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介绍用硅三级管作为样品,在低温150K-250K范围内,测量其PN结正向特征,可精确求得玻耳兹曼常量及硅半导体材料禁带宽度的值。 相似文献
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非晶态半导体/金属薄膜的分形晶化 总被引:4,自引:0,他引:4
本文综述非晶态半导体/金属薄膜退火过程中金属诱导非晶态半导体晶化的研究,综述对若干非晶态半导体与金属组成的薄膜(Ge-Au、Ge-Ag、Ge-Al、Ge-Se、Ge-pd、Si-Ag、Si-Al、Si-pd、Si-Cu、sic-Al、Si_3N_4-A1)晶化后形成的图形进行的分形研究,内容包括分形形成的实验规律、根据微结构电镜观测结果提出的随机逐次成核模型、以及对分形晶化进行的计算机模拟。 相似文献
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Ⅱ—Ⅵ族半导体研究概观 总被引:2,自引:0,他引:2
回顾了Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的研究状况。结合国际上的最新研究动态,总结出Ⅱ-Ⅵ族半导体材料研究的主要方向:(1)p型掺杂研究;(2)p型Ⅱ-Ⅵ族半导体的欧姆接触;(3)Ⅱ-Ⅵ族外延结构中的电子,激子增益;(4)量子线,量子点及稀磁半导体。 相似文献
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引言制造晶体管等半导体器件时,对半导体材料的导电类型、电阻率数值、少数截流子寿命、位错密度等参数有一定的要求,不同的器件,其要求也不相同。目前,锗、硅单晶主要是通过有坩埚拉制法或无坩埚区熔法而制得的。但制得的材料是否符合制备器件的要求还必须经过测试鉴定。对材料电阻率的测量、非平衡少数载流子寿命的测量和位错密度的测量是材料鉴定中最重要、最基本的工作。本文试图介绍一下目前在工艺上对这些参数的几种常用测试方法。 相似文献
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半导体研究工作应該說是在1833年法拉第观察到硫化銀电阻率之負温度系数开始的。40年以后,F.布朗发現了硫化鉛与黃铁矿的整流現象;在此之前;W.史密斯也发現过同样的現象。1879年提出了霍尔效应以后,对半导体的研究起了推动作用。1833年美国又发明了硒整流器,1906年A.波希丁納研究了有机半导体蒽的光电导。1907至1909年,K.白特克及J.科尼斯貝格系統地利用霍尔效应研究了CuI等半导体。1924年开始,硒和氧化亚銅整流器巳进入了工业性貭的制造。自从1931年量子力学有了其独自的立場后,威尔逊以能带模型的形式为現代半导体理 相似文献
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很多学者現在正在研究一种新方法:从气相反应直接获得具有任意純度的半导体晶体。这种过程将使半导体二极管和高頻晶体管的生产工艺簡化。在得到这种半导体的反应中,二个碘化鍺分子在晶核表面起反应,而形成一个四碘化鍺分子和一个鍺原子: 相似文献
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光电探测器是一类用于接收光波并转变为电信号的专门器件,文章描述了PIN光电二极`管雪崩光电二极管、MSM(金属-半导体-金属)光电二极管的器件结构和工作原理,并对它们的响应度、噪声、带宽等特性进行了讨论,这类器件已在光通信、光信息处理等许多系统中得到广泛的应用。 相似文献
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研究一维半导体在外电磁场中的光吸收、涉及电子带间的直接跃迁与间接跃迁,考虑了电子-空穴相互作用的激子光吸收,导出一维半导体的光吸收系数公式。 相似文献
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本文评论了研究半导体材料特性的光学技术的新进展。由于发光对检测杂质和不完整性具有独特的灵敏度,特别对目前最了解的GaAs与GaP化合物更是如此,所以介绍着重在发光方面。讨论的例子包括光学测定机械应力、位错效应、掺杂不均匀性和补偿率、载流子弛予和电子漂移迁移率、以及能量传递过程。 相似文献
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亚微观团粒的半导体,是一种引人注目的材料,因其尺寸小而引起量子效应,表现出非同一般的特性.两个研究小组发表了生成特定大小的硫化铜(CdS)团粒的特殊方法. 截径为1-100nm胶状半导体微粒是一类介于孤立分子和固体之间的新材料,可用来研究由分子态向 大块状态的转变.研究表明,胶体半导体的光学性质与宏观晶体截然不同,它依赖于微粒的大小——即所谓量子尺寸效应.微粒咸小时,电子-空穴对受到局域限制,价带和导带中会产生分立的电子态,有效带隙增大,使材料光谱的吸收边发生向短波移动的“蓝移”,光跃迁的振荡强度减弱,还会出现分立的吸收带;… 相似文献
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材料基因组计划旨在通过实验、计算和理论的有机整合协同创新, 实现新材料研发周期减半, 成本降低到现有的几分之一, 以期加速在清洁能源、国家安全、人类福利等方面的进步. 半导体材料的研究和发展奠定了半导体科学技术在当前人类社会发展中至关重要的地位, 半导体材料基因组计划的实施将促使半导体科学技术的研究和应用进入一个崭新的时代. 本文基于基因遗传算法理论设计硅基发光材料的研究工作探讨了半导体材料基因组计划的实施构想. 首先简单介绍了硅基发光的应用前景和开发硅基发光材料所面临的挑战. 随后介绍了基于模拟达尔文物种进化的基因遗传算法和高精度高性能的能带结构计算方法, 设定高效带边发光这一目标, 逆向设计拥有直接带隙发光的二维Si/Ge超晶格和一维Si/Ge核-多壳纳米线, 为实施半导体材料基因组计划提供了一个范例, 显示了材料基因组计划的强大力量和巨大价值. 最后对半导体材料基因组计划的实施提了几点建议. 相似文献
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