采用Lennard-Jones原子间势研究(C60)N分子团簇的结构演化行为

采用描述原子间相互作用的Lennard-Jones势来描述C₆₀分子间的相互作用,考虑了每个C₆₀分子的一定位置取向,并采用最速下降法计算了IH,fcc,hcp,DH及SC五种典型结构满壳层(C₆₀)_N团簇(N<2000)的能量.结果显示:当尺寸较小(N<20)时,IH结构最稳定;当尺寸处于中等(50<N<300)时,HCP结构最稳定;当尺寸较大(300<N 关键词： 60团簇')" href="#">C₆₀团簇 取向 最速下降法 结构演化     

C60单晶生长及特性的研究

用气相生长法生长了最大线度约为１．５ｍｍ的C₆₀单晶。单晶Ｘ射线衍射分析结果表明，该C₆₀单晶为ｆｃｃ结构，晶格常数为１．４１３ｎｍ，在２５１Ｋ附近与相变有关的电导率的尖锐跳变表明，C₆₀单晶具有很高的纯度和良好的均匀性。观察到在２７４Ｋ附近激活能的变化，这可能是另一个相变的反映。 关键词：     

基于激发态吸收的C60分子全光开关特性研究

用５３２．０ｎｍ的脉冲Ｎｄ：ＹＡＧ激光作为泵浦光，７４７．０ｎｍ的连续半导体激光作为探测光，在Ｃ₆₀甲苯溶液中，利用Ｃ₆₀分子的三重态－三重态非线性吸收效应，获得Ｃ₆₀分子的全光开关和全光调制特性，并用速率方程进行了动力学数值模拟，得到与实验相一致的结果。 关键词：     

C60介质反饱和吸收动力学

采用速率方程理论研究C₆₀分子实现反饱和吸收的动力学过程,以YAG倍频调Q脉冲激光照射C₆₀甲苯溶液,实验验证了理论模拟的正确性。还分析了分子各能级对反饱和吸收的贡献以及不同激光波长和脉宽对反饱和吸收的影响。 关键词：     

C60分子晶体中的类非晶散射研究

根据Ｘ射线衍射基本理论，计算了Ｃ₆₀分子晶体中的各种堆积方式下的Ｘ射线衍射花样，对Ｃ₆₀分子晶体中的类非晶散射产生的原因进行了探讨，指出在Ｃ₆₀分子晶体中，Ｃ₆₀分子有两种运动方式．非晶散射是Ｃ₆₀分子晶体固有结构特征所造成的 关键词：     

C60分子瞬态全光开关

本文以YAG脉冲激光为控制光,He-Ne连续激光为信号光,在C_(60)甲苯溶液中首次实现瞬态全光开关.由光开关时间推断出C_(60)分子三重态的寿命.     

高压低温下固体C60中的取向有序态及再取向的弛豫行为

通过构造C₆₀分子间的相互作用，研究了高压下及玻璃化转变温度附近固体C₆₀的取向状态占有概率分布及再取向的弛豫行为，所得结论均能较好地解释热导率实验中的异常现象. 关键词：     

C60分子电子激发态结构的理论研究

C₆₀分子有较丰富的分子键轨道,同时C₆₀分子离子是稳定存在的,因此预期C₆₀分子的里德伯轨道也是稳定存在的。本文在独立电子近似的基础上,应用多重散射自洽场方法,从理论上统一自洽地探讨了C₆₀分子的分子键轨道和分子里德伯轨道的能级结构。这些轨道能级结构在独立电子近似的层次上模拟了C₆₀分子的电子结构。所得结果和已有的理论和实验结果进行了比较和分析,说明本文结果是自洽合理的,并和已有的实验值符合良好 关键词：     

C60分子电子性质的理论研究

根据C₆₀分子的结构特征,构造了电子的局域波函数,在该函数表象下计算了电子格点之间的跳跃能量.对不等性sp³杂化,通过优化计算,当有效核电荷数Z=1.112时,得到的能隙(最低未占据轨道(LUMO)与最高占据轨道(HOMO)之间的能量差)、能带宽度以及电离能阈值分别为1.70eV,12.19eV和8.13eV.这与实验结果符合得较好.与之相应的电子跳跃能量是：最近邻分别为-2.299eV,-2.113eV;次近邻分别为0.103eV,0.170eV;三近邻分别为 关键词：     

C60中非线性激发的动力学研究

用电子－晶格耦合的紧束缚模型和求解实时牛顿动力学方程的方法研究了Ｃ₆₀受光激发后的动力学过程，得到了受光激发后Ｃ₆₀分子的能量，键结构和电子状态的动态演化，结果表明光激发Ｃ₆₀分子演化成环状双极化子激子。该计算结果与中性富勒烯材料的荧光实验所得出的结论一致。 关键词：     

C60/C70晶体形貌的研究

采用电弧法制备了C₆₀/C₇₀,并用光学显微镜、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对其结晶形貌进行了研究。研究结果表明,C₆₀/C₇₀晶体依平面状长大方式生长,最终长成规则的四边形,五边形和六边形晶体。 关键词：     

C60单晶价带色散的同步辐射光电子谱研究

测量了C₆₀单晶(111)解理面法向发射的角分辨光电子谱.利用同步辐射光源研究了对应于分子轨道HOMO及HOMO-1的能带的色散关系.实验观察到HOMO和HOMO-1能带在Γ—L方向存在明显的色散,最大色散分别为027eV和042eV.色散曲线与理论电子结构基本符合. 关键词：     

原子无序起伏对C60的影响

用高斯型分布的独立无规参数模拟起因于热涨落等原因的格点原子无序起伏，并用对大量彼此独立的原子无序起伏方式采样取平均的方法，研究了原子无序起伏对光激发和电子转移C₆₀的键长和格点电子密度分布的影响．得到了C₆₀中键长和格点电子密度相对于原子无序起伏强度、额外电荷数目和种类的分布曲线．发现：1）在C₆₀的长、短键之差等于0.0044nm，格点原子无序起伏强度为0—0.01nm时，C₆₀中的二聚化结构仍然存在．2）在格点原子 关键词：