Cu-Al-Be合金逆马氏体相变过程中内耗的等温变化研究

本文研究了Cu-Al-Be合金等温逆马氏体相变过程中内耗的变化规律.研究发现,在相变温区,样品内耗值随等温时间的延长而有规律地下降.我们认为,这一现象是由于晶体内部缺陷运动引起的.在等温过程中,点缺陷向界面偏聚,逐渐限制界面移动,引起内耗的下降.     

MnCu合金热弹性马氏体相变过程中的非线性内耗行为

在强迫振动模式下，系统地测量了Ｍｎ-８ｗｔ％Ｃｕ合金热弹性马氏体相变过程中的内耗对变温速率和振动频率的依赖关系．通过单独拟合相变内耗对振动频率和变温速率的依赖关系，提出了一种新的实验关系，并结合实验结果，讨论了非线性相变内耗的机制． 关键词：     

Cu-13.9Al-4Ni合金的热弹性马氏体相变内耗峰

采用不完全相变内耗测量法研究了Cu-13.9Al-4Ni合金在热弹性马氏体相变时其相变内耗峰与外界变量的依赖关系.当测量频率较低时,完全相变法所测量的单一内耗峰被成功分解成双峰,即高温内耗峰和低温内耗峰.低温内耗峰位置对应于相对动力学模量的最小值,高温内耗峰则对应于相对动力学模量的拐点位置,且呈现出明显的反常振幅效应.     

利用内耗研究淬火空位对Cu-11.9Al-2.5Mn(wt%)形状记忆合金逆马氏体相变温度的影响

利用内耗手段研究了淬火空位的演变行为及其对Cu-11.9Al-2.5Mn(wt%)形状记忆合金逆马氏体相变温度的影响.通过对不同冷却方式的样品研究表明,较高的冷却速度可以导致较高的逆马氏体相变峰峰温.而对于水淬样品,相变峰峰温随淬火温度呈非单调变化行为,这可能与有序相及无序相中不同的空位形成能有关.经历热循环以后,逆马氏体相变峰峰温显著降低. 关键词： 形状记忆合金 热处理 马氏体相变 阻尼     

郝斯勒合金Ni-Mn-Ga中间马氏体相变研究

在马氏体相变温度(M_s)接近室温的Ni₅₂Mn₂₄Ga₂₄单晶中观察到了单纯由温度诱发的完整的热弹性中间马氏体相变.发现由于机械研磨过程中引入的内应力所导致的晶格畸变可以抑制中间马氏体相变.另外,通过对同样组分的退火和未退火的多晶样品的研究,发现中间马氏体相变与晶体的内部应力密切相关 关键词： 中间马氏体相变 2MnGa')" href="#">Ni₂MnGa     

Ni-Fe-Ga磁致形状记忆合金中间马氏体相变

采用差示扫描量热和x射线衍射技术研究Ni-Fe-Ga磁致形状记忆合金的马氏体相变行为.结 果发现,在多晶Ni565_56.5Fe190_19.0Ga245_{2 4.5}和Ni563_56.3Fe170_17.0 Ga267_26.7合金中除马氏体相变外,还观察到一次完整的、正相变和逆相 变对应出现、单 纯由温度诱发的中间马氏体相变.该中间马氏体相变与马氏体相变均为热弹性相变. 关键词： Ni-Fe-Ga 中间马氏体相变 磁致形状记忆合金     

NiTi形状记忆合金的价电子结构分析与马氏体相变

应用固体与分子经验电子理论，对ＮｉＴｉ合金的母相和马氏体相进行了价电子结构分析，计算了合金在两种状态下的结合能。计算结果与实验相符很好；在此基础上对ＮｉＴｉ合金的马氏体相变前后的宏观杨氏模量的变化从电子结构角度进行了解释。     

锰基合金的反铁磁转变与fct马氏体相变内耗

孪晶型阻尼材料已被实际应用，（011）孪晶通过fcc-fct马氏体相变形成，而YMn基合金中，马氏体相变又与合金的反铁磁转变密切相关。因此研究YMn基孪晶型阻尼材料，无疑必须探讨反铁磁转变与一级马氏体相变的之间关系，反铁磁转变和马氏体转变对孪晶形成的作用。本文通对富锰的YMn基合金（MnCu，Mn-Fe，Mn-Ni）的内耗和模量的测量，研究这二类相变在不同材料，不同成分合金中的耦合的机制，以及反铁磁转变和马氏体相变对孪晶形成的作用。结果显示，马氏体相变和反铁磁转变耦合或马氏体相变与孪晶阻尼峰耦合都可以获得材料的高阻尼性能。当锰含量较高时，反铁磁转变和马氏体相变发生耦合，或马氏体相变内耗与孪晶内耗叠加，在室温附近形成高内耗阻尼;当锰含量较低时，马氏体相变温度降到室温以下，反铁磁转变形成的微孪晶亦能产生内耗阻尼峰。     

锰基合金的反铁磁转变与fct马氏体相变内耗

孪晶型阻尼材料已被实际应用,(011)孪晶通过fcc-fct马氏体相变形成,而γMn基合金中,马氏体相变又与合金的反铁磁转变密切相关.因此研究γMn基孪晶型阻尼材料,无疑必须探讨反铁磁转变与一级马氏体相变的之间关系,反铁磁转变和马氏体转变对孪晶形成的作用.本文通对富锰的γMn基合金(Mn-Cu,Mn-Fe,Mn-Ni)的内耗和模量的测量,研究这二类相变在不同材料,不同成分合金中的耦合的机制,以及反铁磁转变和马氏体相变对孪晶形成的作用.结果显示,马氏体相变和反铁磁转变耦合或马氏体相变与孪晶阻尼峰耦合都可以获得材料的高阻尼性能.当锰含量较高时,反铁磁转变和马氏体相变发生耦合,或马氏体相变内耗与孪晶内耗叠加,在室温附近形成高内耗阻尼;当锰含量较低时,马氏体相变温度降到室温以下,反铁磁转变形成的微孪晶亦能产生内耗阻尼峰.     

NiTi合金中马氏体相的低频力学谱研究

我们用最近研制成功的LMA型低频力学谱测试系统对NiTi合金马氏体相进行了在很大频率范围内（0．003～1Hz）的低频等温力学谱和温度谱的测量．我们研究的形状记忆合金NiTi（Ni50．2at％）试样长34mm，直径1mm细丝．经一定热处理，分别在333K．343K和353K做了内耗随频率的变化的测量。实验表明：频率越小，内耗越大，也就是内耗随频率减少而增大。同时我们采用阶梯升温的方法在八个温度下每个温度测量三种频率（1Hz，0．1Hz，0．01Hz）的内耗，结果清楚地表明：不同频率下，内耗峰都出现在372K（99℃）。而且频率越低，峰高越高。这是具有相变峰的特点：相变峰的峰温不随测量频率不同而变化，相变峰高度随频率减少而增大。我们还测量了在1Hz与0．5Hz频率下内耗随温度的变化。本文用马氏体相的位错理论初步讨论了上述实验结果。     

哈斯勒合金Ni-Mn-Ga的马氏体相变和磁增强双向形状记忆效应

通过研究铁磁性金属间化合物Ni_2+xMn_1-xGa(x=-0.1,0,0.08,0.13,0.18,0.2)和Ni_2-xMn_1+x/2Ga_1+x/2(x=-0.1,0,0.04,0.06,0.1)两个系列多晶样品的交流磁化率随温度的变化行为,得到了化合物在不同组分下的马氏体相变温度TM和居里温度T_C.发现随着Ni成分的增加,前者的马氏体相变温度T_m增加,而居里温度T_C降低,后者的马氏体相变温度T_m和居里温度T_C均是先增大后减小.报道了T_m在室温附近的单晶样品Ni₅₂Mn₂₄Ga₂₄的磁场增强双向形状记忆效应.发现伴随着马氏体相变,样品在[001]方向可产生1.2%的收缩.如果在该方向施加1.2T的偏磁场可以使该应变值增大到4.0%.而垂直于[001]方向施加1.2T的偏磁场时,在[001]方向产生1.6%的膨胀.阐明了产生大应变的原因并非相界移动,而是单晶的杂散内应力小和外加磁场通过孪晶界移动使马氏体变体重组的共同结果. 关键词： 形状记忆效应 马氏体相变 2MnGa')" href="#">Ni₂MnGa     

内耗测量在钙钛矿结构Mn基氧化物研究中的应用

运用内耗测量技术系统地研究了空穴型和电子型掺杂锰氧化物的相分离行为。对于La0．67，Ca0．33MnO3样品，在铁磁金属区，内耗温度曲线Q^-1（T）上观察到与电子相分离有关的内耗峰。此外，我们在顺磁区观察到与磁团簇形成有关的内耗峰。磁测量的结果也证明了在顺磁区Griffiths相的存在。采用内耗、电阻和杨氏模量原位测量的方法研究了La5／8-yPryCa3／8MnO3（y=0．35）中电流对电荷有序相的影响。较大的电流破坏了电荷有序态，导致电阻率降低，同时杨氏模量也有相应的变化。通过分析表明，在La5／8-yPryCa3／8MnO3（y=0．35）中存在相分离行为，即电荷有序相和铁磁金属相共存。对于电子型掺杂的Sr0．8Ce0．2MnO3和Bi0.4Ca0．5MnO3样品，通过内耗实验同样给出了相分离的证据。在外加磁场下的内耗实验表明，Sr0．8Ce0．2MnO3顺磁区的内耗峰起源于非关联的磁团簇的形成。对于电荷有序体系Bi0.4Ca0．5MnO3由于电荷有序和电荷无序畴壁运动而导致的内耗峰被观测到。研究表明，对于空穴型和电子型掺杂锰氧化物，实验中观察到的相分离行为可能是由于MnO3八面体的Jahn-Teller畸变所导致。实验结果显示了内耗测量技术对研究强关联电子体系Mn基氧化物相分离行为是十分有效的工具。     

弛豫铁电体材料的内耗研究

内耗测量被证明是研究弛豫铁电体中相变的有效方法之一。我们研究了弛豫铁电陶瓷（1-x％）Pb（Mg1/3Nb2／3）O3-x％PbTiO3（PMNTx），（0〈x〈33）在低频（0．1Hz至10Hz）和音频（1kHz）的内耗。实验表明在铁电微畴的冻结温度出现了一个相变内耗峰和模量的软化，并且随作PbTiO3含量的增加相变逐渐增强，该相变与微畴冻结之间的关系还需作进一步的研究。同时我们还测量到了铁电纳米微畴的反转引起的力学响应，这与其介电响应结果是一致的。     

Pb-Sn合金固—液转变过程的内耗行为

在连续升温过程中,测量了Pb-Sn合金的内耗.实验发现：在共晶成分范围内,伴随着Pb-Sn 合金的固—液转变,内耗值出现突然下降.内耗值的下降幅度与Pb-Sn合金成分有关.固—液 转变过程中的内耗是由材料结构变化或弛豫时间变化引起的. 关键词： 内耗 固—液转变 Pb-Sn合金     

La0.95K0.05MnO3的低频内耗研究

本文研究了样品La0.95K0.05MnO3的内耗、直流电阻、交流磁化率.发现在20～275K的温度范围内,在0.3T的磁场下有明显的磁阻(MR)效应,温度为259K时MR效应达到极大值26%.在直流电阻测量中发现267K时出现很尖锐的电阻峰;在220K附近出现"肩峰".内耗温度曲线在210K～250K的温度范围有一个很宽的内耗峰;在268K有一个很明显的内耗蜂同时伴随着模量软化,并且由Kissinger关系求出顺磁-铁磁转变的表观激活能Eap=0.53eV(请说明通过什么公式求出什么东西的活化能).     

内耗研究的历史评述

通过介绍几位在内耗领域的先驱研究者：C．Zener，葛庭燧，P．G．Bordoni，J．L．Snoek，评述了内耗研究的进展．也介绍了日本研究者的相关工作。     

晶界内耗研究的新进展

由不同取向差的纯Al双晶的内耗实验观察到，不同类型晶界的弛豫参量有明屁差别。用耦合模型对内耗数据的分析表明，小角度晶界内耗的基本机制是位错攀移，而大角度晶界内耗的基本机制是晶界扩散。在此基础上，对多晶中晶界内耗的一些特征也作了解释。     

Ce, Y-TZP陶瓷的内耗峰和介电损耗峰机制

测量了淬火前后8Ce，0．5Y-TZP陶瓷（稳定剂Y2O3的摩尔分数为0．50％）在室温到250℃温度范围内的内耗行为，并对出现的内耗峰机理进行了研究，发现淬火前后的样品在100℃左右均出现的内耗峰与YZr，VOE偶极子的再取向有关，而淬火后样品出现的高温内耗峰起源于马氏体相变。此外，本文还研究了8Ce，0．5Y-TZP和8Ce，0．75Y-TZP陶瓷在室温到400℃温度范围内的介电损耗，计算了介电驰豫的激活能，结果表明与内耗试验中机械驰豫的激活能一致。     

冶金内耗相关的阻尼峰机理

介绍了作者等近年来，对铁基材料内耗谱和内耗机制，进行的针对性研究和取得的进展；讨论和评述了变形增强Snoek效应、Snoek-Kē-Koester（SKK）阻尼、B变形峰和K色峰等内耗现象机制。还讨论了一些相关的基本问题和有争议的问题。     

合金化成分对NiTi合金M_s点影响的正电子湮没研究

用双探头符合系统测量了金属Fe、Co、Ni、Al、Nb、Cu、Ti和NiTi合金的多普勒展宽谱,计算了其S参数和W参数,分析了合金中d-d金属键的作用.结果表明,当用Fe、Co或Al原子加入NiTi合金时,都将使合金中参与形成d-d金属键的d电子减少,从而使金属键减弱;而用Cu或Nb原子加入NiTi合金时,对合金中d-d电子作用的影响很小,合金中共价键的成分变化不大.在NiTi合金中加入合金化元素可以改变其电子结构,进而影响Ms点.