光电子技术与器件 光探测与器件

TN232007043625吸收层与倍增层分离的4H-SiC雪崩光电探测器=Sepa-rate absorption and multiplication4H-SiC ultraviolet ava-lanche photodetector[刊,中]/朱会丽(厦门大学物理系.福建,厦门(361005)),陈厦平…//半导体学报.?2007,28(2).?284-288设计和制备了吸收层和倍增层分     

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O434.22 2004053723 紫外及可见光探测器光谱响应测试系统的研制=Study and development of spectral responsibility testing system for ultraviolet-visible detector[刊,中]/张辉(华北光电所,北京(100015)),刘建伟…∥激光与红外。—2003,33(5)。—371-373     

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O434．22 2005032089 GaN基紫外光探测器研究进展=Research progress in GaN-based semiconductor UV detectors[刊,中]／徐立国 (北京工业大学电子信息与控制工程学院．北京(100022)),谢 雪松…∥半导体光电．-2004,25(6)．-411-416 介绍了不同类型的GaN基半导体光电探测器的结构 和性能,回顾了其发展历史,并且综述了GaN基紫外光电 探测器的研究新进展。图3参25(严寒) O434．22 2005032090 6H-SiC pn结紫外光探测器的模拟与分析=Simulation and analysis of 6H-SiC pn junction ultraviolet photodetector [刊,中]／周拥华(西安电子科技大学微电子研究所．陕西,     

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O434.222006054458快照模式紫外焦平面读出电路电容优化设计=Opti maldesign of capacitors in readout integrated circuit for snap-shot UV FPA[刊,中]/贾寒昕(中科院上海技物所传感技术国家重点实验室.上海(200083)),亢勇…//红外与激光工程.—2006,35(2).—238-243探讨了各种电容对于电路噪声的影响。考虑到紫外探测器的特点,在固定其他设计参数的基础上,通过调整电容面积的分配比例,计算了电路可以得到最佳噪声水平的电容大小。结果表明,在目前的工艺和版图限制等条件下,在上述三种电容分别取1.1、0.4、1.2pF时,输出端噪声电压为…     

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TL816.5 2007054608PSD空间三维非线性修正技术的研究=Study on spatial 3D nonlinear correction technique for PSD[刊,中]/郭丽峰(天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室.天津(300072)) ,张国雄…//光电子·激光.? 2007 ,28(5) .?566-570提出了一种长距离激光准直测量中     

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O434．22 2005042906 ZnO肖特基势垒紫外探测器=ZnO Schottky barrier UV photodetector[刊,中]／高晖(电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都(610054)),邓宏…／／发光学报,- 2005,26(1),-135-138 以p-Si(111)为衬底,用水热法首次制得六棱微管 ZnO,并以此为有源区利用平面磁控溅射技术沉积得到Ag 叉指状电极,从而制作了Ag／n-ZnO肖特基势垒结紫外探测器。对该紫外光探测器的暗电流和365 nm波长光照下的光电流、光响应和量子效率进行了测试。测试结果表     

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TL816.5 2006043410基于PSD的电振动台特性检测系统研究=Research of thetesting systemof characteristics of electrical vibration tablebased on PSD[刊,中]/徐晖(浙江大学现代光学仪器国家重点实验室.浙江,杭州(310027)) ,舒晓武…∥光学仪器.—2006 ,28(1) .—80-84介绍了基于位置敏感传感器的电振动台特征检测系统的研究。该系统采用自准直光路原理,利用PSD对位置的高分辨能力特性和电振动台微小角扭动进行精密测量数据经高速AD采样后送入计算机,通过分析即可获得电振动台在各种振动模式下角速率时域频域特性。对系统存在的各…     

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TN366 2005064331 In0．53Ga0．47As PIN光电探测器的温度特性分析=Temper- ature behavior of In0.53 Ga0.47 As PIN photodetectors[刊, 中]/郝国强(中科院上海微系统与信息技术所信息功能材 料国家重点实验室．上海(200050)),张永刚…∥功能材料 与器件学报．-2005,11(2)．-192-196     

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TN232006010542Ⅲ族氮化物紫外探测器及其研究进展=Ⅲ-nitride ultravi-olet photodetectors and its research development[刊,中]/龚海梅(中科院上海技物所传感技术国家重点实验室.上海(200083)),李向阳…∥激光与红外.—2005,35(11).—812-816简单介绍了紫外波段光电探测的基本特点,包括各波段特点、大气吸收等,粗略介绍了紫外探测的部分应用。对Ⅲ族氮化物宽禁带紫外探测器材料体系的研究进展进行了回顾,重点介绍了P型材料的制备、金属半导体接触、材料的蚀刻等。最后,对国内外近期的紫外探测器,特别是紫外焦平面器件的研究进展作了一…     

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TL816．5 2005053713 位置敏感探测器统一结构模型的分析=Analysis of uni- form configuration model of position sensitive detector[刊, 中]／尚鸿雁(北京航空航天大学仪器科学与光电工程学 院．北京(100083)),张广军∥光电工程．-2005,32 (7)．-89-92     

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O434．22 2006065271 Pt/CdS Schottky势垒紫外探测器的研制=Development of Pt/CdS Schottky barrier ultraviolet detectors[刊,中]/秦强(昆明物理研究所．云南,昆明(650223))。朱惜辰…//红外技术．—2006,28(4),—234-237介绍了Pt/CdS金属半导体接触Schottky势垒形成及In/CdS的欧姆接触工艺研究,由此制成了紫外探测器。测试了探测器的I-V特性,零偏下的光谱响应和器件的频率响应。观察了器件的反偏响应情况。获得的探测器在γ= 440 nm处加两伏反偏时的响应率为0．17 A/W,内量子效率最大可达64%。图7参6(严寒)     

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TN366 2006032402射线数字探测器灵敏度校正的等效能谱法=Equivalentenergetic-spectrum method for digital X-ray detector sensi-tivity correction[刊,中]/梁丽红(中国特种设备检测研究中心研究开发部.北京(100013)) ,丁克勤∥光电子·激光.—2006 ,17(1) .—65-68通过分析射线成像检测的数理模型,提出等效能谱透照成像方法,对平板探测器灵敏度进行校正。利用无缺陷的高密度材料等被检试件,进行背景成像,实现在有无试件情况下的探测等效能谱成像。研究结果表明,等效能谱法增强了成像的可视化效果,对比度灵敏度提高了20 ~40灰度级,提高…     

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TN364 2005010465 ZnO基紫外探测器的制作与研究=Fabrication and study of ZnO UV photodetector[刊,中]／杨晓天(吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点实验室．吉林,长春(130023))．刘博阳…∥发光学报．-2004,25(2)．- 156-158 利用新型的等离子体辅助金属有机化学气相沉积(P- MOCVD)系统在蓝宝石、硅等衬底上生长出具有单一c轴取向、高阻的ZnO薄膜,利用添加的等离子体发生装置,进     

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TN761 2005032096 对光栅光阀(GLV)器件进行数值分析及其在DGE上的应 用=Algorithm analysis of grating light valve(GLV)device and its application in DGE[刊,中]／宋镜明(华中科技大学 光电子工程系．湖北,武汉(430074)),阮玉…∥光学技 术,-2004,30(5)．-519-521 作为一种新颖的MEMS器件,光栅光阀(GLV)被应 用于高清晰数字电视和光通信的动态增益均衡(DGE)上, 使用角度谱方法分析了这种光调制器的衰减机理,并对其 仿真,得到了输入光衰减的曲线。在长距离传输过程中,     

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TH7612006010547光栅光阀的光学特性分析和仿真=Optical characteristicanalysis and si mulation of grating light valve[刊,中]/张洁(重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室.重庆(400030)),黄尚廉…∥光学学报.—2005,25(11).—1452-1456依据多光束干涉理论和衍射理论对光栅光阀工作状态的光学特性进行了详细的理论分析和计算机仿真。结果说明,光栅光阀在工作中处于“开”态时,可动光阀下降的距离应该是入射波长的1/4倍;设计时选择h=λ0/2,δ=λ0/4;当间隙处的反射率不同时,占空比对光栅光阀的光学特性有着不同的影响,给…     

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TN65 2007054613铌酸锂声电光调制器最优化工作模式研究=Study of optimum operating mode in lithiumniobate acousto-electro-op-tic modulator[刊,中]/庞兆广(河北师范大学物理科学与信息工程学院.河北,石家庄(050016)) ,俞宽新…//激光技术.? 2007 ,31(2) .? 160-162在确定     

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TN761 2005042912 铁电液晶光寻址空间光调制器响应速度的宏模型研究= Study on response velocity of ferroelectric liquid crystal op- tically addressed spatial light modulator by the macro-mod- el[刊,中]／王梦遥(西南交通大学计算机与通信工程学院．四川,成都(610031)),潘炜…／／光学技术,-2005,31 (1),-35-37 将铁电液晶(FLC)的本征电路模型扩展到以FLC为调制层,a-Si:H为光敏层的光寻址空间光调制器 (OASLM),建立了FLC-OASLM的宏模型。用电路方法     

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TN761 2006032404LiNbO3电光调制器的小信号功率测试法研究=Measure-ment of Li NbO3modulator frequency response using small-signal power measuring technique[刊,中]/黄亨沛(中科院半导体所集成光电子学国家重点实验室.北京(100083)) ,伞海生…∥光电子·激光.—2006 ,17(1) .—37-40阐述了小信号功率测试法测量Li NbO3电光调制器频率响应的原因,对传统的小信号功率测试法加以改进,在以网络分析仪(VNA)为主的常用扫频测试系统基础上建立起一套简单可靠的新型测试系统,实现了计算机控制自动测量。改进的测试方法考虑了测试系统中…     

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TN761 2006065275一种新型谐振腔增强型光调制器结构的研究=A novel resonant cavity enhanced optical modulator structure[刊,中]/周震(北京邮电大学电子工程学院．北京(100876)),马建新…//半导体光电．—2006．27(3)．—250-253提出了一种新型谐振腔增强型(RCE)光调制器结构,它由一个对称型谐振腔增强型光调制器和一个高反镜构成。利用传输矩阵法对该器件的插入损耗及临界吸收厚度进行了模拟分析,并同传统谐振腔增强型光调制器的相关性能进行了比较。分析结果表明,这种结构解决了传统谐振腔增强型光调制器的临界吸收厚度与插入损耗之间相互制约的矛盾,可同时获得低临界吸收厚度和低插入损耗。图5参11(严寒)