功率V型场效应晶体管介绍

一、前言在音频放大器爱好者中间,电子三极管放大器还是颇受欢迎的,想要重新估价电子管的音质、音色的人也正在多起来。重新估价电子三极管时,在特性方面,它具有失真小,输入阻抗高,输出阻抗低等优点。在放大器的设计和提高放大器性能等方面,它具备了许多好的特性。但对电子管而言,它又有不少缺点。从其外形和构造上来看,体积大且易损坏;管内有灯丝,这一点是很讨厌的;另外,还有寿命短,容易产生交流声等问题。目前的晶体管放大器,使用的是NPN和PNP晶体管,在其电路结构上,全段直耦式纯互补电路还是很罕见的。不过,在双极晶体管中,存在着自由电荷积累效应引起的切割失真等固有的问题,它们会成为高次谐波失真的原因。     

用分子束外延制造低噪声微波场效应晶体管

报导了适用于制造场效应晶体管的砷化镓分子束外延生长。分子束外延结构由一个 n=3.5×10~(17)/厘米~3的有源层和长在它上面的一个 n~+=2.5×10~(18)/厘米~3的接触层组成。用这种材料制造的场效应晶体管在8千兆赫下的最小噪声系数为1.5分贝;相应的增益为15分贝。这是目前报导过的有关低噪声分子束外延砷化镓场效应晶体管的最好结果。     

用离子注入制造性能优良的砷化镓场效应晶体管

北美砷化镓会议录论文集中的“用硒离子注入制造砷化镓场效应晶体管”这篇文章介绍了罗克韦尔国际科学中心采用离子注入技术取代外延生长技术形成有源层,制造出接近于理论特性的低噪声砷化镓场效应晶体管。对于栅长0.9微米的器件,论证了增益与频率的特性。结果表明,最大振荡频率超过50千兆赫。在10千兆赫下,典型噪声系数为3.5分贝,而增益为7分贝。经挑选,有些器件,在10千兆赫下,噪声系数可低达3.3分贝,而最大可用增益为11.5分贝左右。J.A.Higgins 等人宣称“对于相同几何图形的 FET,1976年 Hewitt 等人计算出了噪声系数的最佳值为3.5分贝,这就证明离子注入的晶体管与理论预计的特性相符。”     

研究者用碳60制造出高性能场效应晶体管

佐治亚理工大学的研究者采用碳60薄膜利用常温工艺成功制造出高性能场效应晶体管,碳60也称为富勒烯。该场效应晶体管可以应用在显示器、有源电子广告牌、RFID标签以及其他需要柔性基底的应用中。     

砷化镓功率场效应晶体管制造工艺

砷化镓功率场效应晶体管的研制对制造工艺提出了极苛刻的要求。因为需要设计成很多栅条,这样制作一定数量的器件需要有极高成品率的工艺。也需要减小所有寄生电阻(如像接触电阻)以及有一个可靠的肖特基势垒栅。在本文中,首先对砷化镓功率场效应晶体管所采用的制造工艺作了简要的叙述,然后对接触电阻的测量技术作了说明,讨论了减小接触电阻的方法,介绍了具有高的和低的接触电阻的器件的微波性能,并对一个较好的功率器件所呈现出的寄生电阻作了详细的分析。同时还叙述了栅金属层厚度对器件性能的影响,以及高温退火对两种不同栅金     

场效应晶体管

所谓场效应晶体管(FET)就是用栅电极来控制源、漏电极之间电流沟道的导电率使电流变化的晶体管,按照栅电极的结构有用pn结形成栅的结型场效应晶体管(JFET),用肖特基势垒形成栅的肖特基势垒场效应晶体管(SB FET)和在绝缘层上形成金属的绝缘栅场效应晶体管(MIS FET)三种。至今为止,FET中进展较快并已实用化的是MISFET,其中主要是绝缘层用SiO_2的MOSFET,这种趋势即使在今后还会继续下去。     

作开关用的场效应晶体管

利用射束技术可望制出一种新型的起微波开关作用的结型场效应晶体管。目前,在电子扫掠雷达系统的天线辐射控制中通常用PIN二极管作微波开关。据称,结型场效应晶体管的截止频率可达100千兆赫,它比PIN二极管的截止频率稍低一点。结型场效应晶体管的优点是所需的功率可以控制,它比目前雷达系统要求的功率至少低     

用离子注入制作砷化镓场效应晶体管

本文叙述离子注入在制作GaAsFET中的应用情况,以及与此有关的退火及衬底选择问题,最后介绍一些用离子注入制作的GaAsFET的性能结果。     

国际整流器公司全新40V场效应晶体管

国际整流器公司(International Rectifier)推出适用于汽车应用系统的全新40VHEXFET功率产品系列。这些产品采用该公司第五代先进技术,运作效率极高,且坚固耐用。 为了提高汽车应用系统的效率,国际整流器公司在交流发电机中装设了一个齐纳二极管,从而将负载电压     

GaAs场效应晶体管

<正> 日本电气公司窄凹栅结构的低噪声 GaAsFET 已在12千兆赫下达到噪声系数1.68分贝,在4千兆赫下为0.7分贝。而三菱电机公司的缓变凹栅结构的封装器件在12千兆赫下最小噪声系数已达1.3分贝,未封装的芯片在16千兆赫下噪声为1.8分贝,在18千兆赫下为2.1分贝。功率 GaAsFET 目前三种不同的主要结构是:日本电气公司的缓变凹栅结构,富士通公司的源、漏下做 n~+层的结构和三菱电机公司的铜热沉上芯片倒装的结构。日本电气公司已达到6千兆赫,23瓦;8千兆赫,17瓦;18千兆赫,1.25瓦。三菱电机公司已达到15千兆赫,1.9瓦。     

行波场效应晶体管

场效应晶体管与双极晶体管相比,因其输入电阻很高,而且是多数载流子传输器件,所以具有高输入阻抗和低输出阻抗的特点。但是,目前的场效应管,由于其输入、输出电容很大,截止频率较低,显示不出高输入阻抗的优点。一般,它的跨导g_m也比较小。为提高跨导g_m,则不可避免地要造成输入电容的增大。但如果把场效应管装成定K型电路或m型推演式电路,则输入、输出电容大和跨导g_m小的缺点可较容易地得到解决。这样,在场效应管本身的设计上就会自由得多,此外,由于电路比较简单,也有利于实现集成化。本文首先介绍行波场效应管电路的设计理论,并证明它与实验结果符合的较好。接着,应用此种理论,以场效应管的结构参数和材料参数为参量,在设计上,为得到尽可能高的频率上限和必要的电压增益,以偏压为函数,求出所需场效应管的最少个数。最后,简单介绍一下把上述电路集成化时的电路结构。     

Ku波段振荡用GaAs场效应晶体管

本文讨论GsAs FET振荡应用时的工作原理、设计考虑。Ku波段振荡用FET在15GHz下获得60mW输出功率,在18GHz下获得40mW输出功率。     

3000V 10A 4H-SiC结型场效应晶体管的设计与制造

介绍了一种常开型高压4H-SiC JFET的仿真与制造工艺。通过仿真对器件结构和加工工艺进行优化,指导下一步的工艺改进。在N+型4H-SiC衬底上生长掺杂浓度(ND)为1.0×1015 cm-3,厚度为50μm的N-外延层,并采用本实验室开发的SiC JFET工艺进行了器件工艺加工。通过测试,当栅极偏压VG=-6V时,研制的SiC JFET可以阻断3 000V电压;当栅极偏压VG=7V、漏极电压VD=3V时,正向漏极电流大于10A,对应的电流密度为100A/cm2。     

大功率场效应晶体管

最近,国外介绍了两种金属氧化物半导体场效应晶体三极管,其型号为MTM15N35和MTM15N40,其输出功率可达250瓦.这种双扩散、N沟道硅栅极场效应晶体三极管的额定连续漏极电流为15安,额定峰值漏极电流为70安,额定击穿电压分别为350伏和     

圆柱形场效应晶体管

基于平面形场效应晶体管的肖克莱理论,分析推导了圆柱形场效应晶体管的特性。发现圆柱形器件能给出二倍于平面形器件的电压放大系数。它的频率特性和肖克莱的元件是可比拟的。由于少了一个自由度,使圆柱形场效应管的跨导和功率特性明显地受到限制。实验数据证实了分析结果。     

由电子束技术制造的砷化镓微波场效应晶体管

一、引言近几年来砷化镓材料和器件工艺方面的改进,实现了截止频率进入微波领域的场效应晶体管。肖特基势垒栅器件取代了扩散栅器件,因而使工作频率大大提高。为进一步提高这些器件的工作频率,必须采用栅长非常短的结构,器件要在10千兆赫以上的频率工作,则需制作亚微米的栅长。这在工艺中将产生很大的问题:由于要确定的尺寸接近紫外线辐射曝光的波长,普通的接触光刻掩模技术就不适用了。已提出新的工艺来缩小普通光刻带来的局限性,     

肖特基势垒场效应晶体管制造中的金属化工艺

叙述了微波肖特基势垒场效应晶体管制造中的金属化工艺。首先,栅接触只有1微米宽,源、漏和栅的接触窗孔和金属化是同时制造的。其次,接着通过蒸发金-锑到接触上将源和漏的接触转变为欧姆接触。掩模对准不成问题,因为金-锑经适当的热处理后扩展到漏源的接触面上。     

用选择电镀法制作砷化镓场效应晶体管

砷化镓场效应晶体管作为超高频领域的放大器件占有极其重要的地位,这一点本文不再赘述。由于该器件的栅下电子流是由栅势垒的耗尽层的变化来控制的,所以,为适应高频应用,电子流的渡越距离即栅长应极力缩短;此外,为降低串联电阻,也需要缩短栅-源间的距离。目前,已有过栅长能缩短到1微米或更小,即栅长1微米时,f_(max)=40～50千兆赫,栅长达亚微米时,f_(max)≈80千兆赫的报告。这种器件结构通常是通过反复的高精度光刻技术来完成的,另一方面,为尽量减少光刻技术的麻烦,提出了许多自调整     

用选择电镀法制作砷化镓场效应晶体管

由于砷化镓场效应晶体管是一种必不可少的微波有源器件,因此为了提高该器件的频率并降低噪声,有必要将其栅长缩短到1微米以下。迄今,实现亚微米栅长的方法既有传统的光刻技术,也提出了自对准等种种方法,我们把电镀法形成微波肖特基势垒二极管的成功经验应用于场效应管的制作上,并对电镀法形成的有源区进行了研究。在此过程中,既考察了选择电镀法对器件制作的适用性,又探索了应用自对准方法制作场效应管的可能性。用选择电镀的优点是片子上面的绝缘膜不用粘附金属,仅在露出砷化镓的窗口粘附金属。其缺点是能镀的金属种类非常有限。     

微波放大器用的低噪声砷化镓场效应晶体管

一、引言作为微波低噪声晶体管,砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管吸引着人们的注意,各厂家正在进行研究。目前的研究大体上分为微波低噪声场效应晶体管和大功率场效应晶体管两种。考虑到通信系统中频放