高真空强静电场下半熔融态处理压电聚合物--PA11/PVDF共混物晶体结构和显微形态研究

使用ＷＡＸＤ和ＳＥＭ研究了高真空强静电场下半熔融态处理不同共混比例（ＰＡ１１／ＰＶＤＦ＝０／１００、２０／８０、４０／６０、６０／８０、８０／２０、１００／０）的压电聚合的ＰＡ１１／ＰＶＤＦ共混物压片的晶体结构和形态。ＷＡＸＤ分析表明,纯ＰＶＤＦ经不同强度静电场半熔融态处理后晶体结构并没有发生改变,均为β型ＰＶＤＦ;而纯ＰＡ１１经不同强度静电场半熔融态处理后晶体结构发生了改变,随电场强度的增加,部分ＰＡ１１由α型向δ′型转变。ＰＡ１１／ＰＶＤＦ共混物经不同强度静电场半熔融态处理后,当ＰＡ１１含量较小时,其结晶相为由β型ＰＶＤＦ和α型ＰＡ１１组成的混合相,并没有新相产生;而当ＰＡ１１含量较大时,共混物中的部分ＰＡ１１同样由α型向δ′型ＰＡ１１组成的混合相。ＳＥＭ观察表明,在无电场时,纯ＰＡ１１和纯ＰＶＤＦ呈混乱状     

聚合物辅助设计生长高质量多功能薄膜

随着薄膜材料的日益发展和新型薄膜材料的不断涌现,开发薄膜生长技术对于半导体和光电等科技领域的作用日益突出。本文主要介绍最近发展的聚合物辅助沉积从分子层面上控制生长高质量的薄膜材料。聚合物辅助沉积是一种生长高质量薄膜的化学水性溶液方法,将金属离子与聚合物通过络合、氢键或静电等方式形成一种均匀稳定的前驱体溶液,再经过超滤、成膜和热处理形成高质量的金属氧化物、金属碳化物、金属氮化物、金属单质、金属硫/硒化物等薄膜以及纳米粒子等化合物或复合功能材料。该方法中水溶性的聚合物能通过络合作用抑制金属离子的水解使得溶液稳定,并能精确控制薄膜的组分从而形成高质量的薄膜。该化学溶液方法的提出为科学技术领域提供了一种低成本和大面积制备薄膜的技术路线。本文最后总结和展望了聚合物辅助沉积法未来的挑战和发展方向。     

聚合物薄膜交流电致发光器件

We have demonstrated an electroluminescent (EL) device having the structure of ITO/PPV/Alq3:PVK/Al. This device could be driven by either forward bias or backward bias, and its EL originated from PPV layer.     

功能性聚合物薄膜修饰电极

化学修饰电极是当前在电化学、电分析化学方面十分活跃的研究领域。功能性聚合物薄膜由于其特殊的化学结构赋予其许多独特的功能,诸如选择性、分子识别、pH敏感、光化学敏感等;功能性聚合物修饰电极可以赋予电极许多特殊功能,拓展电极的应用范畴,故而备受关注。本文分别从分子印迹聚合物传感器和生物酶传感器制备的角度,综述在电极表面构筑功能性聚合物薄膜的材料以及方法,重点论述电泳沉积技术在电极修饰中的新应用。这些功能性聚合物薄膜在电极表面的构筑方法可以广泛的拓展到其它传感器的制备中,并指导特殊的传感器的制备,具有重要的研究和应用价值。     

AB交联聚合物的形态

以低分子量的端乙烯基聚氨酯预聚物同乙烯类单体共聚制得的AB交联聚合物(ABCP)呈现出两相形态结构,聚氨酯相形成分散相,塑料组份形成连续相。形态结构最显著特点是分散相区呈现出多分散性;其次,分散相区的形状不规则。这些特征不同于线型AB、ABA嵌段共聚物及A_2B接枝共聚物,这是由于ABCP中,A和B两组份间存在着化学交联。交联密度,预聚物的分子量对两组份的相容性,形态结构有显著影响。     

聚合物薄膜玻璃化转变及其分子松弛行为的研究进展

随着纳米技术的发展,受限聚合物的玻璃化转变以及分子松弛行为受到了高分子物理学家的关注.由于纳米尺度效应,高分子薄膜的玻璃化转变以及分子松弛行为偏离于本体,呈现出尺寸依赖性.研究聚合物薄膜的玻璃化转变及其相关分子松弛行为对聚合物纳米材料的结构设计,进一步理解聚合物玻璃化转变的物理本质具有重要意义.本文总结了近20年来聚合物薄膜玻璃化转变行为的研究成果,介绍了薄膜分子松弛行为偏离本体的主要物理机制、聚合物薄膜分子运动能力的深度分布特征以及薄膜分子松弛行为的相关理论模型,并对该领域研究进行了展望.     

基板受限条件下聚合物薄膜厚度对结晶的影响研究

通过溶液铸膜方法,用匀胶机(spin-coater)在铝箔基板上制备出一系列具有不同厚度的结晶聚合物聚羟基丁酸酯(PHB)和聚ε-己内酯(PCL)超薄膜.经退火处理后,用差热扫描量热仪(DSC)测试了薄膜厚度对其结晶熔点T_m和结晶温度T_c的影响.结果表明,结晶熔点T_m随超薄膜厚度的减小逐渐减小;在减至一定的厚度时,熔点有突升,至极大值后,随膜厚继续减小熔点又会骤降.而结晶温度T_c则一直随膜厚的减小而逐渐降低.可以认为,结晶聚合物的分子在基板受限作用下,主要是熔融熵的变化导致了熔点的上述变化,而受限条件下的扩散控制结晶使结晶温度降低.     

AFM研究PCL薄膜的结晶形态

利用原子力显微镜 (AFM)详细研究了聚己内酯 (PCL)超薄膜及其在特殊限制环境下的结晶形态 .AFM的观察表明 ,PCL在石英基板上的结晶形态呈现典型的球晶及比较少见的树枝状晶两种形态 .认为主要是超薄膜结晶过程中由于几何受限及基板吸附导致分子链扩散移动速度大大降低 ,由此形成的扩散控制结晶过程从而导致最终形成树枝状的分形结构 .将聚合物限制在间距为 10 μm的凹槽内 ,发现PCL的结晶有比较规整的排列 ,而且沿着凹槽的方向结晶排列取向优先 .当在凹槽两侧铝条上施加强电场后 ,发现在静电场作用下 ,PCL的结晶取向生长方向发生改变 ,沿着电场方向排列生长的结晶增多     

薄膜高分子结晶形态及其生长机理研究进展

由于高分子薄膜和超薄膜的空间效应和界面效应显著,其结晶行为与本体相比具有很大的差别。本文综述了近年来关于高分子在薄膜和超薄膜中特殊结晶行为的研究进展,重点介绍了晶体取向与薄膜厚度的关系。随着膜厚的减小,界面吸附作用对侧立片晶的抑制作用增强,导致晶体取向由侧立转变为平躺。超薄膜中晶体生长受扩散机理控制,其形态不稳定,变为树枝状晶体。在超薄膜中晶体的生长速率随着膜厚的减小而减小,当膜厚小于片晶厚度时,减小的趋势变缓。     

高分子量聚合物对溶剂诱导低分子量聚合物薄膜去润湿动力学的影响

采用偏光显微镜及椭偏仪等研究了单分散低分子量聚苯乙烯(PS)薄膜、 单分散高分子量PS薄膜以及将二者按不同质量比共混制备的PS薄膜, 在室温下用丙酮溶剂诱导其去润湿的过程. 实验发现, 按不同质量比共混的PS薄膜的去润湿动力学与单分散的PS薄膜去润湿动力学有较大区别. 按不同质量比共混的PS薄膜, 低分子量的PS更易于富集在薄膜的表面, 其去润湿的速度介于单分散低分子量PS薄膜与单分散高分子量PS薄膜的去润湿速度之间. 但共混薄膜的去润湿速率并非随着高分子量PS的加入呈现单调的变化, 这是由大量接触分子的形成抑制了去润湿所致.     

玻璃基板作用下高分子共混物薄膜相形态发展过程

研究了玻璃基板作用下极性高聚物为低组分的共混物薄膜在退火条件下相形态的发展过程 .选用聚苯乙烯 (PS) 聚甲基丙烯酸甲酯 (PMMA)与聚苯乙烯 (PS) 聚ε 己内酯 (PCL)两个体系 ,在玻璃基板上Spin Coating成膜后退火 .由于共混物薄膜中极性相对较大的高聚物组分 (PMMA和PCL)相对于极性较小的PS组分对玻璃基板具有更好的润湿性 ,所以在上述的两个共混薄膜体系中其相形态分别显示PMMA和PCL在低组分比例下最终发展成为连续相 .利用扫描电镜以及元素分析很好地验证了以上的结论 ,并且对其机理进行了解释 .此外 ,改变PS的分子量与PCL共混 ,研究了组分粘度对薄膜相形态发展的影响 .结果表明 ,PS组分粘度越大 ,共混物薄膜相结构发展速度越慢     

正电子湮没与沸石内静电场

本文测定了不同类型沸石的正电子寿命谱。发现o-Ps的湮没寿命, 与沸石静电场之间有良好的对应关系, 静电场愈强, 湮没寿命愈短。根据正电子寿命谱结果。含不同阳离子的Y沸石的静电场强弱次序为KY相似文献   

高密度聚乙烯／超高分子量聚乙烯共混物高取向薄膜形态结构与力学性能的研究

高密度聚乙烯／超高分子量聚乙烯共混物高取向薄膜形态结构与力学性能的研究张伟广，赵勇，杨德才中国科学院长春应用化学研究所，高分子物理开放实验室，长春，１３００２２）关键词ＨＤＰＥ、ＵＨＭＷＰＥ、共混物、形态结构、力学性能如何提高高分子材料抗张强度和模量...     

聚合物共混物脆韧转变性能研究─—形态参数对聚氯乙烯／丁腈橡胶共混物脆韧转变性能的影响

研究了非晶的聚氯乙烯（ＰＶＣ）／丁腈橡胶（ＮＢＲ）共混物脆韧转变特性，主要包括形态参数─—分散相粒径（ｄ）、体积分数（）、特别是分散相粒径分布（б）对其脆动转变性能的影响．结果表明，当ｄ＜临界值（ｄ）或＞临界值（）时，ＰＶＣ／ＮＢＲ产生脆韧转变．而且ｄＣ随。的增大而减小；随б的增大而增大。增大不利于增韧和脆韧转变的发生。也是影响聚合物共混物脆韧转变的重要形态参数，理论预示与实验结果很好相符．结果并给出ＰＶＣ／ＮＢＲ共混物的冲击韧性也是分散相粒间基体层厚度（Ｔ）的单参数函数．当Ｔ＞Ｔ时，共混物为脆性；当Ｔ≤Ｔ时，共混物韧性剧增成为超韧合金．虽然，以分子链结构参数分类，ＰＶＣ介于准韧性和脆性聚合物之间．结果证实，准韧性聚合物共混物脆韧转变的Ｔｃ判据仍然适用于ＰＶＣ／ＮＢＲ共混物．     

等离子体聚合膜的电学性质研究：Ⅰ.TCNQ聚合膜的结构和电学性质

本文采用内部电极、电容耦合式钟罩型射频等离子体聚合装置,首次进行了四氰代对二次甲基苯醌(TCNQ)的等离子体聚合,得到了电导率为10~(-8)～10~(-6)Scm~(-1)的聚合物半导体薄膜。由这些聚合物薄膜制备的Al/聚合膜/ITO(铟锡氧化物透明电极)夹层元件显示出整流特性和光生伏打效应。这种聚合物薄膜还具有光电导性质。红外光谱(IR)、紫外光谱(UV)的研究结果表明,优良的半导体特性归因于聚合膜中存在有较大范围的π电子共轭结构。     

P(St-AM)核壳聚合物微球的制备及其光子晶体膜

采用一步乳液聚合法,调节引发剂用量,制备了不同粒径的具有核壳结构的功能性聚(苯乙烯-丙烯酰胺)乳胶微球.用透射电子显微镜表征了乳胶微球的核壳结构和粒径,所制微球的粒径分别为195,217,234和255 nm.用红外光谱对微球的化学成分进行了表征,证实聚丙烯酰胺已包覆在聚苯乙烯外层.通过竖直沉积自组装法制备了聚合物微球的光子晶体薄膜.扫描电子显微镜表征了所制光子晶体膜的表面形貌,反射和透射光谱表征了光子禁带.结果表明,聚合物微球以面心立方紧密堆积,其(111)面与基底平行;微球粒径不同,光子晶体的光子禁带不同.制备了不同光子禁带的光子晶体,禁带分别位于473,515,574和630 nm,相应的薄膜分别呈蓝色、绿色、黄色和红色,对于光子晶体的拓展和应用具有重要的意义.     

高分子科学中的平均场理论和1/N展开

利用1/N展开理论考察高分子物理中的几个典型高分子体系.研究发现,平均场理论只有在体系具备一定对称性时才适用.在中性高分子溶液中,不论是单组分、多组分还是嵌段共聚物体系,1/N展开理论对于N取值不小于6时是适用的.对于聚电解质体系,平均场理论仍然可以粗糙地描述弱带电聚电解质的统计性质.对于强带电聚电解质体系,由于体系对称性大为降低,平均场理论不再适用,标度理论或许会是一个适合的方法.     

氟化氢与涂有聚合物膜下二氧化硅的反应研究

ＨＦ与ＳｉＯ２的反应是一种亲核取代反应，但高温下此反应不能发生．当涂覆在ＳｉＯ２表面的聚合物膜中含有某些特殊的有机化合物或超强酸时，可以促进该反应的发生，这些化合物被称为诱蚀剂．诱蚀剂分三类：（１）三级胺与ＨＦ形成季铵盐得到浓度很高的氟阴离子使该反应很容易发生；（２）强的偶极非质子官能团化合物与ＨＦ中的氢形成氢键使氟的亲核活性增加，有助于该反应发生；（３）超强酸因其质子对ＳｉＯ２骨架中氧的牢固结合能力活化了反应的离去基团，对ＨＦ与ＳｉＯ２的亲核反应起到催化作用．聚合物膜对添加在其中的小分子诱蚀剂起到阻止逃逸的栅栏作用，而本身带有诱蚀官能团的聚合物可以同时充当成膜物及诱蚀剂的作用．通过光化学反应可以选择性地实现聚合物膜下ＨＦ与ＳｉＯ２的刻蚀反应．     

Q-CdS/聚合物纳米复合膜的制备与荧光性能

采用配位化学合成原理 ,分离制备出颗粒尺寸小于 10nm的单分散性的Q态CdS(Q CdS)纳米粒子 ,将Q CdS纳米粒子与聚合物复合成膜 ,制备出一系列Q CdS 聚合物纳米复合膜 .用紫外可见吸收光谱与透射电镜研究了纳米复合膜的量子尺寸效应和分散性 .通过荧光光谱探讨了不同聚合物基体材料和不同Q CdS含量的纳米复合膜的荧光发光性能 .结果表明 ,一方面这种以聚合物为基体的纳米复合膜 ,由于聚合物与Q CdS之间的相互作用 ,使纳米复合膜表现出与单一相组分完全不同的特征荧光发射峰 ;另一方面 ,随着纳米复合膜中Q CdS含量的不断增大 ,纳米复合膜的荧光强度不断增强 ,在一定浓度时达到最大值 .