator without any spurious resonances. The fully planar oscillator incorporated with this resonator showed an additional phase noise reduction of 10.5 dB at a 1 MHz offset and a second harmonic suppression enhancement of 6 dB when compared to those of a conventional CPW oscillator without the planar helical resonator structure.     

用于晶体振荡器温度补偿的次方电压产生方法

为了获得更高精度的时钟源,需要对晶体振荡器进行温度补偿以便减小频率随温度的变化。对比晶体振荡器不同的温度补偿方式,模拟温度补偿具有较高的性能,而模拟温度补偿电路的主要模块就是获取与温度成次方关系的补偿电压。文中采用了一种模拟乘法器的方法来获得与温度成不同指数关系的电压,在全差分放大器的输入端接入4个MOS管,利用其工作于线性区时的电流电压关系并结合全差分放大器来实现两个模拟量之间的相乘,进而获得与温度成1次方、2次方、3次方、4次方和5次方关系的补偿电压。获得的这些电压通过加和电路叠加后即可用于晶体振荡器的高阶温度补偿。通过仿真,得到全差分放大器的差模增益为78.6 dB,乘法器可以实现两个信号的相乘,且应用该方法进行补偿的晶体振荡器的频率偏移为±2 ppm。