镀金的柯伐晶体管引线的应力腐蚀裂纹

腐蚀焊剂被认为是镀金柯伐引线应力腐蚀的一个主要原因。过去,考虑这个问题时,往往忽视应力和湿度条件这些重要因素。提出金的厚度在这个问题中并非是临界参数,因为提供的数据表明,在湿气和应力单独存在的情况下,不镀金就不会显著地影响引线的开裂或折断。     

电力系统接地装置的腐蚀及防腐措施

电力系统的接地装置由于长期运行在地下、潮湿、阴暗等恶劣的环境,极容易发生腐蚀.被腐蚀的接地装置就不能起到保护作用了.因此,对于接地装置,应该采取有效的防腐措施.     

IEC/TC47及其分技术委员会的标准化工作

介绍并分析了截止到2003年11月底，IEC/TC47及其三个分技术委员会——SC47A、SC47D、SC47E的标准制定和新工作项目(标准)的进展情况，指出了IEC/TC47标准制定特点和目前标准化工作的重点。     

浅论金属的腐蚀与防护以及光缆及其生产设备的防腐

介绍了一些关于金属腐蚀与防护的相关知识，如腐蚀的原理、类型及其环境，金属的耐蚀性及防护，以及光缆及其生产设备的防腐等。     

先进集成电路制造的圆片级可靠性系统

圆片级可靠性测试是从可靠性物理的基础上发展起来的,利用工艺过程统计的控制方法来收集数据,并且通过快速的参数测量来检测出导致产品可靠性退化的原因。这种测试采用的是较高的、但在容许范围之内的测量应力(如温度、电压、电流),将其加到圆片上的测试结构中,然后测量由这种应力所产生的品质退化。圆片级可靠性测试系统主要分4个阶段:圆片级可靠性设计与发展(WLRD:WLRDesign&Develop鄄ment);圆片级可靠性评估及验证(WLRA:WLRAssessment);圆片级可靠性基准建立(WLRB:WLRBase鄄line);圆片级可靠性控制(WLRC:WLRControl)。WLR系统已经成功地运用于从0.35μm到0.13μm的逻辑电路及存储器的生产中。     

气密性金属封装内的水汽及气氛研究

从封装管壳、贴片材料、固化烘烤处理方式等方面,研究了封装内部的水汽和气氛。结果表明,管壳清洗后烘焙的水汽含量低于清洗后不烘焙的水汽含量。粘结材料(环氧树脂、氰酸酯树脂等)吸附于器件表面,其排放对封装内的水汽有严重的影响。对于环氧树脂H35和氰酸酯树脂JM7000两种导电胶,烘焙后的效果要好于未烘焙,且随着烘焙时间的延长,水汽含量逐步降低。对外壳清洗后进行150℃/8h的烘焙,对水汽和气氛都有好处。由于储能焊对导电胶的热冲击不大,两种导电胶的水汽和气氛排放并无明显差别。     

用于ASIC的PGA外壳设计与工艺

本文叙述了用于ASIC的高密度封装之———PGA外壳的设计和工艺方法。     

金税卡税控共享系统的应用

文章介绍了利用计算机共享服务技术。在不违背防伪税控系统基本原理和所有功能的前提下．通过“税务部门——中介机构一——企业”的模式，实现对一般纳税人中的小企业实行集中纳税管理的研究和应用。     

测试技术在电子组装行业上的应用与发展

高密度封装技术的飞速发展也给测试技术提出了新挑战。为了应对挑战,新的测试技术不断涌现,主要介绍了几种新型测试技术的特点,并对测试技术的发展趋势及方向进行了初步分析。     

集成电路封装的发展与展望

本文结合了集成电路技术的进步，通过对集成电路封装发展的探索，找出了其中的关键步骤，提出了发展中的内外因素，摸索其规律，并作出了封装今后发展趋势的设想。     

谐振梁压力传感器的气密封装技术

文章介绍了谐振粱压力传感器的气密封装技术，全面分析了影响气密封装的各种因素，提出了相应的解决方法。     

密封封装内部水汽含量判据研究

密封封装内部的水汽对于半导体器件的可靠性是一种威胁,由此导致的硅表面铝金属线的腐蚀是一种主要的失效机理。为了防止密封封装内部发生腐蚀失效,从而提高器件的可靠性,美军标和我国国军标均给出了内部水汽含量的试验流程和判据。然而另一些研究表明,水汽的单独存在并不会导致铝线腐蚀失效。研究了水汽在密封器件的腐蚀失效机理中的作用,对硅表面铝线的腐蚀过程进行了数学描述,分析了目前标准中内部水汽含量判据,并给出了防止密封器件腐蚀失效的建议。     

Low Temperature Wafer Level Hermetic Package with Benzo-cyclo-butene Material

The wafer level hermetic package method was studied experimentally in low temperature for optoelectronic devices with benzo-cyclo-butene(BCB) material. The results show that the bonding temperature is below 250℃, the helium hermetic capability of both silicon-BCB-silicon and silicon-BCB-glass package are better than 6×10~ -4 Pa·cm~3/s. The shear strength is enough for package. The hermeticity is still good after the 15 cycles' thermal shock test. The relationship between the leakage rate and the distance from the hole to the device border were also discussed with a seepage model.     

大尺寸硅片背面磨削技术的应用与发展

集成电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展,为满足IC封装要求,图形硅片的背面减薄成为半导体后半制程中的重要工序。随着大直径硅片的应用,硅片的厚度相应增大,而先进的封装技术则要求更薄的芯片,超精密磨削作为硅片背面减薄主要工艺得到广泛应用。本文分析了几种常用的硅片背面减薄技术,论述了的基于自旋转磨削法的硅片背面磨削的加工原理、工艺特点和关键技术,介绍了硅片背面磨削技术面临的挑战和取得的新进展。