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相似文献
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1.
段玲  胡飞  丁建文 《物理学报》2011,60(11):117201-117201
考虑实际体系的梯度无序和结散射,发展格林函数矩阵分解消元方法,研究了准一维纳米线的电子输运性质. 结果表明,由于结散射,电导随能量呈现振荡行为,无序的引入破坏了电子相干性,在低无序度区平均电导呈现异常增加,呈现一个新的电导峰. 当表面存在无序但无梯度衰减时,体系的平均电导随无序度增强先减后增,出现类局域-退局域性转变. 当表面无序线性衰减时,平均电导在强无序区稍有增加,而当表面无序高斯型衰减时,平均电导指数衰减,类局域-退局域性转变消失,不同于以前的理论预言. 研究结果对准一维纳米线电子器件的结构设计和应用有指导作用. 关键词: 准一维纳米线 梯度无序 电子输运  相似文献   

2.
石彦立  韩伟  卢铁城  陈军 《物理学报》2014,63(8):83101-083101
熔石英是高功率激光装置中广泛使用的激光透镜材料,采用第一性原理结合平面波赝势方法,研究了熔石英材料中羟基结构的生成模式,系统计算了材料的电子态密度、差分电荷密度、原子电荷布居分布,分析了包含羟基熔石英材料的光学跃迁模式,研究结果表明:熔石英中的三配位硅原子缺陷在禁带中生成了两条缺陷能级,分别位于7.8和8.8 eV;研究还发现氢原子与五配位硅原子发生相互作用生成羟基结构,该反应还使三配位硅原子的杂化方式由sp~2变为sp~3,这种羟基结构会影响体系的电子结构,使原有的7.8和8.8ev缺陷能级消失,并在费米面上生成一条半占据态缺陷能级,引起激发能为6.2 eV的光学跃迁。  相似文献   

3.
柳福提  程艳  羊富彬  程晓洪  陈向荣 《物理学报》2013,62(10):107401-107401
采用密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的方法对Au(100)-Si-Au(100) 系统左侧对顶位、右侧对空位的纳米结点的电子输运性质进行了理论模拟计算, 结果得到纳米结点的电导随电极距离(dz)增大而减小. 在dz =9.72 Å时, 结点的结合能最低, 结构最稳定, 此时电导为1.227G0 (G0=2e2/h), 其电子输运通道主要是Si原子的px, pypz轨道电子形成的最高占居轨道共振峰; 在外偏压下, 电流-电压曲线表现出线性特征; 随着外加正负电压的增大, 电导略有减小, 且表现出不对称性的变化. 关键词: 硅原子 电子输运 密度泛函理论 非平衡格林函数  相似文献   

4.
单壁碳纳米管电子输运特性的稳定性分析   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
梅龙伟  张振华  丁开和 《物理学报》2009,58(3):1971-1979
基于变形单壁碳纳米管能量色散关系,计算了碳纳米管最低导带的电子速度及有效质量随形变系数变化的各种曲线,以此推测碳纳米管输运性质的稳定性问题.计算结果表明:对于特定类型的碳纳米管,只当其形变发生在某特定方向、且处于低形变(形变系数ε≤002 )区时,电子平均速度vmean及平均有效质量m*mean随形变改变才会很小(相对改变量≤2%),这意味着此时的碳纳米管低偏压电子输运性能是基本稳定的.而其他形变情形,电子平均速度vmean或电子平均有效质量m*mean或两者随形变变化明显,甚至有跃变,这意味着其低偏压电子输运性能是不稳定的,甚至极不稳定. 关键词: 变形单壁碳纳米管 电子速度 电子有效质量 输运性能稳定性  相似文献   

5.
以1,4-二硫酚(DTB)分子为研究对象,利用第一性原理计算方法和非平衡格林函数理论,研究了分子的位置取向对分子电子结构以及分子结电输运性质的影响.计算结果表明,分子位置取向的改变会影响分子的电子结构,从而影响分子体系的电输运特性,扩展分子的平衡态不是电子输运的最佳状态,适当调节分子的位置取向可以提高分子的电输运特性. 关键词: 位置取向 电子输运 分子电子学  相似文献   

6.
7.
采用自洽场方法获得体系电荷密度分布,根据激子理论分析体系电荷密度矩阵,推导出表面等离极化激元(SPP)的频谱分布,并在原子轨道函数基上构造电流输运的矩阵等式,然后采用SPP频谱规范电流输运矩阵得到电流输运多项式的表达形式.进而提出因SPP影响电流输运而导致负阻现象的物理图像. 关键词: 电荷输运 表面等离极化激元 电荷密度  相似文献   

8.
双空位缺陷石墨纳米带的电子结构和输运性质研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
欧阳方平  徐慧  林峰 《物理学报》2009,58(6):4132-4136
基于第一原理电子结构和输运性质计算,研究了585双空位拓扑缺陷对锯齿(zigzag)型石墨纳米带(具有椅型(armchair)边)电子结构和输运性质的影响.研究发现,585双空位缺陷的存在使得锯齿型石墨纳米带的能隙增大,并在能隙中出现了一条局域于缺陷处的缺陷态能带,双空位缺陷的取向也影响其能带结构.另外,585双空位缺陷对能隙较小的锯齿型石墨纳米带输运性质的影响较大,而对能隙较大的锯齿型石墨纳米带影响很小,缺陷取向并不显著影响纳米带的输运性质. 关键词: 石墨纳米带 585空位缺陷 电子结构 输运性质  相似文献   

9.
欧阳方平  徐慧  魏辰 《中国物理 B》2008,17(2):1073-1077
采用第一性原理电子结构和输运性质计算研究了zigzag型单层石墨纳米带(具有armchair 边缘)的电子结构和输运性质及其边缘空位缺陷效应. 研究发现,完整边缘的zigzag型石墨纳米带是具有一定能隙的半导体带,边缘空位缺陷的存在使得纳米带能隙变小,且缺陷浓度越大,能隙越小,并发生了半导体-金属转变. 利用这些研究结果,将有助于在能带工程中实现其电子结构裁剪.  相似文献   

10.
欧阳方平  徐慧  魏辰 《物理学报》2008,57(2):1073-1077
采用第一性原理电子结构和输运性质计算研究了zigzag型单层石墨纳米带(具有armchair 边缘)的电子结构和输运性质及其边缘空位缺陷效应. 研究发现,完整边缘的zigzag型石墨纳米带是具有一定能隙的半导体带,边缘空位缺陷的存在使得纳米带能隙变小,且缺陷浓度越大,能隙越小,并发生了半导体-金属转变. 利用这些研究结果,将有助于在能带工程中实现其电子结构裁剪. 关键词: 石墨纳米带 空位缺陷 电子结构 输运性质  相似文献   

11.
We investigate the electronic properties of metallic (7,7) carbon nanotubes (CNT) in the presence of a variety of tetra- and hexa-vacancy defects, by using the first principles density functional theory (DFT) combined with the non-equilibrium Green’s function technique. From the view point of energetic stability large vacancies tend to split into pentagon and heptagon (5-7) defects. However, this does not preclude the presence of “holes” in the carbon nanotube by the nanoelectronic lithography technique. We show that the states linked to large vacancies hybridize with the extended states of the nanotubes to modify their band structure. As a consequence, the hole-like defects in the CNT lead to more prominent electronic transport compared to the situation in the defective CNT consisting of pentagon-heptagon pair defects. Our study suggests the possibility to improve the electronic properties of a defective carbon nanotube via morphological modifications induced by irradiation techniques.  相似文献   

12.
In this paper, an implementation of energetic damping for fermionic transport simulations which respects particle conservation is presented. For this, nonhermitian terms in the Hamiltonian of the system are used. After an explanation of the method, it is demonstrated studying the current over time and I/V characteristics in the noninteracting resonant level model for spinless fermions.

  相似文献   


13.
熊昌民  孙继荣  王登京  沈保根 《物理学报》2004,53(11):3909-3915
在厚度为25—400nm范围内,系统地研究了 (001)SrTiO_3(STO), (001)LaAlO_3(LAO)衬底上La_0.67Ca_0.33Mn_O.3 (LCMO)薄膜的电输运与居里温度T_C随薄膜厚度及衬底的变化. 结果表明,随薄膜变薄,电阻率ρ增加,T_C降低. 对于同一薄膜厚度,LCMO/STO薄膜的ρ大于LCMO/LAO基上的薄膜的ρ. T_C衬底的依赖关系则与ρ相反. 分析表明,LCMO薄膜的低温区电阻温度(ρ-T) 符合关系式ρ=ρ_0+Bω_s/sin h^2(ω_s/2/k_BT)+CT^n, 其中ρ_0为剩余电阻;等号右端第二项反映软光学模声子对电子散射的贡献;第三项包括其余可能散射机 理在电输运过程中所起的作用;B,ωs(软光学模声子的平均频率)与C都为拟合系数. 高温区的电输运则由小极化子跃迁模型ρ=DT×exp(E_a/k_BT)描述(E_a为极化子激 发能). 根据ρ_0,ωs,E_a以及T_C变化,初步讨论了薄膜中的厚度与应变效应. 进一步 研究发现ωs,E_a的变化与T_C相关,从而说明极化子效应为影响T_C变化的主要因素. 关键词: 锰氧化物薄膜 电输运 居里温度 极化子  相似文献   

14.
Conductance through a system consisting of a wire with side-attached quantum dots is calculated. Such geometry of the device allows to study the coexistence of quantum interference, electron correlations and their influence on conductance. We underline the differences between ‘classical’ Fano resonance in which the resonant channel is of single-particle nature and ‘many-body’ Fano resonance with the resonant channel formed by Kondo effect. The influence of electron-electron interactions on the Fano resonance shape is also analyzed.  相似文献   

15.
李宗良  李怀志  马勇  张广平  王传奎 《中国物理 B》2010,19(6):67305-067305
A first-principles computational method based on the hybrid density functional theory is developed to simulate the electronic transport properties of oligomeric phenylene ethynylene molecular junctions with H2O molecules accumulated in the vicinity as recently reported by Na {\it et al.} [\wx{Nanotechnology}{18} 424001 (2007)]. The numerical results show that the hydrogen bonds between the oxygen atoms of the oligomeric phenylene ethynylene molecule and H2O molecules result in the localisation of the molecular orbitals and lead to the lower transition peaks. The H2O molecular chains accumulated in the vicinity of the molecular junction can not only change the electronic structure of the molecular junctions, but also open additional electronic transport pathways. The obvious influence of H2O molecules on the electronic structure of the molecular junction and its electronic transport properties is thus demonstrated.  相似文献   

16.
17.
We derive a formula for the quantum corrections to the electrical current for a metal out of equilibrium. In the limit of linear current-voltage characteristics our formula reproduces the well known Altshuler-Aronov correction to the conductivity of a disordered metal. The current formula is obtained by a direct diagrammatic approach, and is shown to agree with what is obtained within the Keldysh formulation of the non-linear sigma model. As an application we calculate the current of a mesoscopic wire. We find a current-voltage characteristics that scales with eV/kT, and calculate the different scaling curves for a wire in the hot-electron regime and in the regime of full non-equilibrium. Received 13 June 2001  相似文献   

18.
欧阳方平  王焕友  李明君  肖金  徐慧 《物理学报》2008,57(11):7132-7138
基于第一性原理电子结构和输运性质计算,研究了单空位缺陷对单层石墨纳米带(包括zigzag型和armchair型带)电子性质的影响.研究发现,单空位缺陷使石墨纳米带在费米面上出现一平直的缺陷态能带;单空位缺陷的引入使zigzag型半导体性的石墨纳米带变为金属性,这在能带工程中有重要的应用价值;奇数宽度的armchair型石墨纳米带表现出金属特性,有着很好的导电性能,同时,偶数宽度的armchair型石墨带虽有金属性的能带结构,但却有类似半导体的伏安特性;单空位缺陷使得奇数宽度的armchair石墨纳米带导电 关键词: 石墨纳米带 单空位缺陷 电子结构 输运性质  相似文献   

19.
张迷  陈元平  张再兰  欧阳滔  钟建新 《物理学报》2011,60(12):127204-127204
采用格林函数方法研究了堆叠石墨片对锯齿型石墨纳米带电子输运性质的影响,计算了两种不同堆叠方式下锯齿型石墨纳米带的电导.研究发现,由于堆叠石墨片与石墨纳米带的耦合作用,锯齿型石墨纳米带的电导谱出现了电导谷.在远离费米能处,两种堆叠方式下的电导谷位置相近甚至重合;而在费米能附近,两种堆叠方式下的电导谷存在差异.此外,讨论了堆叠石墨片的几何尺寸对锯齿型石墨纳米带电子输运的影响.结果显示,随石墨片几何尺寸的增大,锯齿型石墨纳米带在两种堆叠方式下远离费米能处的电导谷逐渐向费米能方向移动,同时其费米能附近的电导谷在两种堆叠方式下的差异随石墨片尺寸的增大变得更为明显.研究结果表明,堆叠石墨片能够有效地调制锯齿型石墨纳米带的电子输运性质.  相似文献   

20.
梁锦涛  颜晓红  张影  肖杨 《物理学报》2019,68(2):27101-027101
基于非共线磁序密度泛函/非平衡格林函数方法,研究了硼或氮掺杂的锯齿型石墨烯纳米带的非共线磁序与电子透射系数.未掺杂的石墨烯纳米带的计算结果表明磁化分布主要遵循类似于Neel磁畴壁的螺旋式磁化分布.相比于未掺杂的情况,硼/氮掺杂的石墨烯纳米带的磁化分布出现了双区域的特征,即杂质原子附近的磁化较小,杂质原子左(右)侧区域的磁化分布更接近于左(右)电极的磁化方向,这为通过掺杂手段在石墨烯纳米带边缘上构建不同磁畴壁提供了可能性.与未掺杂的透射系数不同的是,硼/氮掺杂的石墨烯纳米带的透射系数在费米面附近随着磁化偏转角增大而减小,表明非共线磁序引起的自旋翻转散射占据主导地位.而在E=±0.65 eV处,出现了一个较宽的dip结构,投影电子态密度的分析表明其来源于杂质原子形成的束缚态所引起的背散射.我们的研究结果对于理解石墨烯纳米带中的非共线磁序与杂质散射以及器件设计具有一定的意义.  相似文献   

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