晶体振荡器的压控特性

简要介绍了晶体振荡器的压控特性,给出了一些参数值及曲线,并进行了讨论,这将对实际工作具有一定的指导意义。     

16.384 MHz压控恒温晶体振荡器设计

设计了16．384MHz小型压控恒温晶体振荡器，通过修正变容二极管的非线性，改善了压控线性度，满足了用户要求。通过对恒温电路的零点漂移补偿，提高了温度稳定度，并通过对恒温槽结构的改进，提高了振荡器的温度特性和频率稳定度。     

压控晶体振荡器选用中的几个问题

本介绍了压控晶体振荡器电参数的特点以及选用时注意的问题。     

移动通信用压控晶体振荡器

随着移动通信技术发展,有线和无线通信设备已成为企业活动和个人生活中不可缺少的工具。移动通信的重要性与日俱增,于是,对移动通信机器里应用的频率可控器件也提出新要求:高频化、小型化,乃至低高度化。本文重点介绍压控振荡器及其相关器件商品化情况和技术新动向。     

高性能的140MHz压控晶体振荡器

对140MHz压控晶体振荡器电路进行了理论分析,并就调试中出现的一些现象进行了详释,给出了试验数据及测试曲线.     

5MHz精密压控晶振的研制

本文在介绍压控晶振主要技术指标的基础上阐述了５ＭＨｚ精密压控晶振的组成及晶振电路、恒温控制电路的工作原理，介绍了提高其性能的措施，最后给出了实测结果。     

压控晶体振荡器选用中的几个问题

本文介绍了压控晶体振荡器电参数的特点以及选用时注意的问题.     

S波段低相噪同轴介质压控振荡器设计

运用串联反馈振荡器理论设计了一个工作于S波段的低相噪同轴介质压控振荡器。首先分析了同轴介质谐振器的理论以及串联反馈振荡器的工作原理,然后在高频电磁仿真软件HFSS和ADS中进行仿真和设计。为了实现电调谐,将变容管合理地加入振荡器,最终设计完成了一个S波段的低相噪同轴介质压控振荡器。通过对实物成品的测量和调试表明,此压控振荡器达到了预定的技术指标,各项性能良好。测试结果:工作频率为2.075~2.250 GHz,调谐范围为1.75 GHz,输出功率≥11 dBm,谐波抑制度≥23 dBc,相位噪声优于-133 dBc/Hz@100kHz。     

一种K波段GaAs MESFET压控振荡器的设计

利用微波晶体管的负阻特性,基于Agilent ADS软件,设计出一种K波段微带结构、变容管调谐的MESFET压控振荡器(VCO)。对VCO进行实测．结果表明,VCO的中心频率为20.56GHz,调频带宽大于100MHz,带内输出功率大于2mW,相位噪声大于-90dBc／Hz@100kHz,满足实际应用。     

一种小型压控恒温晶体振荡器的设计

简要介绍了一种小型的恒温晶体振荡器,通过对振荡参数的反复试验、修改,提高了振荡器的频率稳定度。提出一种新的设计理念,利用晶体谐振器与电感随温度变化对晶体振荡器频率所产生的不同影响,合理安排晶体振荡器内部的热场,调整晶体谐振器、热敏电阻及振荡参数的热平衡关系,在去掉恒温槽的情况下提高了温度频率特性,且大大缩小了晶体振荡器的体积。     

工作于UHF频段锁相环路中CMOS压控振荡器的设计

本文简要叙述了工作于UHF频段锁相环路中CMOS压控振荡器的构造机制和主要性能指标，阐述了一种基于相位噪声最优的设计策略。     

二阶压控电压源低通滤波器设计

本文详细介绍二阶压控电压源低通滤波器的设计方法,给出了其通用表达式。设计方法是根据所需转折频率,在1:2至1:10较宽的范围内灵活取两电容值,再计算出与灵活选取的电容准确匹配的电阻阻值。相对于查表法、图示法取值更具灵活性和实用性,由于不需要精确匹配成本较高的电容,此方法还具有成本较低的优势。用Multisim-10仿真软件对所设计的二阶压控电压源低通滤波器进行模拟仿真,结果表明与理论计算符合得很好。     

一种基于多协议电流复用双频段压控振荡器的设计

.本文设计了一种基于IEEE 802.11 a/b/g和蓝牙多协议零中频收发机中双频段压控振荡器.该振荡器使用电流复用的方法,即将两个工作在不同频段的压控振荡器串联堆叠,达到了降低功耗的目的.通过Aglient ADS仿真,结果表明本文所设计的双频段压控振荡器功耗为12.22 mW,2.44和5.23 GHz载频处的相位噪声分别为-126.2和-120.1dBc/Hz@1 MHz,其性能完全符合IEEE 802.11a/b/g和蓝牙协议的要求.该振荡器将采用0.18 μm CMOS工艺实现,芯片面积为1.18 mm×0.67 mm.     

高频声表面波压控（调频）振荡器的研制

本文讨论了声表面波压控(调频)振荡器的原理及设计方法,并实际制作了振荡器,中心频率为657MHz,频偏约为1.5×10~(-3),平均压控灵敏度为98kHz/V,线性度±2%,温度稳定度为±3.7×10~(-5)(-20—+60℃)。     

负阻提升的微波混沌振荡器的设计

将负阻提升技术引入到混沌振荡器的设计中,通过理论推导、数值计算和测试验证来优化电路结构,提供参数选取规则,从理论和实验两方面验证,在双电感的比值达到最优值时振荡器负阻能够得到大幅提升。并基于负阻提升技术提出了双电感结构的微波Colpitts 混沌振荡器。新结构电路的最高混沌振荡基频为1.78 GHz,较经典电路提升了39%;带宽达到4.60GHz(0.80～5.40 GHz),较经典电路提升了119%。测试结果表明,优化的双电感结构能有效提升混沌振荡基频和带宽。     

双调制锁相频率合成器的设计与实现

通过调制VCO实现FSK调制的锁相频率合成系统,由于环路误差传递函数的高通特性会使低频调制频偏(或相偏)降低甚至消失,针对这个缺点,提出了双调制的方法,即同时对基准源和环路的VCO进行调制。在一定条件下,双调制后的频偏不受环路的影响且又能保证调制载频的高稳定度,通过计算给出了满足这种条件的关系式和实际电路的表现特征及实现方法。实验证明该方法效果显著,可实现低频至直流任意信号的调制。     

石英晶体振荡器的集成化设计

在分析典型的分立式共射共基晶体振荡器原理的基础上,通过建立电路模型,设计一种集成化的石英晶体振荡器.采用电压源电路作为缓冲放大器的基极偏置,去掉容值较大的旁路电容,振荡电路与缓冲放大器电路共用偏置分压电阻,缩短电路起振时间,减小电路版图面积.基于特征尺寸为0.35μm的chrt.35dg_sige工艺库,利用Cadence中的spectre仿真工具对电路进行仿真.结果显示:当电源电压为2.7V时,振荡频率为12.8MHz,起振时间约为1.3ms,输出波形的峰峰值约为0.8V,单边带相位噪声1kHz处为-142dBc/Hz,10kHz处为-150dBc/Hz,整个电路的直流功耗小于2.7mW.