超导转变温度T_c的测量

临界温度T_c,临界磁场H_c和临界电流密度J_c是表征超导体的三个主要参数,在探索高温超导体的途径中,测定T_c也是一项重要的工作。通常,用电阻法和电感法测量T_c。电阻法是根据试样中电阻减小为零来测量,而电感法是基于超导体的迈斯纳效应。本文着重介绍一套利用电感法测量超导体临界温度T_c的装置。采用数一模转换器由X-Y记录仪直接描绘超导转变曲线,观察超导转变过程。一套由DWT-702改装的恒温控温装置,可作4.2—20K的定点测量。整个装置操作简单、控制容易,精确度较高,为大量探索高温超导体提供了有利条件。     

一个新的T_c公式

从Eliashberg方程导出了一个适用于λ小的超导体的T_c公式。     

高T_c Y-Ba-Cu-O系超导涂层

用等离子喷涂方法得到了液氮温区超导涂层,其起始转变温度为101K,零电阻温度为86K;涂层主要相组成为YBa_2Cu_3O_(9-δ)单相化合物,与同样原料配比制备的烧结块体性能相近。涂层致密,连通性好,可以作为一种超导电气元件制作工艺。     

超导材料的各向异性特征与超导转变温度T_c

在本文中,以电声子机制超导电性理论为基础,用电负性均衡原理研究了由于超导材料的各向异性引起的电子态密度分布的不均匀性,晶格稳定性的差异性及超导材料中元素成键特征对超导转变温度影响的特征,提出了在各向异性的超导材料中电声子机制可以产生高的超导转变温度Tc.     

高T_c超导材料的结构象

自从发现了高Tc超导氧化物以来,人们纷纷用各种方法研究它们的晶体结构.七十年代发展起来的高分辨电子显微术,给人们提供了直接观察晶体结构的手段.图1是超导转变温度为90K的Y-Ba-Cu-O化合物的高分辨电子显微象,是我们用JEM-200C X高分辨电子显微镜拍摄的.电子加速电压为200kV.Y-Ba-Cu-O化合物属正交晶系,晶胞参数a=0.389um,b=0.382nm,c=1.166nm.晶体沿c方向的周期均为a方向的三倍,具有类钙钛矿型超结构.图2给出了该晶体的结构模型. 图1所示的高分辨电子显微象是用楔状晶体拍摄的.图1的上端对应于楔状晶体的薄区,晶体厚度约为几个nm,…     

高T_c超导π环的自发磁化

分析和计算了Tsuei三晶实验中有一个结是π结的三结π环的自发磁化 ,发现与单结π环明显不同 ,当 β =2πLIc 0 趋于零时 ,环中仍有自发磁化 .详细计算表明随温度下降 ,β值增大 ,自发磁化磁矩很快上升并趋于0 2 .很好地说明了Tsuei的自发磁化温度曲线 .     

非晶态超导体转变温度T_c的经验公式

本文提出一个非晶态非过渡金属超导体的T_c经验公式,T_c=Aλ<ω>~(1/2)/(<ω>/ω_0+(1+λ)/20),式中A=(1/5)~(K~(1/2))。计算值和实验值,以及和Garland理论值的比较表明,T_c经验公式能很好地描述非晶态超导体的T_c值。     

高T_c氧化物超导薄膜的分子束外延研究综述

高临界温度（Ｔｃ）氧化物超导体的研究日新月异。作为高Ｔｃ超导研究重要组成部分的氧化物超导薄膜物理和技术也得到了飞速发展。分子束外延（ＭＢＥ）作为一项高级精密的真空镀膜技术,也跟其它镀膜技术一样,在高Ｔｃ超导薄膜的研究中发挥了独特的作用并取得了许多重要成就。本文结合作者近年来在高温超导体ＭＢＥ研究方面的工作,对这一新兴领域的进展和概况作一综述性介绍,并对该领域未来的发展作一些展望     

超导Fresnel公式及其应用

本引入两个位函数Пｓ和Пｓ＾＊，导出了超导的导波方程及其在谱域中的表达式，推导和扩充了Ｆｒｅｓｎｅｌ’ｓ公式的内容，使之成为研究超导体界面电磁特性的有力的数学工具，并用它对ＳＩＳ结构和ＩＳＩ结构进行了讨论，求解了常规金属在高低温下的表面阻抗及超导体的表面阻抗。     

超导临界温度严格公式的探讨

近来Allen和Dynes对Eliashberg方程重新进行了数值分析,并提出了一个新的T_c公式。他们先就Einstein谱的情形,在一级和二级近似导出了T_c的一个渐近公式。在二级近似下,T_c=0.180λ~(1/2)ω_E,当λ>10,μ*=0时,其中λ是电-声子耦合常数,μ*是库仑赝势。然后把ω_E换成〈ω~2〉~(1/2),     

超导临界温度级数公式的应用

从超导临界温度级数公式(1)出发,得到了B类超导体同位素效应的表达。在μ^*=0及μ^*≠0时,我们得到了T_c上限的级数表达式,其结果与数值解符合甚好。最后,在μ^*=0时,讨论了T_c与各种谱参数的关系。由级数表达式可以清楚地看出,当固定不同参数时,T_c的行为完全不同,从而统一解释了不同作者关于声子谱对T_c影响的不同结论。我们着重指出,在大多数情况下,级数公式(1)仅取前两项,可作为数值解的很好近似,从而大大简化了级数公式。预计可以由此简化公式出发研究其它问题。 关键词：     

超导临界温度级数公式系数的改进

本文报道用λ较小的数值解确定出的超导临界温度级数公式的系数,在较小λ值范围内,它与数值解拟合较好,同时也适用于大的λ值。 关键词：     

微波辐照下超导隧道电流公式

本文利用Keldysh与Larkin及Ovchinnikov等人发展的非平衡格林函数方法推导了在微波辐照下,超导隧道结的准粒子电流与Josephson电流公式,求得准确到微波场二次项的结果,并简要讨论了微波辐照的影响。     

超导微带条电感的解析公式

本文从能量出发,利用文献[3]计算的磁场值,求得一个有限宽度、有限厚度超导微带条电感的解析公式.结果表明,与数值计算值相差不超过1.6％.     

归一有效声子谱谱形对超导临界温度T_c的影响

作者设计了一个图分析法,用来分析Eliashberg方程的数值解。从这个分析,得到如下结论:硬化归一有效声子谱g(ω),可使超导材料的T_c提高。而g(ω)软化,只能提高小λ超导体的T_c。     

超导微带条电感解析公式的改进

本文从分析零级近似电感所引起的误差入手,发现当h/p>1和w/p>1时,应采用高级近似磁场值计算电感,结果获得一个更精确的电感解析公式.     

非传统超导PuCoGa5晶体结构和电子性质的密度泛函理论研究

基于密度泛函理论的全势能线性缀加平面波方法（FLAPW）,采用局域自旋密度近似（LSDA）及LSDA+U方法报道了Pu基超导体系PuCoGa₅的晶格参数,原子占位和电子性质.LSDA+U方法不仅考虑Pu-5f而且考虑了Co-3d的库伦排斥作用U和Hund交换相关作用J.结果表明LSDA+U在同时考虑Pu和Co的强关联作用时晶格参数和原子占位与相关理论和实验数据吻合较好,特别是PuCoGa₅中Pu-5f的强定域特征尤其是自旋向下的电子.此外,Pu-5f与Co-3d电子的轨道杂化明显强于Ga-4p电子.     

高T_c氧化物超导体

自从1911年 Onnes 发现超导体以来,由于 Müller,朱经武,赵忠贤等发现,氧化物超导体,从而突破了超导转变温度以每年提高大约零点三度的缓慢进程(见图1),把液氮温区超导的梦想变成了现实,引起了社会的极大关注,在全世界形成了一股强大的超导热潮.     

超导转变前不同温度下的BiSrCaCu_2O_y高T_c超导体的EPR

实验上研究了BiSrCaCu_2O_y高T_c超导体在超导转变前不同温度下的电子顺磁共振(EPR),发现有两个具有不同的随温度变化规律的 EPR 信号存在于该样品中,其中一信号随温度升高逐渐向高场移动,相应的朗德因子 g 值从115K 时的2.78减少到310K 时的2.24,而另一信号基本上不随温度变化而变化,相应的朗德因子 g 值接近于自由电子的 g_e 值(～2.003),文中就上述现象进行了讨论.     

关于交流四引线电阻法测量超导转变温度T_c及其机理的探讨

本文对“用交流四引线电阻法测量转变温度Tc——连续超导体出现多相转变台阶”一文报道的典型实验曲线中各转变台阶所包含的物理信息进行了进一步的分析、测量及计算,并描述了几个判别性实验:由此得出结论:样品自感所产生的感抗以及由于超导交流损耗和超导线母材等原因产生的阻抗是该法能测出连续多相Tc的主要原因.