引力形状因子的介质修正

将引力形状因子推广到了手征费米子的情形,并由此给出了熟知的自旋-涡旋耦合.计算了量子电动力学等离子体中引力形状因子的辐射修正.发现形状因子中存在两个结构对费米子在涡旋场中的散射振幅有贡献,其中之一来自于费米子的自能修正,指向介质中自旋-涡旋耦合的压低;另一结构来自于对引力子-费米子顶点的修正,这一修正不能解释为势能,而是对应初末态的跃迁矩阵元.两个结构均对手征涡旋效应产生贡献.辐射修正总的效果是对手征涡旋效应的增强.本文的结果从形状因子的角度澄清了自旋-涡旋耦合以及手征涡旋效应的联系和区别.另外,讨论了上述结果在量子色动力学等离子体中的应用,结果暗示辐射修正可能对重离子碰撞的自旋极化现象有一定效应.     

(2+1)维手征Gross-Neveu模型的顶角修正和相结构

本文在1/N展开下计算了(2+1)维手征Gross-Neveu模型的顶角修正和费米子质量修正,并根据手征Ward-Takahashi恒等式得到的费米子质量公式讨论了1/N阶的相结构.结果表明,利用手征Ward-Takahashi恒等式来研究手征对称性的破缺有利于讨论手征对称性的高阶性质.     

基于极化电子散射的分子手征效应研究

手征(chiral)概念是许多科学领域所关注的焦点,其研究也是探索生命起源和生命活动最吸引人的研究方向之一.本文简要介绍近几年基于极化电子散射实验的分子手征效应研究的实验方法及结果,并展望了该领域的实验发展前景,以希望能在高灵敏度及新实验方法基础上更深入研究手征效应的物理内容.     

光轴平行于界面的单轴手征介质中的负折射研究

研究了光轴平行于界面时单轴各向异性手征介质中实现负折射的条件, 并详细分析了该介质中两个本征波在不同电磁参数和手征参数下折射角随入射角的变化规律. 结果表明, 利用单轴各向异性手征介质实现负折射, 条件更加宽松, 甚至在弱的手征参数下也可能实现负折射, 且在不同的介电常数、手征参数和入射角下, 该手征介质中两个本征波的相折射角存在很大的差异, 在特殊条件下, 某一个或两个本征波不能在介质内传播.     

法拉第手征介质反射电磁波的极化特性研究

从麦克斯韦方程出发严格推导了均匀介质与法拉第手征介质交界面处电磁波反射公式.通过解析的方法讨论了不同极化状态下反射电磁波的极化特性与法拉第手征介质电磁参数之间的关系.针对部分具体实例进行了计算,计算结果与理论预测相符合. 关键词： 法拉第手征介质 反射电磁波 极化特性     

(2+1)维手征Gross-Neveu模型的Ward-Takahashi恒等式和质量谱

本文利用含复合场的手征Ward-Takahashi恒等式讨论了(2+1)维手征Gross-Neveu模型的费米子质量和束缚态的谱性质.在最低阶近似下,质量谱与大N展开的结果一致.当手征对称是一种近似的对称性时,得到了轴矢流部分守恒.     

手征介质与陈绝缘体界面附近原子的自发辐射研究

对手征特异材料介质与陈绝缘体材料界面附近二能级原子的自发辐射特性进行了研究.推导计算了手征介质界面及其与陈绝缘体材料界面的反射系数矩阵,并根据并矢格林函数求得此环境下二能级原子自发衰减率的表达式.对手征介质和陈绝缘体材料特性参数影响下的原子自发辐射进行了数值计算,分别对平行和垂直于界面的偶极子自发衰减率进行讨论,并对辐射模式和消逝模式下的自发辐射进行了分析.结果表明,由于手征参量的存在,手征介质界面附近的原子自发衰减率与普通介质相比被增强.陈绝缘体则使得界面附近原子的自发辐射被明显抑制,且当手征参量较大时,陈绝缘体的抑制效应更加显著.     

原子核是否存在手性

手征对称性在自然界中广泛存在,如人类的手,某些化学和药物分子以及海螺壳等都有手征性,原子核中的手征对称性概念于1997年提出,随后成为核物理研究之中的热点问题,文章简要介绍了原子核中的手征对称性概念,以及如何判断原子核中的手征对称性破缺,回顾了最新的理论和实验研究进展,并对未来理论和实验方面所需解决的问题进行了简单小结.     

双层金属线平面手征结构的强旋光性和负折射率研究

提出一种由四重对称的金属线构成的双层平面手征结构,并对两层金属线之间旋转角θ和介质层厚度h进行了优化. 数值模拟结果显示,在一定的θ和h下,该结构在近红外波段具有极强的旋光性和大的手征参数,且在一定的波段范围内具有负折射率. 关键词： 手征介质 旋光性 手征参数 负折射率     

在有限温度下手征孤子的消失与手征相变

本文探讨了手征孤子模型的高温行为,计算并分析了热效应对手征孤子解及Fermion对凝聚的影响,提出了关于退禁闭相变温度低于手征相变温度的一种可能的物理机制.     

在(2+1)维手征Gross-Neveu模型中有限温度的Ward-Takahashi恒等式和手征相变

本文导出了(2+1)维手征Gross-Neveu模型在有限温度下的手征Ward-Takahashi恒等式.根据手征Ward-Takahashi恒等式讨论有限温度下费米子质量的质量谱.利用费米子的动力学质量为序参量讨论了相结构和手征相变,给出了相变的临界温度.     

Ernst方程的主手征形式与自对偶Yang-Mills场方程

指出Ernst方程可以化为主手征形式, 讨论了轴对称自对偶杨-Mills场(SDYM)与Ernst方程以及主手征形式的关系. 并对H-变换在Ernst方程中的对应作了讨论.     

椭圆波束对非均匀手征分层粒子的俘获特性研究

非均匀手征分层粒子的俘获特性研究在化学工程、生物医药、光镊、微纳米加工等领域都有着重要的应用.为了有效地俘获及操控手征分层球形粒子,本文对椭圆高斯波束照射下手征分层球形粒子的辐射俘获力展开研究.从广义米理论出发,将入射椭圆高斯波束用矢量球谐函数展开,根据波束散射理论及电磁场动量守恒定理,得出椭圆高斯波束对手征分层球形粒子辐射俘获力的级数表达式,并对椭圆高斯波束入射分层手征细胞时的轴向及横向俘获力进行了数值模拟,讨论了手征参数、极化状态、束腰宽度、损耗以及最外层厚度对俘获情况的影响.研究表明:手征参数的引入会降低非均匀手征粒子的轴向俘获特性,但是选择合适的极化态入射时,可以有效地实现对非均匀手征粒子的稳定俘获.对于内层损耗小的手征多层球形粒子,当内层折射率大于最外层时,最外层厚度大的非均匀手征粒子在光轴上更容易俘获;反之内层折射率小于最外层时,最外层厚度小的粒子在光轴上有更强的束缚;同时与传统圆高斯波束相比,椭圆高斯波束的强会聚性更容易实现对非均匀手征分层细胞的三维俘获,具有良好的应用前景.     

最新科技动态

手征性介观多孔硅的合成及特性手征性广泛地用来描述有机材料,特别是生物分子、蛋白质等.但无机材料中大尺度手征性则很少见.最近中外科学家合作报道了在表面活化板上合成手征性介观多孔硅的结果及电镜结构分析,他们制备的材料具有螺旋六角棒状形态,直径130nm～180nm,长1nm～6n     

手征–夸克耦合与双重子结构

运用SU(3)手征夸克模型,系统地研究了H,d*和d＇三个六夸克体系的结构,分析了SU(3)手征场和矢量耦合禁闭势等非微扰效应对三种六夸克态能量的影响.结果发现,SU(2)手征场的耦合,对形成六夸克态是有利的,但是扩大到SU(3)手征对称,则由于这些手征场的“云”,对六夸克系统形成束缚的双重子态起到了限制的作用,矢量耦合禁闭势有利于H的形成,而对d*则相反.     

FST模型中核物质的不可压缩系数

FST模型是近来提出的一个具有手征对称性的核模型.用它研究了零温及有限温核物质的不可压缩系数.并与其它模型得出的结果进行了比较.     

QCD手征对称性动力学破缺的有效势研究

本文从无质量夸克的QCD拉氏量出发, 引入双线性外源, 导出了作为复合算子(夸克传播子和胶子传播子)泛函的有效势表示. 从而得出传播子的Dyson-Schwinger方程. 方程具有两组解, 一组解保持手征对称性, 另一组解使手征对称性自发破缺. 通过讨论方程的渐近解, 发现当耦合常数α>1/4时, QCD手征对称性将自发破缺; 当α<1/4时QCD手征对称性仍然保持. 利用求得的夸克自能的渐近行为和f_π介子衰变常数fπ的实验值, 估计了夸克产生的动力学质量和用其它理论方法与实验方法估计得的夸克质量相符, 并对结果进行了讨论.     

π0介子寿命的实验研究

QCD(Quantum Chromo Dynamics)手征反常理论主导了π0介子到两个 γ 光子的衰变.基于手征反常理论和手征微扰论的修正,对π0介子寿命的理论预测精度高达1％.高精度实验测量π0介子的寿命可以严格检验低能区的QCD理论和手征微扰论.本工作重点介绍了三种测量π0介子寿命的实验方法:直接测量法、双光子反...     

由3个不同的初始手征角给出的初次迭代后的自洽手征孤子解（英文）

利用3个不同的初始手征角,给出了重子数为1的体系的平均场方程的一次迭代后的解,以此研究哪一种手征角可以令平均场方程的解的自洽性更快地达到。对于不同的初始手征角,发现经过第一次迭代后,指数形式的手征角给出的结果比别的手征角更接近自洽解的形状。     

拓扑绝缘体和手征介质界面的Goos-Hnchen位移和Imbert-Fedorov位移

研究了线极化波在拓扑绝缘体和手征介质分界面上全反射时的Goos-Hnchen(GH)侧向位移和Imbert-Fedorov(IF)横向位移特性.使用修正的能流法推导出各位移表达式,数值计算分析了入射角、拓扑磁电耦合效应、手征性等对位移的影响.结果表明,当TE波入射时,拓扑绝缘体的磁电耦合效应或手征介质的手征性对两种位移的影响较为一致,即拓扑磁电耦合对GH和IF位移均为抑制,手征性对位移基本为单调增强或单调抑制.而TM波入射时,拓扑磁电极化率会使位移先增大后减小,位移存在一个极值,手征参数的增大使该极值向拓扑磁电极化率较小值方向移动;手征参数对位移的影响虽基本上是单调性的,但在某些情况中较为特殊,如右旋圆极化波的GH位移在拓扑磁电极化率对位移增强阶段,手征性也将增强位移,而在拓扑磁电极化率对位移抑制阶段,手征性也同时抑制位移.对拓扑绝缘体和手征介质界面GH和IF位移的研究,为测量拓扑磁电耦合特性及手征电磁交叉极化性质提供了一种光学方法.