3c-SiC中深杂质能级的A1,T2对称波函数

本文采用文献[1—4]所发展的在位缺陷势格林函数方法,计算了3c-SiC中深能级的A₁,T₂对称波函数。第一次给出了波函数随杂质态能量E的变化趋势,和电子占据距缺陷中心最近邻的几个壳层的几率。并给出数量级与实验相符的3c-SiC:B的超精细结构常数的理论值。 关键词：     

Si中深能级T_2对称波函数理论

木文在文献[5,6]所发展的在位缺陷势格林函数方法基础上,进一步讨论Si中短程缺陷势引入的T_2对称深能级波函数性质。第一次给出了Si禁带中部很宽能量范围之内T_2对称波函数的完整数据。波函数在缺陷最近邻四个格点的占据几率P_1有一高达50％以上峰值。该部分相当于四个最近邻格点指向缺陷的杂化轨道准悬键的T_2组合。第0,1,2三个格点壳层波函数占据几率之和约为70％。波函数其余部分较平缓地分布在一相当大空间。波函数的以上特征与禁带中部能量位置关系不灵敏。但在靠近导带E_c和满带E_v的浅能量区,以上P_1峰趋于消失,整个波函数在空间的分布趋于平坦。Si空位在禁带引入一个T_2对称深能级,位于E_v以上0.51eV处。     

Si中深能级T2对称波函数理论

木文在文献[5,6]所发展的在位缺陷势格林函数方法基础上,进一步讨论Si中短程缺陷势引入的T₂对称深能级波函数性质。第一次给出了Si禁带中部很宽能量范围之内T_2对称波函数的完整数据。波函数在缺陷最近邻四个格点的占据几率P₁有一高达50％以上峰值。该部分相当于四个最近邻格点指向缺陷的杂化轨道准悬键的T₂组合。第0,1,2三个格点壳层波函数占据几率之和约为70％。波函数其余部分较平缓地分布在一相当大空间。波函数的以上特征与禁带中部能量位置关系不灵敏。但在靠近导带E_c和满带E_v的浅能量区,以上P₁峰趋于消失,整个波函数在空间的分布趋于平坦。Si空位在禁带引入一个T₂对称深能级,位于E_v以上0.51eV处。 关键词：     

强耦合SU(3)极限基带波函数的计算

用群论方法给出了IBM4中强耦合SU(3)极限的内禀态波函数,然后用投影方法由内禀态波函数得到了基带波函数.     

多核子系统波函数的转动群分类

本文给出了对多核子系统波函数进行转动群分类的投影算符方法,并对1p壳A=1—3的具体情况进行了计算。     

硅中Jahn-Teller畸变的磷-空位复合缺陷的电子结构

本文采用扩展的缺陷势,利用一个紧束缚的Koster-Slater格林函数方法,确定了磷-空位缺陷的波函数为深能级E的函数,以深能级的实验值为输入参数,得到的波函数定量地描述了EPR和ENDOR实验资料,特别是,理论给出空位的四个近邻原子上的超精细相互作用常数α和b,同实验符合得很好。 关键词：     

中性铝原子光离化截面计算

本文利用X_α波函数对铝原子基态3s~23p~2P的光离化截面进行了计算,在计算中考虑了极化效应。HF解析波函数和解析变分波函数也被用来同X_α波函数的计算结果进行比较,结果表明用单电子理论在计算铝基志光离化截面时存在明显缺陷。除此之外本文还对连续态波函数的数值归—化问题进行了系统的讨论。     

等效电子组态(l1+l1-)的谱项波函数及能量矩阵的电子杨表表示

把电子组态（l^1 l^1-）给出的填布杨图称为电子杨表,给出了有关电子杨表与无微扰波函数之间的对应关系式,证明了电子杨表的正交归一性质,给出了电子组态（l^1 l^1-）谱项波函数的电子杨表表示,证明了由电子杨表给出的（l^1 l^1-）电子组态的能量矩阵为对角矩阵。     

半导体深能级波函数在Bloch空间的分布特征

在Koster-Slater格林函数以及中心原胞缺陷势近似的基础上第一次给出并讨论了Si,GaAs,GaP深能级波函数在Bloch空间的分布特征。并指出,对于一定能带数目的近似晶体模型,计算深能级波函数的收敛性比计算深能级能量的收敛性要快。 关键词：     

群表示论的物理方法(Ⅴ) SU_3SO_3和SU_4SU_2×SU_2分类基

本文给出了核物理中常用的SU_3SO_3(f=1—6)和SU_4SU_2×SU_2波函数在Gelfand表象中的展开系数。     

层子模型中高能中微子产生△(1236)的过程

层子模型取得了许多与实验相符合的结果。在文献[3,4]中,利用文献[2]中给出的重子波函数,讨论了1~ /2重子的电磁性质和1~ /2重子的中微子产生过程,取得了较好的结果。本文用文献[2]给出的1~ /2和3~ /2重子波函数对反应νp→△~( )(1236)μ~-进行讨论,值得指出的是,在讨论这个反应中所需要的一些参量在文献[3,4]中都已定出,无需     

氦原子低激发态能量的变分计算

给出了一种用变分法计算氦原子低激发态（电子组态为1s2s,1s2p)能量的具体方法,计算过程中解决了激发态波函数与基态波函数的正交性,计算结果与实验值与相当接近。     

半无限体内双圆柱亚表面热波散射问题的研究

本文基于非傅里叶导热定律,采用波函数展开法,研究了含双圆柱缺陷非透明半无限体中热传播问题,给出了基于热传导波动模型的热波散射问题的一般解．温度波由调制光束在材料表面激发,缺陷表面的边界条件为绝热,分析了各物理参数对温度分布的影响,特别是热波波长对温度变化的影响,并给出了温度变化的数值结果。     

立方半导体中双空位态的电子结构(Ⅳ) GaAs,GaP中双空位态的电子结构

利用文献[1]中的基本方程组和Vogl等人的紧束缚哈密顿量,计算了以GaAs,GaP为代表的极性半导体中理想双空位的A_1,E态的波函数。计算表明,理想双空位态的波函数在靠近As空位或P空位处的三个Ga原子处具有最大几率,波函数的其余部分随着离缺陷距离的增加而缓慢非单调地递减。     

半导体短程势深能级在浅能区的波函数行为

本文对短程缺陷势深能级在能量趋向禁带边缘时波函数的行为作了研究。当深能级能量与禁带边能量差ε很小时,在一定的能量和对称性条件满足下,波函数在k空间向极值收缩而在实空间扩展。本文发展了一种方法可有效地用于ε很小时的波函数数值计算。对于靠近导带的A₁态波函数,对于出Si,当ε小于2meV时,开始显著地在k空间收缩;对于GaAs,直至ε=0.1meV还未发生显著收缩。发生显著收缩对应的ε值与有效质量以及缺陷态和能带边波函数对称性匹配度有灵敏的关系。对于靠近价带顶的A₁态,由于与价带顶对称性不匹配,不发生k空间收缩现象。 关键词：     

立方半导体中双空位态的电子结构(Ⅳ)——GaAs,GaP中双空位态的电子结构

利用文献[1]中的基本方程组和Vogl等人的紧束缚哈密顿量,计算了以GaAs,GaP为代表的极性半导体中理想双空位的A₁,E态的波函数。计算表明,理想双空位态的波函数在靠近As空位或P空位处的三个Ga原子处具有最大几率,波函数的其余部分随着离缺陷距离的增加而缓慢非单调地递减。 关键词：     

类He离子的电子碰撞激发截面

利用扭曲波方法计算类He离子的电子碰撞激发截面。靶波函数采用HFS自洽场波函数,本文计算了若干元素从基态(1¹S)到2¹S,2¹P,2³S,2³P的跃迁。计算结果以碰撞强度的形式给出。入射电子能量从激发阈能开始到x=10,计算结果与已有的结果作了比较,分析表明,在大多数情况下,结果是满意的。     

基于改进变分法对原子激发态精确波函数的研究

传统的利用变分原理求解Schrfidinger方程获得原子激发态波函数的方法是基于HUM理论(HylleraasUndheim and MacDonald theorem),在有限的N维Hilbert空间中,通过求解久期方程的高阶根获得激发态的近似波函数.在我们前期的工作中已指出,由于HUM方法的几个内禀缺陷限制,它将导致在相同的函数空间中,由传统变分法得到的激发态波函数的‘质量’远差于足够好的基态波函数.进一步地,为了避免基于HUM方法的变分缺陷,本文提出了新的变分函数,并证明其试探激发态波函数在其本征态处具有局域极小值,因而可以通过变分极小无限制的逼近该本征态.在此基础上,利用广义的Laguerre类型轨道(GLTO)在组态相互作用的框架下,分别编写了基于传统HUM理论和新变分函数的关于求解原子近似波函数的计算程序,并且利用该程序计算了氦原子(He)在1S(e),1P(o)态下相应的基态及激发态近似波函数及对应的能量值和径向平均值,并与已有文献中结果进行比较,计算结果显示了HUM理论的缺陷及新变分函数优越性,并就进一步提高激发态的精度指明了方向.     

非相对论束缚势下的能级间隔及原点波函数

(1)本文推广了Martin关于原点波函数的定理至l≠0的态, 给出了相应的充分条件. (2) 在微扰意义下, 本文推广了Marin、Grosse、苏汝铿、梁俊等人关于2s,2p,3d态的能级间隔的定理, 给出了关于3s, 3p等态的相应的定理.     

硅中四空位扩展的Koster-Slater模型

本文用扩展的Koster-Slater模型计算了硅中V₄^-未配对电子的对称化波函数,用算得的波函数计算了缺陷电子局域在最近邻每个原子上的η²及其s特征α²,和超精细相互作用常数,确定V₄^-处于深能级为0.78eV的A₁对称态,给出与现有实验值相符合的结果。并指出,V₄^-的单个悬挂键上的η²比其它具有单个悬挂键的缺陷小,是由于V₄^-的势分布向一侧有较大偏重所致。 关键词：