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在室温到１５Ｋ范围内我们对Ｎｉ／Ｗ金属超晶格的输运性质进行了测量。随温度的降低，反常的电阻跳跃被发现，这种现象被归因子Ｎｉ／Ｗ超晶格样品从晶态到非晶态的结构相变。温度降低时，样品界面处的原子无序度增大，当这种无序积累到一定程度时样品发生从晶态到非晶态的结构相变。 相似文献
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介绍了阻变存储器及其I-V特性的测试分析方法。通过测量三明治结构的阻变存储器的I-V特性,采用多种拟合方法,与导电机制原理对比,可以判断器件的导电机制,便于深入分析阻变机理。 相似文献
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将AA002巨磁电阻器件和小磁钢组合成巨磁电阻位置传感器,用于测量物体的悬置位置和液面高度,并应用于大学物理实验中,测量钢片的杨氏模量和小钢珠的体积.实验结果表明,所设计的巨磁电阻位置传感器,使用方法简便,灵敏度高,分辨率高,测量精度高,实用性强,成本低,适合在大学物理设计性实验中推广应用. 相似文献
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以工程上常用的66%的乙二醇水溶液作为工质,对几何特性相似而高宽比不同的4种纯铝矩形微通道内的流动特性进行了实验研究,得到了微通道冷板基础性的设计数据。实验测量了Reynolds数在50~500之间的流动阻力系数。实验结果表明:通道高度H与宽度W之比对微通道流阻特性有显著的影响;当Re数小于100时,在实验误差内,流动阻力系数的值近似等于经典理论计算值;随着Re数的增大和高宽比的变化,f的值远大于理论值,这可能是由微通道内部壁面粗糙度效应所导致的。 相似文献
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忆阻器是物理上新实现的具有记忆特性的基本二端电路元件. 根据φ-q关系式的泰勒级数形式构建了荷控忆阻器等效电路分析模型, 以三次非线性荷控忆阻器模型为例, 对不同参数条件下的荷控忆阻器进行了伏安关系、有无源性等电路特性的理论分析. 结果表明: 荷控忆阻器的伏安关系具有斜体“8”字形紧磁滞回线特性, 随其参数符号的不同, 荷控忆阻器呈现出无源性和有源性, 导致其电路特性发生相应的变化; 相比无源荷控忆阻器, 有源荷控忆阻器更适用于作为二次谐波信号产生电路使用. 制作了荷控忆阻器特性分析等效电路的实验电路, 实验测量结果很好地验证了理论分析结果.
关键词：
荷控忆阻器
等效电路
伏安关系
电路特性 相似文献
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物理实验中温度测量的改进与应用 总被引：1，自引：0，他引：1
本分析了物理实验中玻璃温度计进行测温所存在的问题,根据半导体温度传感器工作原理设计并制作了一种新型的电子测温仪,该仪器具有精度高、响应快、读数方便以及便于二次开发等优点。 相似文献
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本文介绍一个以8031为核心的单片机通用测温系统，该系统采用热电偶测温元件，由模数转换电路、译码电路、打印显示接口电路、数据存贮器等，构成一个较小的、有一定实用价值的单片机涮温系统。 相似文献
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介绍AD590型温度传感器的内部电路结构,阐述其工作原理,举例说明它在温度测量和恒温控制中的应用 相似文献
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本文叙述了显微测温仪的结构原理和温度灵敏度,并根据光学系统的参数和黑体辐射定律及探测器的噪音等效功率,推导出了NET的计算公式,从而为研制和应用显微测温仪器提供了重要依据. 相似文献
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