FED发展概述

本文介绍了场致发射显示器的原理和特 及美国，日本等国ＦＥＤ的生产和研制进展情况。     

CNT—FED阴极结构的高精度制作工艺

碳纳米管（CNT）场致发射的阴极结构通常用丝网印刷和光刻的工艺制作。此工作中，为提高制作精度和降低制作成本，用现有的CNT层作底部曝光的掩模版，用感光性介质浆料将电介质上的孔精确地直接制作在CNT发射体之上，从而避免了烧结收缩和光刻偏移引起的误差，本文以10＂一般三级结构的FED作为例子说明此工艺。     

FED发展概述

本文介绍了场致发射显示器(FED)的原理和特性,以及美国、日本等国FED的生产和研制进展情况。     

真空微电子平板显示器（FED）进展述评

本文描述了场致发射阵列平板显示器（ＦｉｅｌｄＥｍｉｓｓｉｏｎＤｉｐｌａｙ）工作原理，和其他平板器件性能的比较，关键技术及未来市场发展前景。     

提高FED器件发光均匀度

发光均匀度是FED器件的一个重要的技术参量；本文介绍了对于FED器件发光均匀度的新测量方法及提高FED器件发光均匀度的新方法。     

FED的开发与问题

依据１９９７年的报道，以美国制造商为中心的ＦＥＤ产业已经开始着手推行。ＦＥＤ是否会成为ＬＣＤ与ＰＤＰ的竞争对手？本文将介绍ＦＥＤ的基本结构与现阶段的开发状况及未来实用化的可能性。     

真空微电子平板显示器工艺研究

本文介绍了我们最近开发的真空微电子平板数码管工艺，主要包括阳极支柱的制作和平板透明真空封装。     

柔性平板显示器

虽然在柔性平板显示器方面还有很多工作要作，但该技术为全新的显示器及其相关产品展现了激动人心的可能前景。     

真空微电子器件应用研究

本文叙述了场致发射的机理及几种不同类型场致发射阴极的特点,并对场致发射技术在真空微电子器件方面的应用进行了分析.     

真空微电子微波管

本文在扼要地提及真空微电子学的主要进展（如：场发射阵列，场发射显示器和微波毫米波器件等）后，主要叙述了发展真空微电子微波管的主要内容，问题及其意义，场发射阵列的三个重要特点（冷阴极，高发射能力和栅极控制）可用于发展新一代的高频率，高效率，高功率，超小型和长寿命的面向２１世纪的高性能微波管：真空微电子微波管，双栅极场发射阵列，电子流的形成与维持，与其相匹配的互作用电路，特殊的器件结构和相关的制管工艺     

集成真空微电子器件的研究及展望

概述了集成真空微电子器件的基本理论、特性、工艺制备及发展现状。现在集成真空场发射阵列的发射电流密度可做到1×10~3A/cm~2,单个锥尖跨导为5.0μS。对于锥尖密度为1×10~7锥尖/cm~2,总跨导可以达到50S/cm~2。一种新的采用真空微电子技术的微带放大器,在频率1THz 下能输出功率1～50W。指出真空微电子技术将是设计和制备新型亚微米器件的有效方法。     

真空微电子器件的特点及新制造技术

本文介绍真空微电子器件的特点和最近开发出来的新制造技术。     

场发射真空微电子二极管结构与性能关系研究

本文讨论了场发射真空微电子二极管的工作原理与结构性能关系     

用硅片键合技术制备真空微二极管

本文简述了场发射真空微二极管的工作特点、结构参数设计考虑及制备工艺技术，对键合法制备的样品进行了测试分析：起始发射电压５～６伏，反向击穿电压大于７０伏发射在田极电压为２０Ｖ时达０．５ｍＡ。     

真空微电子器件的数值模拟

本文介绍了一种对真空微电子器件进行电特性数值模拟的有限差分法。计算了场致发射电流与锥体的曲率半径ｒ＿（ｔｉｐ）、锥体半角度θ＿（１／２）、栅孔半径ｒ＿ｇ和锥体高度ｈ的依赖关系。栅压Ｖ＿ｇ＝１００Ｖ，锥体发射阴极对曲率半径ｒ＿（ｔｉｐ）、栅孔半径ｒ＿ｇ的电流灵敏度分别是３．７×１０￣７Ａ／ｎｍ和１．１×１０￣３Ａ／μｍ。     

简述拼接显示

尽管玻璃基板尺寸不断增大,但是单块整屏并没有突破目前的尺寸。拼接显示则提供了完美的解决方案,使远视距、高背景光环境下的大面积显示成为可能。下文是对拼接技术的综述。