退火α—Ge／Cu叠层膜中输运性质的反常

本研究了退火α－Ｇｅ／Ｃｕ（α－Ｇｅ是非晶体态Ｇｅ）叠层中输运性质，获得以下新的结果：（１）α－Ｇｅ／Ｃｕ室温电阻Ｒ３００Ｋ与退火温度Ｔα之间关系出现反常；（２）α－Ｇｅ／Ｃｕ在退火过程中既出现互扩散，又存在固相反应和多相晶化；（３）实验首次发现在α－Ｇｅ／Ｃｕ膜中的分形现象，相应于分形结构，电阻率出现极小。     

退火a-Ge/Pb叠层膜的扩散机制与电阻率的反常行为

研究了a-Ge/Pb叠层膜不同温度下退火的行为,得到:PB诱导a-Ge晶化;发现a-Ge/Pb叠层膜在退火互扩散过程中存在两种扩散机制;对a-Ge/Pb为200nm/100nm的叠层膜,在退火互扩散中择优取向的Pb膜出现重新结晶。解释了退火过程中叠层膜电阻率的反常行为。     

退火a－Ge／Cu叠层膜中输运性质的反常

本文研究了退火ａ－Ｇｅ／Ｃｕ（ａ－Ｇｅ是非晶体态Ｇｅ）叠层中输运性质，获得以下新的结果：（１）ａ－Ｇｅ／Ｃｕ室温电阻Ｒ３００ｋ与退火温度Ｔａ之间关系出现反常；（２）ａ－Ｇｅ／Ｃｕ在退火过程中既出现互扩散，又存在团相反应和多相品化；（３）实验首次发现在ａ－Ｇｅ／Ｃｕ膜中的分形现象，相应于分形结构，电阻率出现极小．     

退火Ge/Fe多层膜的固相反应与磁性

研究并发现在退火Ge/Fe多层膜中表面的晶化和生成化合物的温度均高于内部,并仔细探讨了Raman谱的反常,研究了在退火过程中物相变化与磁性的关系. 关键词：     

叠层扩散层对质子交换膜电解池性能影响的实验研究

质子交换膜电解水制氢技术的发展受到成本的约束。通过提高电流密度以提高单位质子交换膜电解池的氢产量可以降低单位应用成本，但高电流密度下电解池内部传质过电势的升高会导致制氢效率的下降。本文从降低质子交换膜电解池在高电流密度下的传质过电势入手，设计了有利于传质的“钛毡–钛网”式叠层扩散层结构，并进行对照实验分析了不同扩散层结构对电解池性能的影响规律。实验证明，钛毡叠加30目钛网的叠层扩散层结构可以使高电流密度(5 A/cm²)下的传质过电势降低至0.25 V(与钛毡或30目钛网作为扩散层相比，传质过电势分别降低了0.24 V与0.55 V)，本项工作也为后续扩散层结构的优化提供了思路。     

快速热退火引起的GaAs／AlGaAs双量子阱中铝原子的扩散研究

用分子束外延生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ双量子阱激光器结构样品，并对不同温度快速热退火导致量子阱组分无序即阱和垒中三族元素的扩散过程进行了实验和理论研究 。用光荧光技术测量退火样品的ｎ＝１量子阱能级跃迁峰值位置，结果表明退火前后样品量子阱能级位置发生蓝移，蓝移量随温度的提高而增大，对退火过程中ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱中三族元素的扩散过程中进行了理论分析，并与实验结果相比较，获得了不同退火温度下     

[Pd／Co—Nb／Pb／Si]多层膜的结构与磁性

用频溅射法制备了两套「Ｐｂ／Ｃｏ－Ｎｂ／Ｐｄ／Ｓｉ」多层膜，分别用Ｘ射线衍射和振动样品磁强计做了结构和磁性测量。随Ｐｄ层厚度增加，Ｐｄ层由非晶态过渡到晶态，并观察到Ｐｄ的ｆｃｃ（１１１）双峰结构，双峰的位置逐渐从两侧向体材料Ｐｄ的ｆｃｃ（１１１）峰的位置靠近。     

零偏退火与反偏退火对含氢的Au／n—Si肖特基势垒的控制

＜１１１＞晶向的掺磷的ｎ型硅外延片经等离子进氢后连同未经等离子氢处理的对比片一起淀积金，制得Ａｕ／ｎ－Ｓｉ肖特基势垒，实验结果表明：氢能使Ａｕ／ｎ－Ｓｉ的肖特基势垒高度下降０．１３ｅＶ；含氢的肖特基势垒的高度可以被零偏退火与反偏退火所控制，即零偏退火使含氢的肖特基势垒的高度降低，而反偏退火使含氢的肖特基势垒的高度升高；而且零偏退火与反偏退火对肖特基势垒高的这种控制作用至少在三个循环过程中是可逆的。     

盐水溶液跨混合纤维素膜扩散机制的定量可视化实验研究

介绍了一种改进的高时空分辨率相移干涉仪,测量了不同浓度的NaCl溶液跨过5 μm孔径醋酸-硝酸混合纤维素膜进入去离子水的跨膜扩散过程。实验观察到NaCl溶液在膜-液界面附近的质量输运行为受膜结构的影响而表现出的特征:相对分散的浓度高值分布、均流传质现象、对流的快速纵向进行和横向扩散的缓慢发展等。实验计算得10.0 mg/mL、7.5 mg/mL、5.0mg/mL、2.5 mg/mL 和 1.0 mg/mL 的 NaCl 溶液跨膜传质系数分别为 3.0×10~(-6) m~2/s、8.5×10-7 m~2/s、7.8×10~(-7)m~2/s、2.9× 10~(-7)m~2/s和6.0×10~(-8)m~2/s。本实验结果可为跨膜扩散机理的研究提供参考。     

Fe/Si多层膜的层间耦合与界面扩散

对以本征Si及重掺杂ｐ型和ｎ型Si作为中间层的Fe/Si多层膜的层间耦合进行研究，并通过退火，增大Fe，Si之间的扩散，分析界面扩散对层间耦合的影响. 实验结果表明，层状结构良好的制备态的多层膜，Fe，Si之间也存在一定程度的扩散，它是影响层间耦合的 主要因素，远远超过了半导体意义上的重掺杂，使不同种类的Si作为中间层的层间耦合基本 一致.进一步还发现，在一定范围内增大Fe，Si之间的扩散，即使多层膜的层状结构已经有了相当的退化，Fe/Si多层膜的反铁磁耦合强度基本保持不变. 关键词： Fe/Si多层膜 层间耦合 界面扩散