不同形貌/晶型CdSe纳米材料的合成

以乙二胺(en)为溶剂, 通过调控反应物中镉源与硒源的摩尔比得到了不同形貌与晶型的CdSe纳米材料, 达到了同时调控形貌与晶型的目的. 当反应物中镉源与硒源摩尔比为1∶1时, 得到的产物为en体系常见的六方相棒状CdSe纳米晶体；当反应物中镉源与硒源摩尔比为1∶2时, 得到的产物为立方相CdSe纳米颗粒. 进一步研究结果表明, 反应体系中Se^2－离子生成的多少及速度是影响反应进程得到不同产物的关键.     

不同形貌/晶型CdSe纳米材料的合成

以乙二胺(en)为溶剂, 通过调控反应物中镉源与硒源的摩尔比得到了不同形貌与晶型的CdSe纳米材料, 达到了同时调控形貌与晶型的目的. 当反应物中镉源与硒源摩尔比为1∶1时, 得到的产物为en体系常见的六方相棒状CdSe纳米晶体；当反应物中镉源与硒源摩尔比为1∶2时, 得到的产物为立方相CdSe纳米颗粒. 进一步研究结果表明, 反应体系中Se^2－离子生成的多少及速度是影响反应进程得到不同产物的关键.     

不同形貌/晶型CdSe纳米材料的简易合成

以乙二胺(en)为溶剂,通过调控反应物中镉源与硒源的摩尔比得到了不同形貌与晶型的CdSe纳米材料,达到了同时调控形貌与晶型的目的.当反应物中镉源与硒源摩尔比为1:1时,得到的产物为en体系常见的六方相棒状CdSe纳米晶体;当反应物中镉源与硒源摩尔比为1:2时,得到的产物为立方相CdSe纳米颗粒.进一步研究结果表明,反应体系中Se2-离子生成的多少及速度是影响反应进程得到不同产物的关键.     

p型Se的电沉积及其转化为n型CdSe的机理研究

利用线性电位扫描光伏安法等技术研究钛基体上Se半导体薄膜的电化学形成及转化过程.实验结果表明,在H_2SeO_3溶液中进行电沉积可获得p型Se薄膜,它可在酸性CdSO_4溶液中阴极转化为n型CdSe.讨论了Se的电沉积动力学及其转化为CdSe的可能机理.所述原理可望用于p-n异质结的电化学制备.     

CdSe量子点的合成及标记胃蛋白酶的研究

以硒粉及镉盐为反应前体,通过固相/液相沉淀反应及室温乙二胺溶剂体系两种方法合成了平均粒径为8～10nm的CdSe量子点,以巯基乙酸修饰量子点使之可溶,并标记胃蛋白酶。CdSe量子点在350和380nm附近有明显尖锐的紫外吸收,有481.6nm的荧光带边发射,标记胃蛋白酶后,紫外吸收峰位不变而吸光度增强,荧光峰位蓝移至467.2nm,荧光强度降低。在最佳实验条件下,胃蛋白酶浓度在5～50mg/L范围内与荧光降低值之间呈线性关系;检出限(3σ)为0.36mg/L(n=10),方法已用于人体胃液胃蛋白酶的测定。     

化学气相沉积法制备InSe纳米片及其近红外光探测性能

采用化学气相沉积法在云母衬底上制备了二维In Se纳米片,研究了生长温度对二维In Se纳米片晶相、形貌、尺寸及厚度的影响.构筑了基于二维In Se纳米片的光探测器并研究了其光探测性能,结果表明,在808 nm的近红外光辐照下,其光响应度为1. 5 A/W,外量子效率为230%,可探测度为3. 1×10⁸Jones(1 Jones=1 cm·Hz^1/2·W^-1),上升和衰减时间分别为0. 5和0. 8 s.     

近红外与中红外光谱技术在土壤分析中的应用

传统的土壤分析方法周期长、成本高,不能在短时间内获取所需的土壤信息,如何快速、准确地获取土壤信息成为农业现代化的必然要求。漫反射光谱技术以其快速、廉价、非破坏与无污染等特点,已成为环境研究中获取相关土壤信息的重要技术手段,其中的近红外(NIR,780~2 500 nm)和中红外(MIR,2 500~25 000 nm)光谱技术预测土壤理化特性逐渐成为国内外学者研究的重点领域。文章介绍了近红外和中红外光谱技术的基本原理和分析方法,综述了该技术在土壤分析方面的具体应用,并对此提出了一些观点和展望。     

基于三乙醇胺修饰的CdSe量子点-芦丁二元体系的相互作用及其对痕量铝快速、灵敏检测研究

合成了三乙醇胺(TEA)修饰的硒化镉量子点(CdSe Quantum Dots)纳米材料(TCQs),分别利用透射电子显微镜(TEM)、红外光谱、荧光光谱及紫外吸收光谱对其进行研究,结果表明合成的TCQs具有非常好的荧光特性.在TCQs中加入芦丁,TCQs的荧光强度降低.随后加入铝离子,荧光强度恢复,且铝离子浓度在1.6×10^-7～1.7×10^-5 mol·L^-1的范围内,与相对荧光强度变化呈良好的线性关系,线性方程为:F/F₀=4 856.7c+1.005 4,r=0.999 2,检测限为5.3×10^-8 mol·L^-1,回收率为96.3%～106.1%.进一步采用荧光分光光度法,对油条中痕量铝离子进行了检测.对芦丁作用TCQs的猝灭机理及Al³⁺对TCQs-芦丁二元体系的荧光恢复机理进行了讨论.该结果可为食品、药品以及其他领域铝离子的检测提供新的思路和方法.     

镉电极上的衰减全反射表面增强红外光谱

利用两步“湿法镀膜”方法将ATR-SEIRAS的研究进一步拓展到ⅡB族Cd电极上. 选择吡啶(Py)作为模型分子, 初步比较了Py在不同金属电极表面上的吸附构型.     

硒化镉量子点膜的拉曼光谱及拉曼成像分析

研究了CdSe量子点膜的Raman光谱,发现CdSe量子点的横模(TO)振动活性较强,表面模(SO)、纵模(LO)振动不明显。比较了量子点、氧化三辛基膦及十六胺的Raman光谱,证明量子点表面大部分区域被十六胺及二辛胺修饰。在此基础上,对量子点膜的TO模振动及C-H弯曲振动峰进行了Raman成像分析,并与明场图像进行了对比,表明拉曼成像信号对量子点膜的表面变化非常敏感。     

化学水浴沉积法制备CdSe薄膜

CdSe是直接跃迁宽带隙的II-VI族化合物半导体,具有立方和六方两种结构,以及与太阳谱中可见光波段相适宜的带宽(<1.7ev),是制作异质结太阳电池和光电化学太阳电池的重要原料[1,2].     

深色物体表面血手印的CdSe量子点标记荧光显像

合成了巯基乙酸修饰的CdSe量子点溶液,用荧光光谱法对该材料进行荧光测试,结果表明,该纳米材料在365 nm激发波长下具有优异的荧光性能。 用CdSe量子点水溶液对多种深色物体表面上的血手印进行标记并通过CCD相机获取荧光图像。 考察标记时间、血液浓度、遗留时间与血手印显像清晰度的关系。 结果表明,标记时间为30 min就可以得到理想的荧光图像。 该材料应用范围较为广泛,对常见深色物体上的血手印有较好的标记荧光成像效果,灵敏度可以达到1%血浓度。 CdSe量子点标记血手印操作简单,适用范围广,荧光亮度高,与背景形成的反差大,获得的荧光图像手印纹线清晰、流畅。     

CdSe/磺基聚苯胺复合膜的制备及性能研究

采用CdSe、磺基聚苯胺为原料,通过静电作用力制得了无机/有机杂化的聚合物体系.并用紫外可见光谱,光致发光光谱以及扫描电子显微技术对其进行表征.同时也研究了掺杂Cu和Ag时CdSe膜的发光性,发现掺杂Ag和Cu的CdSe膜的发光强度分别提高了40%和70%.     

计算机硬盘基片CMP中表面膜特性的分析研究

目前,普遍采用化学机械抛光(Chemical-mechanical polishing,CMP)技术对计算机硬盘基片(盘片)表面进行原子级平整。CMP加工中,盘片表面膜及其特性对CMP过程及CMP性能具有关键作用。本文分别采用俄歇能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、纳米硬度计、电化学极化法等分析手段对盘片表面物理、化学及机械特性进行了研究,发现盘片CMP后表面发生了氧化,氧化膜在盘片的表层,厚度在纳米量级,氧化产物为Ni(OH)₂;氧化膜为较软的、疏松的、粗糙的多孔结构;氧化膜的存在加快了盘片表面的腐蚀磨损。结合盘片CMP试验结果,推测盘片的CMP机理为盘片表面氧化生成机械强度较低的Ni(OH)₂氧化膜及随后氧化膜的机械和化学去除,二者的不断循环实现表面的全局平面化。     

Effect of Polyaniline as Hole-Acceptor and Energy-Acceptor on the Photoluminescence of CdSe

IntroductionLuminescent semiconductor quantum dots(QDs)have received considerable attention in the pastdecadebecause of their unique optical properties[1—6]. TheCdSe quantum nanostructures are one of the best-studied semiconductor quantum systems. The 3-…     

高温热解法制备硒化镉纳米晶

以脂肪酸和三辛基氧化膦为表面活性剂,采用高温热解硒与镉的前聚体,制备出分散性好的CdSe纳米晶.吸收光谱和荧光光谱研究表明,控制反应时间可以改变CdSe纳米晶的荧光强度.     

表面活性剂对CdSe量子点荧光性能的影响

通过添加不同类型的表面活性剂在水相中制备了CdSe量子点。用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、X-射线光电子能谱(XPS)对其进行了表征,并用紫外-可见(UV-Vis)和荧光(PL)分光光度法研究了不同类型的表面活性剂对CdSe量子点吸收光谱和荧光光谱的影响。结果表明,加入长链的非离子型和阴离子型表面活性剂制备的CdSe量子点颗粒只有几个纳米,分散性好,量子点的荧光强度也有明显的增强,而加入阳离子表面活性剂制备的量子点颗粒团聚明显,其荧光出现淬灭。     

金属的化学-机械抛光技术研究进展

介绍了近年来金属化学—机械抛光(CMP)技术的一些研究进展。内容包括CMP技术的实验方法进展与抛光效果的表征,CMP设备与消耗品的发展。分析了目前CMP技术存在的问题,提出了可能解决问题的一些建议。认为定量CMP速率方程的建立是解决好终点在线检测的关键之一。     

CdSe/泡沫镍薄膜电极对结晶紫的光电催化降解

采用恒电位电沉积法,以泡沫镍为基底电极,制备了CdSe/泡沫镍薄膜电极,采用扫描电子显微镜、紫外可见漫反射光谱和能谱分析表征了CdSe薄膜的形貌及其组成。应用该电极研究结晶紫溶液在光电催化降解过程中的COD去除率。结果表明,以白炽灯(100 W,2只)为光源,采用电沉积30 min所得的CdSe/泡沫镍薄膜电极为工作电极,外加偏压为0.4 V(vs.SCE),0.01 mol/L NaCl为电解质,光电催化降解浓度为0.001 g/L的结晶紫溶液120 min,COD去除率达到84.3%。     

Influence of Cd Content and Se Doping on the Formation of CdSe Nanocrystals in Silica Xerogels: A SAXS Study

Small-angle X-ray scattering (SAXS) experiments were carried out to characterize the structure of the composite formed by CdSe nanocrystals embedded in a popous silica matrix (silica xerogels containing Cd with formamide addition and ultrasound treatment). SAXS results from samples before Se diffusion indicate the presence of heterogeneities with a bimodal size distribution which was associated to the existence of mesopores (pores of several hundred Å) immersed in a nanoporous matrix (characteristic pore radii of 20–30 Å). The diffusion of Se induces the nucleation and growth of CdSe nanocrystals. The average size of the nanocrystals increases with Cd content. Higher Se doses promote the formation of larger nanocrystals (radius of gyration of ∼30 to 50 Å). Anomalous scattering results confirm the existence of Se aggregation associated with CdSe nanocrystal formation and suggest that only partial segregation of Cd and Se occurs.