液相外延生长InGaAsP超薄层

本文叙述了600℃低温液相外延和两相溶液法生长InGaAsP/InP超薄层及其特性研究。四元外延层的厚度、光荧光峰值半宽、过渡区陡度分别为～63nm,22.8meV,～11nm。四元层与衬底间失配度为+0.3‰。     

Ge在GaAs液相外延中的行为

本文用霍耳、SIMS、电化学C-V和光致发光等方法,研究了在550℃至950℃生长温度范围内 LPE GaAs中Ge的分凝行为以及占Ga位Ge原子与占As位Ge原子的占位比.得到Ge的分凝系数随生长温度降低而增大,占位比Ge_(Ga)/Ge_(As)随生长温度降低而减小.     

非平面GaAs衬底上的液相外延

本文介绍在刻有沟槽的GaAs衬底上生长双异质结构的非平面液相外延工艺。我们通过控制过冷度,防止因回熔吃掉沟槽的方法,采用新的改进型挤压式石墨舟,已用控温精度不高(±1℃)的外延炉在刻有沟槽的GaAs衬底上,用一次液相外延的方法成功地生长出了表面光亮、层次清晰、厚度均匀的外延片。用这种外延片制作的SCP DH激光器阈值电流低达29mA。并在2—25倍I_(th)下和10—15mW的功率范围实现室温基横模和单纵模工作。     

掺氧液相外延GaAs的拉曼光谱

本文报道了掺氧液相外延GaAs材料的拉曼光谱测量结果.观测到体内晶格振动的LO与等离子激元的耦合模L_+和L_-以及表面耗尽层的LO,2TO和2LO.在2.7 ×10~(12)cm~(-3)-5.6 × 10~(12)cm~(-3)的电子浓度范围内,实验结果与理论计算结果是一致的.     

GaAs单晶外延层薄膜厚度的X射线测定法

利用X射线动力学衍射的结果,通过GaAs单晶Ga、As的K-吸收限特性在带有单晶附件的X射线衍射仪上测定GaAs单晶外延层薄膜厚度。     

液相外延生长过程中外延层厚度的卷积计算方法

讨论了液相外延生长过程中外延层厚度与生长条件的关系.在生长速率决定于溶质扩散的前提下,推导出了外延层厚度的卷积表达式.利用这一表达式,可以得出不同液相外延工艺中外延层厚度与生长时间、冷却速率的关系.并且,外延层厚度的卷积算法可以应用于更为复杂的生长条件,例如:非均匀的降温速率、非线性的液相线形状以及有限的生长溶液等.     

p型掺杂GaAs液相外延材料的光致发光研究

对Si掺杂和Zn掺杂p型GaAs液相外延材料进行光致发光研究。用发射波长为510.6nm和578.2nm的溴化亚铜激光器为激发光源,样品的低温由氦循环致冷机提供,样品室温度在10～300K中可调。在所选取的狭缝宽度下谱仪的分辨率大致为2nm,所提供的数据全部经过系统灵敏度校正并进行分峰拟合。对Si掺杂p型GaAs样品PL谱中一些主要特征进行讨论,认为A_1,A_2,A_3三个发射带分别对应着导带“尾”态中电子向价带和两个浅受主能级的跃迁,它们随温度变化的情况,和带隙宽度及电子填充状态随温度变化有关。此外,我们还观察了掺Zn的p型GaAs样品的PL谱,与掺Si样品比较,具有明显不同的特征,谱线在长波端(～950nm)的上扬趋势表明在低能区域可能存在一个与深能级复合有关的宽发射带。     

液相外延生长GaAs微探尖刻蚀剥离技术研究

介绍一种用于扫描近场光学显微术(NSOM)传感头的GaAs微探尖的生长剥离技术.通过SiO2掩膜窗口,利用一次选择液相外延制备周期性阵列的GaA微探尖.在GaAs衬底与GaAs微探尖之间引入AlGaAs层,并对窗口大小的AlGaAs层进行选择腐蚀,将单个GaAs微探尖从GaAs衬底上剥离下来.扫描电子显微镜显示的结果表明,此微探尖具有金字塔结构、表面光滑凡转移过程无损伤.这种技术制备的GaAs微探尖的形貌与质量主要由晶体的结构决定,具有可重复,表面光滑、适合批量生产的优点.     

选择液相外延法制备GaAs SNOM微探尖

使用GaAs(001)衬底模拟垂直腔面发射激光器(VCSEL)外延片表面,采用选择液相外延技术在其上面制备了用于超高密度光存储的扫描近场光学显微术GaAs微探尖阵列,并用扫描电子显微镜对微探尖阵列进行了表征.结果表明,在合适的条件下,微探尖呈金字塔状,并且有着较好的分布周期性.这对解决微探尖与VCSEL出光窗口的对准问题、批量制备问题和实现多探尖并行扫描具有实际应用价值.     

选择液相外延法制备GaAs SNOM微探尖

使用GaAs（001）衬底模拟垂直腔面发射激光器（VCSEL）外延片表面，采用选择液相外延技术在其上面制备了用于超高密度光存储的扫描近场光学显微术GaAs微探尖阵列，并用扫描电子显微镜对微探尖阵列进行了表征．结果表明，在合适的条件下，微探尖呈金字塔状，并且有着较好的分布周期性．这对解决微探尖与VCSEL出光窗口的对准问题、批量制备问题和实现多探尖并行扫描具有实际应用价值．     

GaAs—GaAlAs双异质结发光二极管的液相外延工艺

液相外延(LPE)已成为生长高质量Ⅲ—Ⅴ族半导体外延层的一种实用的技术。本文叙述了该实验的液相外延系统、外延工艺和实验结果,并对有关的工艺和实验结果进行了讨论。     

GaAs—GaAlAs液相外延生长层表面形貌的探讨

一、引言随着光纤通讯和集成光学的飞速发展,GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs液相外延技术也得到了很大的进展,并成功地研制出了寿命六百万小时的半导体激光器及种类繁多的集成光学器件。在液相外延的过程中,首先展现在人们面前的是外延片表面生长的情况,光滑平整的表面形貌不仅增加了外延片的美观,给制管工艺〈诸如光刻、扩散、掩膜、蒸发等〉带来了很大方便,而且生长层表面的好坏也直接反映着外延片内部的生长情况。一般说来,表面形貌好的外延片内部生长也好,反之,表面形貌生长不好的,外延片内部生长也不好。判断表面生长情况好坏可以直接观察其表面有无析出物,生长台     

在GaAs衬底上液相外延生长层质量的研究

本文初步研究了在(100)n—GaAs衬底上液相外延生长GaAs外延层厚度与生长Ga溶液厚度、生长时间、初始过冷度、降温速率的关系,以及影响外延层厚度均匀性的因素。实验指出了在GaAs上液相外延生长Ga_(1-x)Al_xAs层,随着Al含量X值的增加在室温下用X射线单晶衍射仪测得的GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs系统的晶格失配增加,但是异质结界面附近的失配位错非常小,几乎与X值无关;而在GaAs上生长Ga_(1-x)Al_xAs_(1-y)P_y外延层,可得到室温下晶格失配非常小的GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs_(1-y)P_y系统,但是异质结界面附近的失配位错却非常大,在室温下异质结界面是不匹配的。用熔融KOH腐蚀外延层中位错发现,一部分位错是由衬底位错引入的,而大部分位错是在外延过程中引入的。在现有条件下,可以生长出几平方毫米面积较大区域的无位错外延表面,但大部分最终表面层位错密度比衬底位错高几倍或十几倍。     

蒸汽压控制温差液相外延法

本文介绍了一种用于Ⅲ一Ⅴ族半导体化合物生长的新的液相外延法——蒸气压控制温差液相外延法。该方法的特点在于在生长系统中引入适当的Ⅴ族元素蒸气压以抑制Ⅴ族元素空位的产生;外延生长由母液中的温度梯度来维持;生长过程中衬底温度保持恒定,且生长温度大大低于普通液相外延法。将该方法用于GaAs液相外延获得了高质量的外廷层,其室温非有意掺杂载流子浓度小于2×10~(15)/cm~3,电子霍耳迁移率大于6000cm~2/v·sec,位错腐蚀坑密度可低至470/cm~2。     

GaAs的高纯外延生长

1.引言由于 GaAs 的迁移率比 Si 和 Ge 大,而且禁带宽度也大,所以它可以制作高频,耐高温,大功率的器件。在汽相外延中,由于可在低于液相外延的温度下生长晶体,所以可制得含杂质少的高纯晶体。如果获得高纯晶体,不仅迁移率高而,且由于能调节生长中的掺杂量,使能生长出具有任意电阻率的晶体。另外,在现在的 GaAs 中,也与 Si 一样,可采用光刻,多     

液相外延GaAlAsP/GaAs结构的晶格匹配和失配位错

本文通过对GaAlAsP—GaAs结构的晶格失配的测量,及其X射线形貌相观察,分析了该结构晶格匹配的机理。根据实验测量和观察指出,在GaAlAs—GaAs结构的GaAlAs层中适当加入少量P,组成的GaAlAsP四元系统,在室温下虽然可以和GaAs衬底达到很好的晶格匹配,起到应力补偿作用,但在异质界面上却引入了大量的失配位错,并对此失配位错的产生机理进行了简单的叙述。     

液相外延生长过程中外延层厚度的卷积计算方法（英文）

讨论了液相外延生长过程中外延层厚度与生长条件的关系。在生长速率决定于溶质扩散的前提下,推导出了外延层厚度的卷积表达式。利用这一表达式,可以得出不同液相外延工艺中外延层厚度与生长时间、冷却速率的关系。并且,外延层厚度的卷积算法可以应用于更为复杂的生长条件,例如:非均匀的降温速率、非线性的液相线形状以及有限的生长溶液等。     

外延GaAs平面Hall器件

本文讨论了用GaAs液相和汽相材料制备的Hall器件.在内阻为1kΩ时得到的灵敏度为30mV/mA·kG,温度系数为0.01％/℃,并可工作在-50-+250℃的温区.还讨论了掺Cr高阻衬底、外延层质量及制作工艺对器件质量的影响.