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在百焦耳准分子激光实验中,采用了径向绝缘的大面积强流相对论电子束二极管(简称REB二极管)。对“天光一号”的PFL线、有机玻璃隔板以及二极管腔内区域进行了二维轴对称电场计算,得到了直观的等位线图和电场分布图。结合二极管实验对计算结果进行了分析,用耐压因子概念解释沿面滑闪问题。另外,对一台焦耳级准分子激光加速器的二极管进行了优化电场设计。进行了有关改善三结合处电场分布的实验研究,给出三结合处电场强度在小于3kV/cm时,不会发生真空沿面击穿的结论。 相似文献
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讨论了驻波腔内射频场力对电子束横向运动的影响,求出了使加速腔内径向电场线性化的阳极等位线方程。并给出了使径向电场E_r线性化的加速腔鼻锥设计所应遵循的原则,以及驻波腔径向电场线性化程度的判据。 相似文献
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针对口径天线及其近区任意厚均匀介质体的复杂系统,应用表面积分方程(SIE)方法结合模式匹配方法(MM)建立了模式激励的新型一体化电磁模型。在馈电端口采取模式匹配方法模拟了波导中的激励情况,将金属壁处理为理想导电体,并在金属壁上利用边界条件建立电场积分方程(EFIE);利用零场等效原理在介质体内外表面分别建立电场积分方程和磁场积分方程(MFIE),并组合内外表面建立的电场积分方程和磁场积分方程为PMCHW方程;最后使用矩量法对所建立的EFIE-PMCHW-MM组合方程进行求解。文中结合喇叭天线设计了两个典型算例,所提混合方法 EFIE-PMCHW-MM给出的数值结果与商用软件FEKO高度一致,且在求解口径天线与近区厚介质体耦合问题时由于未知量显著减少,大幅度提高了仿真效率,降低了计算机资源消耗。 相似文献
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本文指出运动电荷产生的电场和磁场间存在着紧密关系,并由此给出其位移电流和位移电流密度的一种新的表述。据此,对运动电荷的位移电流、位移电流密度以及位移电流线进行了简要的讨论,并给出了位移电流线的物理图象。 相似文献
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将GaAs光电阴极发射层掺杂浓度由体内到发射表面从高到低的进行指数掺杂,能在发射层形成一个恒定的内建电场,有利于光电子的逸出.在考虑内建电场的作用下,通过建立和求解少数载流子所遵循的一维连续性方程,得到了反射式和透射式指数掺杂阴极的量子效率公式,并利用这些公式对其量子效率进行了理论计算和仿真.计算结果显示发射层指数掺杂能较明显的提高阴极的量子效率,与均匀掺杂阴极相比,能使反射式阴极积分灵敏度提高约20%,透射式阴极提高30%以上.指数掺杂提高阴极量子效率的主要原因与内建电场有关,光电子在内建电场作用下以扩散加漂移的方式到达阴极表面,从而减小了后界面复合速率对阴极的影响,同时提高了阴极的等效电子扩散长度.
关键词:
指数掺杂
内建电场
能带结构
量子效率 相似文献
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利用电场能量和电容器的能量公式,解出非平行板电容器的电容和电场分布.该方法严谨易懂,图像清晰,另辟新径. 相似文献
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高斯定理本身没有非要孤立带电体不可的限制,将电场叠加原理应用于金属带电体系统时,必须注意到金属带电体在电场中的电荷重新分布。本文从理论上阐明用静电平衡时任一带电导体的分布电荷代入高斯定理计算的电场强度实际上已经是合电场,无须考虑其它带电体的电场的遗缺。 相似文献
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采用电滞回线方法和偏置直流电场中叠加小交变电场方法研究了锆钛酸铅反铁电陶瓷材料在强电场作用下的介电行为.测量结果显示,锆钛酸铅反铁电材料的介电常数随外加电场强度呈非线性变化,在反铁电 铁电转变的电场区间形成介电峰.表征极化强度随电场强度变化率的微分介电常数εd峰值出现在反铁电 铁电转换电场强度处,最高达到41000.随着偏置电场增加反铁电向铁电体转变过程中,小信号介电常数εc减小;在电场降低铁电回复成反铁电过程中,小信号介电常数εc增大,小信号介电常数εc峰先于微分介电常数εd峰出现.根据电场作用下反铁电
关键词:
锆钛酸铅反铁电陶瓷
介电行为
强电场条件 相似文献
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锥形导体尖端的电场特性 总被引:5,自引:4,他引:1
以圆锥形导体为例,从求拉普拉斯方程在边界条件下的解出发,给出锥形导体尖端附近的电场表达式,并对电场特性作出详细分析,从而揭示尖端放电现象的物理本质。 相似文献
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本文对大学物理学实验中大都采纳的静电场描述的实验方法进行了讨论,对实验中等电势线及电力线的描绘原则进行了分析,并针对实验中经常出现的电场偏移的处理方法提出了一定的改进意见,本文还对静电场描绘实验中电极形状的选择提出了一些建议。 相似文献