用射频溅射方法制备的多晶ZnO薄膜的光响应与其结构变化

用射频溅射方法在较高氧压下沉积的多晶的ZnO薄膜,其光响应主要由两部分组成:第一部分来源于膜内晶粒界面所吸附氧原子的光脱附,该部分光响应可使膜的电导率增加两个数量级且响应速度较快;第二部分来源于薄膜表面所吸附氧原子的光脱附,此光响应可使膜的电导率增加4一5个数量级,但响应速度非常缓慢.两部分光响应都来自薄膜的结构变化,膜的结构变化与膜所处环境中气体的种类,压强以及膜的温度有关. 关键词：     

射频溅射沉积硅薄膜实验

本文描述采用射频溅射法在GH39不锈钢基体上沉积硅薄膜的实验。对直接溅射沉积硅薄膜的工艺进行了实验研究,并对硅膜进行了SIMS分析。用称重法测出无定形硅膜的最大厚度可达400—500nm,为HL-1装置等离子体边界层物理实验制作了所需的无定形硅膜收集探针。     

磁控溅射MO薄膜电阻率的原位研究

研究了磁控溅射Mo薄膜的电阻率与薄膜厚度的关系。对Mo薄膜的电阻率进行了原位测量,得到电阻率与薄膜厚度的实验曲线。经拟合计算得到Mo薄膜电阻率与薄膜厚度关系的理论曲线。将实验曲线与理论曲线比较,结果显示在薄膜厚度较大时,电阻率与薄膜厚度的关系与Fuchs-Sondheimer(F-S)理论基本符合,如果计入晶粒尺寸对电阻率的贡献则完全符合F-S理论。并得到Mo薄膜尚未形成连续性薄膜前的导电机制为热电子发射机制的结论。 关键词：     

射频溅射法制备3C-SiC和4H-SiC薄膜

利用射频溅射法在Si衬底上制备了SiC薄膜，并利用x射线衍射（XRD）和红外（IR）吸收谱对薄膜的结构、成分及化学键合状态进行了分析.XRD结果表明，低温制备的SiC薄膜为非晶相，而在高温下（＞800℃），薄膜呈现4HSiC和3CSiC结晶相.IR谱显示，溅射制备薄膜的吸收特性主要为Si—C键的吸收.此外，还利用原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了研究，并研究了样品的场发射特性. 关键词： 射频溅射 SiC薄膜 结构 表面形貌 场发射     

晶粒尺寸对薄膜电阻率温度系数的影响

报道了Ｐｄ薄膜电阻率温度系数（ＴＣＲ）随不同薄膜厚度和不同退火温度的变化．实验结果表明：薄膜ＴＣＲ值远小于体材料的值，且对晶粒尺寸有一定的依赖关系；薄膜晶粒尺寸越大，其ＴＣＲ值也越大。采用晶粒间界散射的二流体模型对此结果进行了讨论。 关键词：     

多层溅射制备Wsix/Si薄膜的电阻率特性研究

利用多层溅射技术制备了ＷＳｉ_x／Ｓｉ薄膜，然后测量其平面电阻的退火行为，发现平面电阻在６００－７００℃之间退火后有陡降，这对应于非晶ＷＳｉ_x薄膜中Ｗ₅Ｓｉ₃四角相的形成。ｘ射线衍射和慢正电子湮没测量也证实了这一点。认为薄膜电阻率的突变反映了导电机制的变化，它和薄膜结构的变化有很好的对应关系。 关键词：     

由电阻率的准静态测量研究薄膜晶粒的生长动力学

提出一种用薄膜电阻率的准静态测量来进行薄膜晶粒生长动力学研究的方法。在超高真空系统中用直流溅射制备Pd膜,然后测量不同温度下Pd膜电阻率与退火时间的关系。利用二流体模型推算出对应晶粒尺寸大小的变化,并和TEM结果进行比较。在此基础上进一步分析了退火温度对薄膜中晶粒尺寸变化所起的作用,拟合出晶粒的生长曲线。实验结果表明晶粒长大是一种热激活生长过程,激活能约为0.53eV。 关键词：     

巨磁电阻锰氧化物材料的低温电阻率行为的研究

对巨磁电阻锰氧化物材料La2/3Ca1/3MnO3/YSZ(钇稳定氧化锆)(LCMO/YSZ)系列样品低温下电阻率行为进行研究,低温下电阻率行为一般是ρ=ρ0 ATa BTb的形式,其中ρ0为剩余电阻率,a=2或3/2,b=5或9/2.T2代表电子-电子散射项,T3/2代表被无序自旋玻璃散射的电子项,T6代表电子.声子散射项,Tθ/2们代表电子-双磁子散射项.在此指出b=5是合理的,代表电子-声子散射项.     

PHOTOLUMINESCENCE OF NANOCRYSTALLINE SiC FILMS PREPARED BY RF MAGNETRON SPUTTERING

Amorphous SiC films are deposited on Si (111) substrates by rf magnetron sputtering and then annealed at 1200℃ for different times by a dc self-heating method in a vacuum annealing system. The crystallization of the amorphous SiC is determined by Raman scattering at room temperature and X-ray diffraction. The experimental result indicates that the SiC nanocrystals have formed in the films. The topography of the as-annealed films is characterized by atomic force microscopy. Measurements of photoluminescence of the as-annealed films show blue or violet light emission from the nanocrystalline SiC films and photoluminescence peak shifts to short wavelength side as the annealing time decreases.     

A-15化合物低温电阻率反常行为的探讨

本文将文献[6]导出的替代式合金电阻率公式应用于理想配比的完全有序A-15化合物,理论与实验的比较表明:尽管不同的A-15化合物低温电阻率温度依赖性的差别很大,其基本特征都可以在文献[6]的模型中得到理解。     

Fe基非晶态合金的低温电阻研究

本文报道Fe_100-xB_x,Fe_87-xSi_xB₁₃,(Fe_1-xCo_x)₇₈Si_9.5B_12.5,(Fe_1-xM_x)_80-84B_16-20(M=Zr,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn)非晶态合金的 关键词：     

溅射氧化铁薄膜矫顽力的研究

本文报道了有关溅射氧化铁薄膜磁性能的系统研究,特别着重于矫顽力的温度依赖关系和矫顽力随不同氧化铁相的变化。从理论分析与实验测量结果的对比中,给出了形状各向异性、磁晶各向异性及应力各向异性各自对Fe₃O₄薄膜、γ-Fe₂O₃薄膜及二者混合相薄膜的贡献,并且得到了Fe₃O₄薄膜和γ-Fe₂O₃薄膜的磁晶各向异性常数K₁的温度依赖关系曲线。 关键词：     

STUDIES ON INFRARED AND PHOTOLUMINESCENCE PROPERTIES OF CdIn2O4 FILMS DEPOSITED BY RF REACTIVE SPUTTERING

Transparent and conductive CdIn₂O₄(CIO) thin films were prepared successfully by rf reactive sputtering from a Cd-In alloy target in an Ar+O₂ atmosphere. The measurement of transmission and reflection spectra, at wavelengths between 0.2 and 6.0μm, and photoluminescence spectrum of the films are reported. The optical properties of the films are analyzed and discussed in detail. Two reasonable methods for calculating the effective mass of the free carrier in the films are presented.     

直流磁控溅射镀膜实验条件的选择

介绍一台改制的直流以磁控溅射镀膜机用于溅射镀膜实验,选择实验条件,观察实验现象,得到多层薄膜。